【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用以制造半导体的制造设备以及制造方法,尤其涉及利用于半导体湿式工艺中的制造设备以及制造方法。
技术介绍
磁化技术可将物体分子团微小化。例如将水磁化后,不仅不易生水垢,也利于饮用 者吸收;于养殖业方面,磁化过的水利于溶氧量增加;或者,将油磁化后,可以大幅增加燃 烧率,除了减少空气污染外,也增加可利用能量,这种技术非常有利于产业上的利用。 磁化技术利用于半导体制造产业,已有利用于干式工艺中的技术,如中国台湾专 利I239560、00586335、00419749、00403960等,又如美国专利第4, 483, 737号专利等,上述 技术都是针对半导体干式工艺设计。然而,于半导体制造中针对湿式工艺,并未利用磁化来 改善效果的相关技术。 于半导体湿式工艺中,是于一湿式工艺化学槽(Wet Station)中进行,除了以蚀刻 液对基板(Substrate)进行蚀刻反应之外,会再以剥离液(Photoresist Strippers)对基 板进行处理,还会以如DI水(DI water)的清洗液对基板清洗。 以往现有技术于半导体制造中,对湿式工艺加速蚀刻的 ...
【技术保护点】
一种利用于半导体的制造方法,利用于一湿式工艺化学槽中,其特征在于,该制造方法包含下列步骤:导入一化学液进入一管道路径;于该管道路径中磁化该化学液;以及将该管道路径中已被磁化的化学液导入一处理标的。
【技术特征摘要】
一种利用于半导体的制造方法,利用于一湿式工艺化学槽中,其特征在于,该制造方法包含下列步骤导入一化学液进入一管道路径;于该管道路径中磁化该化学液;以及将该管道路径中已被磁化的化学液导入一处理标的。2. 根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,该管道路径包含一管道本体、以及三 磁性物体,该三磁性物体依螺旋状路径错位排列,使该三磁性物体沿该管道路径纵向错位, 并且该三磁性物体沿该管道路径横向错位,该些磁性组件设置于该管道本体周围并以同极 性朝向该管道本体内部。3. 根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,该化学液选自于由蚀刻液、剥离液、 清洗液所组成族群中的化学液。4. 根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,该处理标的为半导体所需的基板。5. —种利用于...
【专利技术属性】
技术研发人员:龙仁生,
申请(专利权)人:鼎岳科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]
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