一种用于腐蚀氮化硅掩膜的浆料的清洗方法技术

本发明专利技术公开了一种用于腐蚀氮化硅掩膜的浆料的清洗方法，包括如下步骤：（１）在氨水溶液中超声清洗；（２）在纯水中超声清洗至少２次；（３）在稀盐酸溶液中超声清洗；（４）纯水喷淋；（５）循环纯水浸渍。本发明专利技术的清洗方法可以彻底清除硅片表面的浆料残留和各种杂质，防止了因残留浆料清洗不彻底对电池性能造成的负面影响。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于太阳能电池制造领域，具体涉及一种在背面钝化太阳能电池及选择性发射极太阳能电池制造过程中用于腐蚀氮化硅掩膜的浆料的清洗方法。
技术介绍
太阳能是人类取之不尽用之不竭的可再生能源，也是清洁能源，在太阳能的有效 利用当中，大阳能光电利用是近些年来发展最快、最具活力的研究领域，是其中最受瞩目的 项目之一。为此，人们研制和开发了太阳能电池。对于太阳能电池而言，高转换效率、低成 本始终是其发展的主要趋势，也是技术研究者追求的目标，为此各种新型结构的太阳能电 池层出不穷。其中，选择性发射极太阳能电池和背面钝化太阳能电池是目前研究的热点，其 共同的特点是在表面形成氮化硅掩膜后，再利用印刷腐蚀性浆料(该腐蚀性浆料的主要成 分为磷酸，其湿重为每片O. 1 0. 5g)的方法腐蚀出窗口 ；对于选择性发射极太阳能电池来 讲是为了进行一步扩散或者两步扩散以形成重掺和轻掺区域，对于背面钝化太阳能电池来 讲是为了形成局部的铝背场。腐蚀完毕后，清洗去除浆料，再进行后续的工艺步骤。 然而，现有的清洗方法通常是用纯水对腐蚀氮化硅掩膜的浆料进行喷淋、浸渍等 操作，该清洗方法的清洗效果不是很理想，会有腐本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于腐蚀氮化硅掩膜的浆料的清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：（１）在氨水溶液中超声清洗；（２）在纯水中超声清洗至少２次；（３）在稀盐酸溶液中超声清洗；（４）纯水喷淋；（５）循环纯水浸渍。

【技术特征摘要】
一种用于腐蚀氮化硅掩膜的浆料的清洗方法，其特征在于，包括如下步骤(1)在氨水溶液中超声清洗；(2)在纯水中超声清洗至少2次；(3)在稀盐酸溶液中超声清洗；(4)纯水喷淋；(5)循环纯水浸渍。2. 根据权利要求1所述的用于腐蚀氮化硅掩膜的浆料的清洗方法，其特征在于所述 步骤(1)中氨水的浓度为2 15%，其超声清洗时间为30 240秒。3. 根据权利要求1所述的用于腐蚀氮化硅掩膜的浆料的清洗方法，其特征在于所述 步骤(2)中每次超声清洗时间为120 600秒。4. 根据权利要求1所述的用于腐...

【专利技术属性】
技术研发人员：王立建，王栩生，朱冉庆，章灵军，
申请(专利权)人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司，常熟阿特斯阳光电力科技有限公司，阿特斯光伏电力洛阳有限公司，阿特斯光伏科技苏州有限公司，阿特斯太阳能光电苏州有限公司，阿特斯光伏电子常熟有限公司，常熟阿特斯太阳能电力有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]