一种晶体硅太阳能电池的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种晶体硅太阳能电池的制备方法，包括制备晶体硅太阳能电池的必需工艺，还包括如下步骤：在电池的背面形成单层钝化层；利用喷墨印刷在上述背面单层钝化层上印刷腐蚀性浆料，然后烘干腐蚀钝化层，清洗去除浆料，形成局部接触的窗口；然后在其上利用丝网印刷形成背面接触。本发明专利技术得到了背面钝化局部接触的太阳电池结构，试验证明，该钝化结构可以有效地提高了太阳电池的长波响应以及背面反射，提高了太阳电池的转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于太阳能光电利用领域，具体涉及。
技术介绍
太阳能是人类取之不尽用之不竭的可再生能源，也是清洁能源，不产生任何的环 境污染。在太阳能的有效利用当中，大阳能光电利用是近些年来发展最快、最具活力的研究 领域，是其中最受瞩目的项目之一。为此，人们研制和开发了太阳能电池。制作太阳能电 池主要是以半导体材料为基础，其工作原理是利用光电材料吸收光能后发生光电子转换反 应；根据所用材料的不同，太阳能电池可分为1、硅太阳能电池2、以无机盐如砷化镓III-V 化合物、硫化镉、铜铟硒等多元化合物为材料的电池3、功能高分子材料制备的大阳能电池 4、纳米晶太阳能电池等。 目前，广泛应用于制造太阳能电池的主要材料是半导体硅材料，而且其制造工艺 也很成熟，一般的制造流程为表面清洗及结构化、扩散、清洗刻蚀去边、镀减反射膜、丝网 印刷、烧结形成欧姆接触、测试。这种商业化太阳能电池制造技术相对简单、成本较低，适合 工业化、自动化生产，因而得到了广泛应用。 按照上述工艺制造得到的太阳能电池，其正面沉积SiNx作为减反射、钝化膜，背 面直接丝网印刷铝浆，通过烧结形成背电场。 然而，由于电池背面没有钝化措施，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体硅太阳能电池的制备方法，包括制备晶体硅太阳能电池的必需工艺，其特征在于，还包括如下步骤：（１）在电池的背面形成单层钝化层；（２）利用喷墨印刷在上述背面单层钝化层上印刷腐蚀性浆料，然后烘干腐蚀钝化层，清洗去除浆料，形成局部接触的窗口；然后在其上利用丝网印刷形成背面接触；其中，所述腐蚀性浆料的成分为磷酸，腐蚀性浆料的湿重为每片０．１～０．５ｇ。

【技术特征摘要】
一种晶体硅太阳能电池的制备方法，包括制备晶体硅太阳能电池的必需工艺，其特征在于，还包括如下步骤(1)在电池的背面形成单层钝化层；(2)利用喷墨印刷在上述背面单层钝化层上印刷腐蚀性浆料，然后烘干腐蚀钝化层，清洗去除浆料，形成局部接触的窗口；然后在其上利用丝网印刷形成背面接触；其中，所述腐蚀性浆料的成分为磷酸，腐蚀性浆料的湿...

【专利技术属性】
技术研发人员：王立建，王栩生，朱冉庆，房海冬，章灵军，
申请(专利权)人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司，常熟阿特斯阳光电力科技有限公司，阿特斯光伏电力洛阳有限公司，阿特斯光伏科技苏州有限公司，阿特斯太阳能光电苏州有限公司，阿特斯光伏电子常熟有限公司，常熟阿特斯太阳能电力有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]