一种用于太阳电池硅片加工的多线切割工艺组合制造技术

一种用于太阳电池硅片加工的多线切割工艺组合，采用硅棒开方；硅棒表面抛光；粘接面喷沙打毛；粘接；硅片切割；硅片脱胶的工艺流程；本发明专利技术采用对硅棒粘接面进行喷沙打毛的工艺技术，提高该粘接面的粗糙度从而提高该粘接面的粘接强度，又保持了该粘接面原来的低损伤优势；有效地解决了硅片加工工艺中，硅棒表面抛光后粘接力不足产生大量掉片、掉棒损失，以及改用粘接强度更高的粘接剂又产生脱胶困难导致硅片大量毛边的难题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体材料中硅单晶片的多线切割加工工艺，尤其涉及一种用于太阳电池硅片加工的多线切割工艺组合。
技术介绍
近几年来，随着全球光伏产业的迅速发展，太阳电池制作用的硅单晶片(以下简 称硅片)普遍采用多线切割工艺技术进行加工。该加工技术优势之一是相对传统的内圆切 割具有极高的生产效率，而且切割(刀缝)损失小，大大提高了硅材料的利用率。目前全球 每年数十亿片的太阳电池用硅片，几乎都是采用多线切割技术进行加工的。 进行硅片的多线切割加工，是将预先进行"破方"加工(截面从圆形改变为正方 形)后的硅棒的一面用高粘接强度的粘接胶粘接在一个卡具上，再置于"线网"上进行切 割。由于切割时被加工硅棒受到高速运行的切割线产生的平行于粘接面的巨大推力而可能 产生位移甚至脱落(掉片、掉棒)，因此，硅棒的粘接成为硅片多线切割工艺技术中的一项 关键技术。 目前，随着对太阳电池用硅片外观质量要求的提高，采取了对该种硅片加工前、开 方后的原料硅晶体棒的四个表面进行化学或机械抛光处理的工艺，以降低表面粗糙度，减 少硅片周边残余的及加工过程产生的表观损伤；但由于硅棒表面光洁度提高以后，使得原 来正常使用的粘接胶粘接力不足，导致切割过程中常易出现"掉片、掉棒损失"；为此，行业 内普遍改用粘接能力更高的胶进行硅棒"超强度"粘接；又导致脱胶(将切割后的硅片和粘 接胶、工装载板分离)困难——工艺要求更高且产生大量"毛边"等表观缺陷；形成一个难 以调和的两难局面。
技术实现思路
本专利技术为解决现有的太阳电池硅片多线切割加工工艺所存在的"两难"技术缺陷， 提供了一种用于太阳电池硅片多线切割加工的工艺组合。本专利技术解决技术问题的技术方案是( 一 )、硅棒开方；(二 )、对硅棒的表面进行 抛光；(三)、对选定的经过抛光的硅棒待粘接面喷沙打毛；(四)、用非超强且易于脱胶的 粘接剂对待粘接面进行粘接；(五)、硅片切割；(六)、硅片冷或热工艺脱胶。 本专利技术的有益效果是 1、本专利技术是一种既可保证硅棒粘接强度在切割过程中不"掉片、掉棒"、又容易"脱 胶"减少硅片"毛边"的新型工艺组合； 2、本专利技术采用对硅棒"粘接面"进行先"抛光"再"喷沙打毛"的工艺技术，提高该粘接面的粗糙度从而提高该粘接面的粘接强度，又保持了该粘接面的低损伤优势； 3、本专利技术的工艺组合有效地解决了硅片多线切割加工工艺中，"因硅片外观质量要求的提高而采取硅棒表面抛光后出现粘接力不足产生大量掉片、掉棒损失"与"改用粘接强度更高的粘接剂后又产生脱胶困难、导致硅片大量毛边等表观损失"的两个相互矛盾的难题； 4、采用本专利技术的工艺组合在进行硅片多线切割加工的过程中，掉片、掉棒损失减 少约32. 5万元(2000刀X2. 5% X 13000元/刀X50%);同时，产品的"毛边等表观损失" 降低了 3个百分点，按实际累计生产量500万片计，减少废次品损失150万元以上；按产能 800万片预算，折合年经济效益可达约300万元。附图说明 下面结合附图对本专利技术作进一步详细说明 图1是本专利技术的工艺流程图。具体实施例方式如图1所示，本专利技术的工艺流程为( 一 )、硅棒开方；(二 )、对硅棒的表面进行抛 光；(三)、对选定的经过抛光的硅棒待粘接面喷沙打毛；(四)、用非超强且易于脱胶的粘 接剂对待粘接面进行粘接；(五)、硅片切割；(六)、硅片冷或热工艺脱胶。权利要求一种用于太阳电池硅片加工的多线切割工艺组合，其特征在于(一)、硅棒开方；(二)、对硅棒的表面进行抛光；(三)、对选定的经过抛光的硅棒待粘接面喷沙打毛；(四)、用非超强且易于脱胶的粘接剂对硅棒待粘接面进行粘接；(五)、硅片切割；(六)、硅片冷或热工艺脱胶。全文摘要一种用于太阳电池硅片加工的多线切割工艺组合，采用硅棒开方；硅棒表面抛光；粘接面喷沙打毛；粘接；硅片切割；硅片脱胶的工艺流程；本专利技术采用对硅棒粘接面进行喷沙打毛的工艺技术，提高该粘接面的粗糙度从而提高该粘接面的粘接强度，又保持了该粘接面原来的低损伤优势；有效地解决了硅片加工工艺中，硅棒表面抛光后粘接力不足产生大量掉片、掉棒损失，以及改用粘接强度更高的粘接剂又产生脱胶困难导致硅片大量毛边的难题。文档编号H01L31/18GK101710603SQ200910227280公开日2010年5月19日 申请日期2009年12月4日 优先权日2009年12月4日专利技术者王振国 申请人:洛阳鸿泰半导体有限公司 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于太阳电池硅片加工的多线切割工艺组合，其特征在于：（一）、硅棒开方；（二）、对硅棒的表面进行抛光；（三）、对选定的经过抛光的硅棒待粘接面喷沙打毛；（四）、用非超强且易于脱胶的粘接剂对硅棒待粘接面进行粘接；（五）、硅片切割；（六）、硅片冷或热工艺脱胶。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王振国，
申请(专利权)人：洛阳鸿泰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：41[中国|河南]