一种切割的工艺处理方法技术

本发明专利技术涉及一种切割的工艺处理方法，包括以下步骤：(1)取出去完氧化层并且清洗干净的硅片，将硅片放入混酸中预腐蚀40-60s，产生19-21μm的沟槽；(2)将预腐蚀的硅片放入第一级漂洗槽的纯水中进行漂洗，时间为4-6s；(3)将步骤(2)中的硅片取出，放入第二级漂洗槽的纯水中进行漂洗，时间为7min，本发明专利技术处理后的产品结构稳定。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及，包括以下步骤：(1)取出去完氧化层并且清洗干净的硅片，将硅片放入混酸中预腐蚀40-60s，产生19-21μm的沟槽；(2)将预腐蚀的硅片放入第一级漂洗槽的纯水中进行漂洗，时间为4-6s；(3)将步骤(2)中的硅片取出，放入第二级漂洗槽的纯水中进行漂洗，时间为7min，本专利技术处理后的产品结构稳定。【专利说明】
本专利技术涉及硅片表面处理领域，尤其涉及一种切割工艺的处理方法。
技术介绍
目前市场上前处理基本是在氧化层上开切割参考线条，此方式操作复杂，产品质 量不稳定、易破裂，而且还需要切割机进行切割，使得操作过程变得复杂，增加了加工难度， 降低了生产效率。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种切割工艺的处理方法，解决现有技术中的 不足，使得本专利技术处理后的硅片质量稳定，不易破裂。 本专利技术解决上述技术问题的技术方案如下： -种切割的工艺处理方法，包括以下步骤： (1)取出去完氧化层并且清洗干净的硅片，将装有硅片的花篮放置在摇摆机上，然 后将花篮放入混酸槽中前后摇摆，硅片平行于摇摆方向，放入混酸中预腐蚀40-60s，产生 19-21 μ m的沟槽； (2)将预腐蚀的硅片放入第一级漂洗槽的纯水中进行漂洗，时间为4_6s ; (3)将步骤（2)中的硅片取出，放入第二级漂洗槽的纯水中进行漂洗，时间为 7min〇 在上述技术方案的基础上，本专利技术还可以做如下改进。 进一步，所述步骤（1)混酸为硝酸、氢氟酸、冰乙酸、硫酸按体积比9:9:12:4混合 而成的溶液。硝酸是一种强氧化性、腐蚀性的强酸。硝酸易溶于水，常温下其溶液无色透明； 氢氟酸（HF)是氟化氢气体的水溶液，无色，有刺激性气味。具有强烈的腐蚀性。可用来蚀 刻玻璃，去硅表面的氧化物；冰乙酸，即无水乙酸，有机化合物。其在低温时凝固成冰状，俗 称冰乙酸；硫酸，是一种具有高腐蚀性的强矿物酸，具有强烈脱水性与氧化性。 进一步，所述步骤（1)混酸的温度为2-4°C，规定此温度是方便控制沟槽的的深度 和均匀性。 进一步，所述纯水指的是述不含杂质的水。 本专利技术的有益效果是： 现有技术激光切割机切割的沟槽是在氧化层上开的切割参考线条，此方式操作复 杂，产品质量不稳定； 本专利技术使用混酸开沟槽是在硅片上开一个20 μ m左右的沟槽，混酸开的沟槽产品 质量稳定，裂片时比较方便，减少切割，降低了切割机功率，提升了生产效率。 【具体实施方式】 以下对本专利技术的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本专利技术，并非用于限【权利要求】1. ，其特征在于，包括以下步骤： (1) 取出去完氧化层并且清洗干净的硅片，将装有硅片的花篮放置在摇摆机上，然后 将花篮放入混酸槽中前后摇摆，摇摆速率为high，硅片平行于摇摆方向，放入混酸中预腐蚀 40-60s，产生19-21 μ m的沟槽； (2) 将预腐蚀的硅片放入第一级漂洗槽的纯水中进行漂洗，时间为4-6s ; (3) 将步骤（2)中的硅片取出，放入第二级漂洗槽的纯水中进行漂洗，时间为7min。2. 根据权利要求1所述的，其特征在于，所述步骤（1)混酸为 硝酸、氢氟酸、冰乙酸、硫酸按体积比9:9:12:4混合而成的溶液。3. 根据权利要求1所述的，其特征在于，所述步骤（1)混酸的 温度为2-4 °C。4. 根据权利要求1所述的，其特征在于，所述纯水指的是述 不含杂质的水。【文档编号】H01L21/306GK104112661SQ201410315538【公开日】2014年10月22日 申请日期:2014年7月3日 优先权日:2014年7月3日 【专利技术者】王道强, 陈宏胤 申请人:扬州虹扬科技发展有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种切割的工艺处理方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)取出去完氧化层并且清洗干净的硅片，将装有硅片的花篮放置在摇摆机上，然后将花篮放入混酸槽中前后摇摆，摇摆速率为high，硅片平行于摇摆方向，放入混酸中预腐蚀40‑60s，产生19‑21μm的沟槽；(2)将预腐蚀的硅片放入第一级漂洗槽的纯水中进行漂洗，时间为4‑6s；(3)将步骤(2)中的硅片取出，放入第二级漂洗槽的纯水中进行漂洗，时间为7min。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王道强，陈宏胤，
申请(专利权)人：扬州虹扬科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32