一种制作碲化镉薄膜太阳电池的工艺方法技术

本发明专利技术公开了一种制作碲化镉薄膜太阳电池的工艺方法。它具有方法简单，成本低，原材料利用率高等优点，它的步骤为：１）导电玻璃清洗；２）真空蒸发沉积硫化镉；３）采用气体输运沉积碲化镉；４）磁控溅射沉积铬；５）磁控溅射沉积钼；６）磁控溅射沉积铝；７）完成电池制作。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
目前碲化镉太阳电池的制作方法为近空间升华方法，有如下一些缺点1设备结 构复杂，要求控温精度高；2源制作复杂，对工艺要求较高；3生产得到的光电转换效率低；4 原材料利用率低。
技术实现思路
本专利技术的目的就是为了解决上述问题，提供一种具有方法简单，成本低，原材料利用率高等优点的制作碲化镉薄膜太阳电池的工艺方法。 为实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案 —种制作碲化镉薄膜太阳电池的工艺方法，它的步骤为 l)导电玻璃清洗； 參用高纯水配制浓度为0. 1 % -20%的氢氧化钠溶液； 參将要清洗的导电玻璃浸泡在配制好的氢氧化钠溶液中，室温下浸泡时间为5-20 分钟； 參用滚刷反复清洗导电玻璃表面1-5分钟； 參用高纯水配制浓度为0. 1% _20%的氢氟酸溶液； 參将刷洗后的导电玻璃浸泡在配制好的氢氟酸溶液中，室温下浸泡时间为1-10 分钟； 參将导电玻璃从氢氟酸溶液中取出，放入去离子水中室温下漂洗1-5分钟； 參将导电玻璃从去离子水中取出，放入无水乙醇中脱水即可。 2)真空蒸发沉积硫化镉； 将步骤1清洗好的导电玻璃，放入真空镀膜机内。抽真空到0. Ol本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制作碲化镉薄膜太阳电池的工艺方法，其特征是，它的步骤为：１）导电玻璃清洗；２）真空蒸发沉积硫化镉；将步骤１清洗好的导电玻璃，放入真空镀膜机内，抽真空到０．０１ｐａ－０．０００１ｐａ，温度为室温，生长厚度为５０－５００ｎｍ的硫化镉薄膜；３）采用气体输运沉积碲化镉；在将生长了一定厚度硫化镉薄膜的导电玻璃，送入气体输运沉积设备中，设备抽真空到１－１００ｐａ，将导电玻璃加热到４００－１０００摄氏度，在沉积源中放入碲化镉粉末０．１ｋｇ－５０ｋｇ，将沉积源加热到５００－１０００摄氏度，向沉积源通入气体，导电玻璃在沉积源下移动，沉积时间１－１０分钟，生长厚度为１－１０微米的碲化镉薄膜；４）磁控溅射沉积铬...

【技术特征摘要】
一种制作碲化镉薄膜太阳电池的工艺方法，其特征是，它的步骤为1)导电玻璃清洗；2)真空蒸发沉积硫化镉；将步骤1清洗好的导电玻璃，放入真空镀膜机内，抽真空到0.01pa-0.0001pa，温度为室温，生长厚度为50-500nm的硫化镉薄膜；3)采用气体输运沉积碲化镉；在将生长了一定厚度硫化镉薄膜的导电玻璃，送入气体输运沉积设备中，设备抽真空到1-100pa，将导电玻璃加热到400-1000摄氏度，在沉积源中放入碲化镉粉末0.1kg-50kg，将沉积源加热到500-1000摄氏度，向沉积源通入气体，导电玻璃在沉积源下移动，沉积时间1-10分钟，生长厚度为1-10微米的碲化镉薄膜；4)磁控溅射沉积铬将步骤3中完成的工件，放入磁控溅射镀膜机内，按照磁控溅射标准工艺生长厚度为5-500nm的铬层；5)磁控溅射沉积钼在步骤4相同磁控溅射镀膜机内，按照磁控溅射标准工艺生长厚度为5-500nm的钼层；6)磁控溅射沉积铝在步骤4相同磁控溅射镀膜机内，按照磁控溅射标准工艺生长厚度为5-5...

【专利技术属性】
技术研发人员：王步峰，李青海，王景义，
申请(专利权)人：润峰电力有限公司，
类型：发明
国别省市：37[中国|山东]