碲化镉薄膜沉积的蒸发源及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种碲化镉（CdTe）薄膜沉积的蒸发源及其制备方法，属于薄膜太阳电池技术领域。该制备方法包括以下步骤：（1）按比例混合形成包括镉金属粉末和碲单质粉末的粉末混合物；（2）将所述粉末混合物平铺于热蒸发设备的热蒸发源上；以及（3）在500℃至900℃的温度条件下蒸镀至平整的蒸发源衬底上形成碲化镉化合物。应用该制备方法制备形成该发明专利技术的蒸发源。该制备方法和蒸发源具有成本低的特点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于薄膜太阳电池
，涉及用于制备碲化镉(CdTe)薄膜太阳电池的CdTe薄膜的蒸发源以及该蒸发源的制备方法。
技术介绍
在新能源
，太阳电池应用越来越广泛，并且工业界在不断地追求太阳电池的低成本制造，从而实现太阳电池大规模广泛应用。其中，薄膜太阳电池相对单晶硅或多晶硅太阳电池在低成本特性方面前景良好，因此，薄膜太阳电池被不断深入研究并开始商·业化应用。CdTe薄膜太阳电池是当前开始商业化应用的主要类型的薄膜太阳电池，在CdTe薄膜太阳电池中，P型的CdTe层与η型的CdS (硫化镉)层形成ρη异质结,其在光伏效应下可以在ρη异质结的两端形成光生电流。因此，CdTe薄膜太阳电池的制备过程中必然包括CdTe的薄膜沉积过程。近空间升华法(CSS)常用于CdTe薄膜太阳电池制备中的CdTe薄膜沉积过程，其使用带有CdTe的蒸发源以及用于沉积CdTe薄膜的衬底，蒸发源与衬底之间的距离较近，因此，CSS方法对蒸发源的平整度就有较高的要求(例如，要求平整度达到±0.5mm)。现有技术中，通常是将CdTe先蒸发到平整的石墨或石英上形成相对平整的蒸发源，然后使用该蒸发源进行CS本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蒸发源的制备方法，所述蒸发源用于制备碲化镉薄膜太阳电池的碲化镉薄膜，其特征在于，该方法包括以下步骤：（1）按比例混合形成包括镉金属粉末和碲单质粉末的粉末混合物；（2）将所述粉末混合物平铺于热蒸发设备的热蒸发源上；以及（3）在500℃至900℃的温度条件下蒸镀至平整的蒸发源衬底上形成碲化镉化合物。

【技术特征摘要】
1.一种蒸发源的制备方法，所述蒸发源用于制备碲化镉薄膜太阳电池的碲化镉薄膜，其特征在于，该方法包括以下步骤 (O按比例混合形成包括镉金属粉末和碲单质粉末的粉末混合物； (2)将所述粉末混合物平铺于热蒸发设备的热蒸发源上；以及 (3)在500°C至900°C的温度条件下蒸镀至平整的蒸发源衬底上形成碲化镉化合物。2.如权利要求I所述的制备方法，其特征在于，所述镉金属粉末和碲单质粉末的粒径均小于或等于100目。3.如权利要求I所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(I)中，在混合前或混合后还包括筛选过程，以使所述镉金属粉末和碲单质粉末的粒径均小于或等于100目。4.如权利要求I或2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(I)中，先按比例混合金属镉和单质碲、再粉碎所述金属镉和单质碲以形成所述粉末混合物。5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述金属镉的纯度大于或等于99.99%，所述单质碲的纯度大于或等于99. 99%。6.如权利要求I或3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(I)中，分别粉碎金属镉和单质碲以相应形成所述镉金属粉末和碲单质粉末、再按比例混合所述镉金属粉末和碲单质粉末以形成所述粉末混合物。7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，镉金属粉末的纯度大于或等于99.99%，所述碲单质粉末的纯度大于或等于99. 99%。8.如权利要求I所述的制备方法，其特征在于，所述镉金属粉末和碲单质粉末的化学计量比的范围为1:2至2: I。9.如权利要求I所述的制备方法，其特征在于，所述镉金属粉末和碲单质粉末的化学计量比为1:1. I，所述締化镉化合物为富締的多晶締化镉。10.如权利要求I所述的制备方法，其特征在于，所述镉金属粉末...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋猛，刘志强，
申请(专利权)人：无锡尚德太阳能电力有限公司，四川尚德太阳能电力有限公司，
类型：发明
国别省市：