【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能和半导体行业，特别涉及。
技术介绍
多晶硅是制造半导体器件和太阳能电池等产品的主要原材料，还可以用于制备单 晶硅，其深加工产品被广泛用于半导体工业中，作为人工智能、自动控制、信息处理、光电转 换等器件的基础材料。同时，由于能源危机和低碳经济的呼吁，全球正在积极开发利用可再 生能源。太阳能由于其清洁、安全、资源丰富，在可再生能源中最引人关注。利用太阳能的 一种方法是通过光电效应将太阳能转化为电能。硅太阳能电池是最普遍采用的基于光电压 效应的装置。此外，由于半导体工业和太阳能电池的发展，对高纯度多晶硅的需求正不断增 加。 在制造多晶硅棒的方法中，作为被广泛采用的高纯度多晶硅的制备技术，可以举 出德国西门子公司于1954年专利技术的多晶硅制造方法(也称为西门子法)。其系列化学反应 式为 Si+3HC1 — SiHCl3+H2(l) 采用高纯三氯氢硅和高纯氢按照一定的配比混合在一起构成原料混合气体，通入 本领域技术人员公知的还原炉反应器中，在加热的高纯度硅芯上发生如下式(2)所示的还 原反应，通过化学气相沉积，生成的高纯度多晶硅不断沉积在硅芯上，使该...
【技术保护点】
一种多晶硅棒的制造方法，它是通过向反应器中连续通入包括氢气和含硅气体的混合气体作为原料气，在所述反应器中，所述原料气发生反应，通过化学气相沉积，生成的高纯度多晶硅不断沉积在硅芯上，使硅芯的直径逐渐变粗而形成多晶硅棒的方法，其特征在于，通过调节作为原料气的所述氢气的进气量Ｍ，和／或调节作为原料气的所述含硅气体的进气量Ｎ，使所述氢气和含硅气体的摩尔比值Ｑ满足如下关系式： Ｑ↓［ｔ１］＞Ｑ↓［ｔ３］且Ｑ↓［ｔ３］＜Ｑ↓［ｔ２］ 式中， Ｑ↓［ｔ１］是从所述多晶硅的生产方法开始至ｔ↓［１］小时的时刻，作为原料气的所述氢气和所述含硅气体的摩尔比； Ｑ↓［ｔ２］是从所述多晶硅的...
【技术特征摘要】
一种多晶硅棒的制造方法，它是通过向反应器中连续通入包括氢气和含硅气体的混合气体作为原料气，在所述反应器中，所述原料气发生反应，通过化学气相沉积，生成的高纯度多晶硅不断沉积在硅芯上，使硅芯的直径逐渐变粗而形成多晶硅棒的方法，其特征在于，通过调节作为原料气的所述氢气的进气量M，和/或调节作为原料气的所述含硅气体的进气量N，使所述氢气和含硅气体的摩尔比值Q满足如下关系式Qt1＞Qt3且Qt3＜Qt2式中，Qt1是从所述多晶硅的生产方法开始至t1小时的时刻，作为原料气的所述氢气和所述含硅气体的摩尔比；Qt2是从所述多晶硅的生产方法开始至t2小时的时刻，作为原料气的所述氢气与所述含硅气体的摩尔比；Qt3是从所述多晶硅的生产方法开始至t3小时的时刻，作为原料气的所述氢气与所述含硅气体的摩尔比；Qt3是摩尔比值Q中的最小值；t1是0或正实数，t3和t2是正实数，且t1＜t3＜t2；当硅棒直径长到85～100mm时，此时刻的所述Q值以振幅A波动直至反应结束，其中，A选自0.001～1.0的范围。2. 根据权利要求1所述的多晶硅的制造方法，其特征在于，所述振幅A选自0. 2 0. 6 的范围。3. 根据权利要求1所述的多晶硅的制造方法，其特征在于，当所述Q值以振幅A开始波 动的时刻起直至反应结束，所述含硅气体的...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈其国，陈明元，钟真武，崔树玉，梁强，孔营，王永亮，
申请(专利权)人：江苏中能硅业科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]
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