热处理装置、半导体装置的制造方法及衬底的制造方法制造方法及图纸

一种热处理装置、半导体装置的制造方法及衬底的制造方法，其可减少热处理中产生的衬底的滑动错位缺陷，制造高质量的半导体装置。衬底支承体（３０）由本体部（５６）和支承部（５８）构成。本体部（５６）将多个载置部（６６）平行延伸，且在该载置部（６６）上设有支承部（５８）。在该支承部（５８）上载置衬底（６８）。支承部（５８）的面积比衬底平坦面的面积小，由比所述衬底的厚度厚的硅制造的板构成，可减小热处理中的变形。另外，支承部（５８）由硅制造，在支承部（５８）的衬底载置面上形成有涂敷了碳化硅（ＳｉＣ）的涂层。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于热处理半导体晶片或玻璃衬底等的热处理装置、半导体装置的制 造方法及半导体晶片或玻璃衬底的制造方法。
技术介绍
例如使用立式热处理炉对多个硅晶片等衬底进行热处理时，使用碳化硅制造的衬 底支承体(晶舟)。在该衬底支承体上设有例如以三点支承衬底的支承槽。 此时，当以IOO(TC程度以上的温度进行热处理时，在支承槽附近，在基板上产生滑 动错位缺陷，形成滑动线。当产生滑动线时，衬底的平坦度劣化。因此，在作为LSI制造工 序的重要工序之一的平版印刷工序中，产生掩膜对位偏移(焦点偏移或变形造成的掩膜对 位偏移)，产生难于制造具有所希望图案的LSI的问题。 解决这种问题的方法已知有首先在支承槽上载置仿真晶片，在该仿真晶片上载置 要处理的衬底的技术(参照专利文献l)。该技术通过从现有的三点支承改变为由仿真晶 片的面支承，抑制要处理的衬底的自重应力集中，防止衬底产生挠曲，防止产生滑动错位缺 陷。 另外，作为这种衬底支承体之一，已知有为防止来自衬底中的杂质污染，而在 Si-SiC等晶舟衬底上形成CVD-SiC覆膜(参照专利文献2)。根据该公开例，CVD-SiC覆膜 的厚度为30 ii本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种热处理装置，具有对衬底进行热处理的反应炉和在所述反应炉内支承衬底的衬底支承体，其特征在于，所述衬底支承体具有与所述衬底接触的支承部、支承该支承部的板、和支承该板的本体部，所述支承部由厚度为所述衬底厚度的两倍以上１０ｍｍ以下、且直径比所述衬底的直径和所述板的直径小的硅制造的板状部件构成，至少在所述支承部的载置所述衬底的衬底载置面上，设有由碳化硅、氮化硅、多晶硅、氧化硅、玻璃状碳、微晶金刚石中的任一种或多种材料构成的膜。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：中村直人，中村严，岛田智晴，石黑谦一，中嶋定夫，
申请(专利权)人：株式会社日立国际电气，
类型：发明
国别省市：JP[日本]