【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及在经由埋入氧化物层在单晶硅本体上形成单晶硅层(以下称为S0I 层)的S0I (绝缘体上硅薄膜)基板中，通过SIM0X (注氧隔离)技术进行SIM0X基板的制 造的方法以及由该方法得到的SIM0X基板。更具体地说，本专利技术涉及可以将起因于离子注 入或高温热处理的重金属污染有效地捕获在基板内部的SIM0X基板的制造方法以及由该 方法得到的SIM0X基板。
技术介绍
S0I基板的以下特性非常优异(1)可降低元件与基板间的寄生容量，因此可以使 器件动作实现高速化，(2)放射线耐压优异，(3)电介质分离容易，可以高集成化，并且(4) 可以提高耐闩锁的特性等。目前S0I基板的制造方法可大致分为两类。一种方法是将薄膜 化的活性晶片与支撑晶片贴合形成的贴合法，另一种方法是由晶片表面注入氧离子，在距 晶片表面规定深度的区域形成埋入氧化物层的SIM0X法。特别是SIM0X法制造步骤少，将 来有望成为有效的手段。SIM0X基板的制造方法由以下步骤构成将单晶硅基板的一个主面加工成镜面， 然后通过注入法，由该镜面加工面向基板中至规定深度注入氧离子的氧离子注入步骤；在 氧化...
【技术保护点】
ＳＩＭＯＸ基板的制造方法，该制造方法包含以下步骤：向硅晶片（１１）的内部注入氧离子的氧离子注入步骤；和在氧和惰性气体的混合气体气氛中，将上述晶片（１１）在１３００－１３９０℃进行第１热处理，由此在距上述晶片（１１）表面规定深度的区域形成埋入氧化物层（１２），同时在上述埋入氧化物层（１２）上的晶片表面形成ＳＯＩ层（１３）的第１热处理步骤；其中上述氧离子注入之前的硅晶片（１１）具有按照旧ＡＳＴＭ为９×１０↑［１７］－１．８×１０↑［１８］个原子／ｃｍ↑［３］的氧浓度，上述埋入氧化物层（１２）在晶片总体上或局部地形成；并且在上述氧离子注入步骤前或在上述氧离子注入步骤和上述第１热处...
【技术特征摘要】
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