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本发明涉及一种ＳＩＭＯＸ基板的制造方法以及由该方法得到的ＳＩＭＯＸ基板。本发明可以有效地将因离子注入或高温热处理而产生的重金属污染捕获到体层内部。该方法包含向晶片１１内部注入氧离子的步骤；在规定的气体气氛中，将晶片在１３００－１３９０℃进行...
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