一种可提高外延质量且降低成本的外延反应腔清洗方法技术

本发明专利技术提供了一种可提高外延质量且降低成本的外延反应腔清洗方法。现有技术采用在１０００摄氏度以上的高温下对反应腔进行３０分钟及其以上时间的氯化氢气体清洗，从而造成晶圆承载盘上表面颗粒扩散性的提高和使用寿命降低，进而在进行外延工艺时表面颗粒扩散至外延且在外延上形成堆垛层错。本发明专利技术先在１０００摄氏度以上的高温下对反应腔进行１０至２０分钟的氯化氢气体清洗，之后再将反应腔调控至沉积温度和沉积压力，并通入气态硅源在晶圆承载盘上沉积２０至１００纳米的多晶硅。本发明专利技术可将晶圆承载盘包覆起来，避免其表面颗粒在外延上形成堆垛层错且影响外延工艺的外延质量，另外可提高晶圆承载盘的使用寿命，有效降低成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种可提高外延质量且降低成本的外延反应腔清洗方法。
技术介绍
外延(Epitaxy,简称Epi)工艺是指在单晶衬底上生长一层与衬底具有相同晶格排列的单晶材料，外延层可以是同质外延层(例如Si/Si)，也可以是异质外延层(例如SiGe/Si或SiC/Si等)。19世纪50年代末，硅外延片成功用于制造高频大功率晶体管，并显示出其巨大的优越性。之后，硅外延片用途越来越广，在双极型器件中，不论是晶体管、功率管还是线性集成电路和数字集成电路，都使用硅外延片进行制造。对MOS器件而言，虽然较晚使用硅外延片，但其在解决CMOS电路中闩锁效应(Latch Up Effect)方面的优异表现使其在MOS器件中得到广泛应用。当前BiCMOS电路和一部分电荷耦合器件(CCD)也都采用硅外延片来制造。 外延工艺中常用的气态硅源为硅烷(SiH》、二氯硅烷(SiH2Cl2，简称DCS)和三氯硅烷(SiHCl3，简称TCS)，其中硅烷更适应沉积温度底的要求，反应中的载气一般选用氢气(H2)。影响硅外延层质量的四种缺陷为薄雾(haze)、滑移线(slipline)、堆跺层错(本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可提高外延质量且降低成本的外延反应腔清洗方法，其在外延工艺前或后进行，该外延反应腔中设置有晶圆承载盘，其特征在于，其包括以下步骤：ａ、调整反应腔温度至清洗温度；ｂ、向反应腔中通入氯化氢气体进行第一预设时段的清洗；ｃ、调整反应腔温度和压强使其分别至沉积温度和沉积压强；ｄ、向反应腔中通入气态硅源以在晶圆承载盘上沉积预设厚度的多晶硅。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄锦才，梅惠婷，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]