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本发明提供了一种可提高外延质量且降低成本的外延反应腔清洗方法。现有技术采用在１０００摄氏度以上的高温下对反应腔进行３０分钟及其以上时间的氯化氢气体清洗，从而造成晶圆承载盘上表面颗粒扩散性的提高和使用寿命降低，进而在进行外延工艺时表面颗粒扩散...该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。
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本发明提供了一种可提高外延质量且降低成本的外延反应腔清洗方法。现有技术采用在１０００摄氏度以上的高温下对反应腔进行３０分钟及其以上时间的氯化氢气体清洗，从而造成晶圆承载盘上表面颗粒扩散性的提高和使用寿命降低，进而在进行外延工艺时表面颗粒扩散...