【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种半导体结构的刻蚀方法 和金属互连层的形成方法。
技术介绍
随着对超大规模集成电路高集成度和高性能的需求逐渐增加，半导体技术向着65nm甚至更小特征尺寸的技术节点发展，图形曝光使用的光源波长也 越来越短，例如，使用具有193nm波长的ArF激光作为光源，曝光线宽65nm 以下集成电路的关键层图案，相应的，对ArF激光感光的光刻胶材料(简称 ArF光刻胶)在光刻工艺中也得到的广泛的使用。公开号为CN101131918A的中国专利申请提供了一种用于制作半导体装 置的方法，如图1所示，半导体基底(图未示)上已形成层间绝缘膜1、镶嵌 在层间绝缘膜1中的金属接触层2和层间绝缘膜1上的层间绝缘膜3，然后在 层间绝缘层3上旋涂光刻胶层4,该光刻胶层4采用单层的ArF光刻胶；对光 刻胶层4曝光、显影后在光刻胶层4上形成沟槽的图案，以图案化的光刻胶 层4为掩膜在层间绝缘膜3中利用等离子刻蚀法刻蚀出沟槽6，所述等离子刻 蚀法采用碳氟化合物例如C4F6、 C4F8为刻蚀气体，所述沟槽6用于填充金 属以形成金属互连层。但是，由于大多数ArF光...
【技术保护点】
一种半导体结构的刻蚀方法，其特征在于，包括： 提供半导体基底，所述基底上具有图案化的光刻胶层； 以所述光刻胶层为掩膜对所述基底进行等离子刻蚀，所述等离子刻蚀工艺至少采用三种碳氟化合物为刻蚀气体； 去除所述光刻胶层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：赵林林，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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