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本发明提供了一种半导体结构的刻蚀方法和金属互连层的形成方法，其中所述半导体结构的刻蚀方法包括：提供半导体基底，所述基底上具有图案化的光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜对所述基底进行等离子刻蚀，所述等离子刻蚀工艺至少采用三种碳氟化合物为刻蚀气体；...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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