The invention provides a high voltage electrostatic discharge protection diode in the process of making method, which comprises the following steps: N well is formed on the substrate material; a first N well injection area, second N well injection and P injection wells N well region is formed on the surface, the P well injection region located between the first N wells injection region and second N well injection zone; injection region and P wells in the first N well injection zone between the production of the first shallow trench, into the area and P wells in the second N well injection zone between the second shallow trench; shallow trench in the first and second shallow trench production is completed, ion injection of N well again, the the way for ion implantation under pressure field injected or lightly doped drain injection. The method provided by the invention reduces the resistance of the N well area, thereby reducing the on resistance of the diode and reducing the turn-on voltage of the diode, so that the diode can obtain better electrostatic protection effect.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于一种半导体工艺，尤其涉及一种高压工艺中静电放电保护二 极管的制作方法。
技术介绍
静电对于电子产品的伤害一直是不易解决的问题，当今流行的工艺技术是使用SCR (可控硅)作为ESD (静电放电)保护器件，如图1所示，现有的 SCR防静电保护结构，包括P型衬底6，在所述P型衬底6上包括有N阱4和 P阱5;在所述N阱4内包括有一个P型注入区8和一个N型注入区9以及隔 开二者的一个浅沟槽10;在所述P阱5内也包括有一个P型注入区2和一个 N型注入区3，不过在二者之间有若干二极管单元7，每个二极管单元由P型 注入区和N型注入区以及位于二者之间的浅沟槽组成(见图2)，其具体结构 容后详述。ESD电荷注入端(图中未示)与所述N阱4的P型注入区8和N型 注入区9相连接。P阱5中的P型注入区2， P阱5中的N型注入区3， N阱4 中的P型注入区8以及N型注入区9组成了 P-N-P-N四层半导体结构。这也 是导致金属氧化层晶体管闩锁效应问题的结构。在ESD的防护能力上，这种 结构能在最小的布局面积下，提供最高的ESD防护能力。其开启电压相当于N 阱4与P阱5的截面击穿...
【技术保护点】
一种高压工艺中静电放电保护二极管的制作方法，包括以下步骤：在衬底材料上形成Ｎ阱；在所述Ｎ阱表面形成第一Ｎ阱注入区、第二Ｎ阱注入区和Ｐ阱注入区，其中所述Ｐ阱注入区位于所述第一Ｎ阱注入区和所述第二Ｎ阱注入区之间；在所述第一Ｎ阱注入区和所述Ｐ阱注入区之间制作第一浅沟槽，在所述第二Ｎ阱注入区和所述Ｐ阱注入区之间制作第二浅沟槽；其特征在于：在所述第一浅沟槽和所述第二浅沟槽制作完成后，对所述Ｎ阱再次进行离子注入，所述离子注入方式为在高压环境下的场注入或轻掺杂漏注入。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：胡剑，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。