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本发明提供的一种高压工艺中静电放电保护二极管的制作方法，包括以下步骤：在衬底材料上形成Ｎ阱；在Ｎ阱表面形成第一Ｎ阱注入区、第二Ｎ阱注入区和Ｐ阱注入区，其中Ｐ阱注入区位于第一Ｎ阱注入区和第二Ｎ阱注入区之间；在第一Ｎ阱注入区和Ｐ阱注入区之间制作...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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