双向静电放电二极管结构制造技术

一种保护一个电路抗御静电放电（ＥＳＤ）的双向ＥＳＤ二极管。这种双向ＥＳＤ二极管中具有一个第一器件和一个第二器件，其每一个中包括有通过对一个半导体基底的掺杂而形成的具有Ｐ型导电性的一个第一区域和一个第三区域，以及通过对该半导体基底的掺杂而形成的具有Ｎ型导电性的一个第二区域和一个第四区域。第一器件的第一区域和第二器件的第四区域用于连接至双向二极管的阳极端上。第一器件的第四区域和第二器件的第一区域用于连接至双向二极管的阴极端上。阳极端用于连接至电路的信号端上，而阴极端用于连接至电路的正电源线上，又阴极端用于连接至电路的信号端上，而阳极端连接至地线上或者电路的负电源线上。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
交互参照有关的申请由Roy A.Colclaser和David M.Szmyd并此同时提出的、名称为“Improved ESD Diode(改进型ESD二极管)”的美国专利申请序列号U.S.Patent no.09/466，401，它转让予本文件的代理人，所包含的主题内容与本专利申请的主题内容相关联。本专利技术背景本专利技术的领域本专利技术涉及一种用于保护电路抗御静电放电(ESD)的装置，更具体地，涉及一种有着减小的结电容量的ESD二极管。先有技术的讨论附图说明图1示明了通常的、能抗御静电放电(ESD)的保护电路布置100。图中受保护的装置是电路110，它可以形成在一个集成电路或是芯片的一种半导体基底上。电路110的输入115和输出120分别连接至输入和输出缓冲垫125、130上，它们随后连接至集成电路或芯片的针脚上。典型地，电路110的输入115和输出120在抗静电放电(ESD)保护中应用了连接在输入/输出缓冲垫125、130与电源线之间的二极管D1、D2、D3和D4。电源线包括接地总线135和供电总线140，供电总线140连接至一个用于提供出称为Vcc正电压的电压源上。 如本技术领本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于保护电路（１１０）抗御静电放电（ＥＳＤ）的、具有四个相邻区域的双向器件（２１０’”），所述双向器件包含有： 在一个半导体基底上形成的具有Ｐ型导电性的第一区域（３１０Ｂ）和第三区域（３３０Ｂ）；以及 在所述半导体基底上形成的具有Ｎ型导电性的第二区域（３２０Ｂ）和第四区域（３４０Ｂ）； 其中，所述第一区域（３１０Ｂ）用于连接至所述双向器件（２１０’”）的阳极端（２４５）上，又其中，所述第四区域（３４０Ｂ）用于连接至所述双向器件（２１０’”）的阴极端（２５０）上， 所述阳极端（２４５）用于连接至所述电路（１１０）的信号端（１１５、１２０）上，而所述阴极端（２５０）用于...

【技术特征摘要】
US 1999-12-17 09/4664011.一种用于保护电路(110)抗御静电放电(ESD)的、具有四个相邻区域的双向器件(210''')，所述双向器件包含有在一个半导体基底上形成的具有P型导电性的第一区域(310B)和第三区域(330B)；以及在所述半导体基底上形成的具有N型导电性的第二区域(320B)和第四区域(340B)；其中，所述第一区域(310B)用于连接至所述双向器件(210''')的阳极端(245)上，又其中，所述第四区域(340B)用于连接至所述双向器件(210''')的阴极端(250)上，所述阳极端(245)用于连接至所述电路(110)的信号端(115、120)上，而所述阴极端(250)用于连接至所述电路(110)的正电源线(140)上，又所述阴极端(250)用于连接至所述信号端(115、120)上，而所述阳极端(245)用于连接至地线(135)上或者所述电路(110)的负电源线上；以及其中，所述第一区域(310B)中包括着一个具有N型导电性的第一部分(340C)，它用于连接至所述阳极(245)上，而所述[第四]区域中包括着一个具有P型导电性的第二部分，用于连接至所述阴极(250)上。2.权利要求1的双向器件(210''')，其中所述第二部分形成自所述第三区域(330B)面对所述阴极端(250)方向上的延伸。3.权利要求1的双向器件(210''')，还包含有形成在所述第一区域(310B)和所述第一部分(370C)上的一个第一导电层(370)，以及包含有形成在所述第四区域(340B)和所述第二部分上的一个第二导电层(375)。4.权利要求3的双向器件(210''')，其中，所述第一导电层(370)连接至所述阳极端(245)上，所述第二导电层(375)连接至所述阴极端(250)上。5.权利要求1的双向器件(210''')，其中所述第二、第三和第四区域(320B、330B和340B)在构造上产生出一个具有增大增益的NPN晶体管。6.权利要求1的双向器件(210''')，包含有一个连接在所述第三区域(330B)与所述阳极端(245)之间的电阻(R)。7.一种用于保护电路(110)抗御静电放电的双向二极管(210”)，它具有第一器件(210)和第二器件(210A)，所述第一器件(210)和所述第二器件(210A)之每一个包含有形成在一个半导体基底上具有P型导电性的第一区域(310、310A)和第三区域(330、330A)；形成在所述半导体基底上具有N型导电性的第二区域(320、320A)和第四区域(340、340A)；其中，所述第一器件(210)的第一区域(310)和所述第二器件(210A)的第四区域(340A)用于连接至所述双向二极管(210”)的阳极端(245)上，又所...

【专利技术属性】
技术研发人员：RA科尔克拉泽，DM希米德，
申请(专利权)人：皇家菲利浦电子有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]