The invention discloses an etching method includes providing a substrate, a dielectric layer, the dielectric layer includes an etch stop layer and the medium layer etch stop layer; first etching on the intermediate dielectric layer with a first etching gas, stop in the room with the medium layer; second gas on the etch stop layer and the intermediate dielectric layer second etching, a second etch stop on the etch stop layer; etching in second after the third also includes the use of gas on the etching stop layer third etching, the etching rate of third gas etching stop layer, etching gas is greater than second the rate of etching stop layer; etching rate of the etching rate intermediate medium layer on the medium layer is less than second of the third gas gas. The technical scheme of the invention uses different etching gases to selectively etch the dielectric layer, and can reduce the depression problem of the root of the intermediate dielectric layer after etching.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造
，具体涉及一种。
技术介绍
超大规模集成电路通常需要一层以上的金属层提供足够的互连能力， 因此金属层之间的互连，器件有源区与外界电路之间的连接通过已填充 导电材料的通孔或者沟槽实现，且为保证器件工作的稳定性，要求通孔 或者沟槽间无电连接，使得对通孔刻蚀工艺的严格控制变得非常重要。 随着器件的密集程度和工艺的复杂程度不断增加，这对通孔和沟槽刻蚀 工艺提出了更高的要求。目前，在半导体制造中，传统的形成接触孔的做法是通过刻蚀衬底的 介质层，在介质层中形成通孔，然后向接触孔中填入金属。通常介质层从衬底至介质表面方向依次包括刻蚀停止层及中间介质层。在刻蚀时， 首先对中间介质层进行主刻蚀，主刻蚀停止在中间介质层内；然后进行 过刻蚀，过刻蚀将剩余的中间介质层刻尽，或者为了保证中间介质层被 完全打开，过刻蚀在刻尽中间介质层之后继续对刻蚀停止层进行刻蚀， 刻蚀掉部分厚度的刻蚀停止层，最后再用其它方法去除剩余的刻蚀停止 层，这样就形成了沟槽或通孔。例如，在2008年3月12日公开的，公开号为CN101140882A的中国 专利申请中，公开了一种通孔...
【技术保护点】
一种刻蚀方法，包括： 提供一具有介质层的衬底，所述介质层包括刻蚀停止层和位于所述刻蚀停止层上的中间介质层； 用第一气体对所述中间介质层进行第一刻蚀，刻蚀停止在所述中间介质层内； 用第二气体对所述刻蚀停止层和所述中间介质层进 行第二刻蚀，其特征在于， 第二刻蚀停止在所述刻蚀停止层内； 在第二刻蚀之后还包括用第三气体对所述刻蚀停止层进行第三刻蚀，其中， 第三气体对刻蚀停止层的刻蚀速率，大于第二气体对刻蚀停止层的刻蚀速率；第三气体对中间介质层的刻蚀 速率小于第二气体对中间介质层的刻蚀速率。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王新鹏，沈满华，孙武，尹晓明，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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