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本发明公开了一种刻蚀方法，包括提供一具有介质层的衬底，所述介质层包括刻蚀停止层和位于所述刻蚀停止层上的中间介质层；用第一气体对所述中间介质层进行第一刻蚀，刻蚀停止在所述中间介质层内；用第二气体对所述刻蚀停止层和所述中间介质层进行第二刻蚀，第...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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