清洗方法及清洗机台技术

一种清洗方法，包括，配制包含清洗溶液和氧化溶液的混合溶液；利用所述混合溶液对运行于清洗机台中的所述基底执行清洗操作，所述混合溶液的配置过程是利用所述清洗机台在所述基底的运行过程中完成的，且配制所述混合溶液时放出热量。可增强清洗效果且不增加设备的能量消耗。本发明专利技术还提供了一种清洗机台，可增强清洗效果且不增加能量消耗。

Cleaning method and cleaning machine

Including a cleaning method, mixed solution containing cleaning solution and oxidation solution; the mixed solution performs the cleaning operation on the base of running on the cleaning machine in the configuration process, the mixed solution is the use of the cleaning machine in the basement of the operation process, and the preparation the mixed solution for heat. The cleaning effect can be enhanced without increasing the energy consumption of the equipment. The invention also provides a cleaning machine, which can enhance cleaning effect without increasing energy consumption.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种清洗方法及清洗机台
技术介绍
半导体制程中，为在位于晶片上的膜层内形成确定图形，需对所述膜层执行图形化操作，图形化所述膜层的步骤包括在所述膜层上形成抗 蚀剂层；对所述抗蚀剂层执行曝光、显影操作，形成图形化的抗蚀剂层； 以所述图形化的抗蚀剂层为掩模，刻蚀所述膜层。图形化所述膜层后， 需去除所述抗蚀剂层，以进行后续才喿作。当前，可采用干法(如氧气灰化法)工艺去除所述抗蚀剂层；为优化 所述抗蚀剂层的去除效果，通常采用干法与湿法(清洗)混合的工艺去 除所述抗蚀剂层，即，先利用干法工艺去除绝大部分抗蚀剂层，再利用 湿法工艺清洗经历干法工艺后的在制品。清洗作为半导体制程中的基本工艺，被广泛应用于半导体制造过程的 各个阶段。随着临界尺寸的逐渐缩小，采用湿法工艺去除所述抗蚀剂层 成为行业发展的趋势。通常，可采用槽式清洗(wet trench)或单片清 洗(single wafer clean)工艺执行所述清洗操:作。由于清洗效果优异、 清洗操作持续时间短，当前，通常采用单片清洗工艺执行所述清洗操作。业界一直致力于优化清洗效果的尝试，如2006年10月4本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种清洗方法，包括，配制包含清洗溶液和氧化溶液的混合溶液；利用所述混合溶液对运行于清洗机台中的所述基底执行清洗操作，其特征在于：所述混合溶液的配置过程是利用所述清洗机台在所述基底的运行过程中完成的，且配制所述混合溶液时放出热量。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘佑铭，何永根，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]