清洗方法及清洗机台技术

一种清洗方法，包括，配制包含清洗溶液和氧化溶液的混合溶液；利用所述混合溶液对运行于清洗机台中的所述基底执行清洗操作，所述混合溶液的配置过程是利用所述清洗机台在所述基底的运行过程中完成的，且配制所述混合溶液时放出热量。可增强清洗效果且不增加设备的能量消耗。本发明专利技术还提供了一种清洗机台，可增强清洗效果且不增加能量消耗。

Cleaning method and cleaning machine

Including a cleaning method, mixed solution containing cleaning solution and oxidation solution; the mixed solution performs the cleaning operation on the base of running on the cleaning machine in the configuration process, the mixed solution is the use of the cleaning machine in the basement of the operation process, and the preparation the mixed solution for heat. The cleaning effect can be enhanced without increasing the energy consumption of the equipment. The invention also provides a cleaning machine, which can enhance cleaning effect without increasing energy consumption.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种清洗方法及清洗机台
技术介绍
半导体制程中，为在位于晶片上的膜层内形成确定图形，需对所述膜层执行图形化操作，图形化所述膜层的步骤包括在所述膜层上形成抗 蚀剂层；对所述抗蚀剂层执行曝光、显影操作，形成图形化的抗蚀剂层； 以所述图形化的抗蚀剂层为掩模，刻蚀所述膜层。图形化所述膜层后， 需去除所述抗蚀剂层，以进行后续才喿作。当前，可采用干法(如氧气灰化法)工艺去除所述抗蚀剂层；为优化 所述抗蚀剂层的去除效果，通常采用干法与湿法(清洗)混合的工艺去 除所述抗蚀剂层，即，先利用干法工艺去除绝大部分抗蚀剂层，再利用 湿法工艺清洗经历干法工艺后的在制品。清洗作为半导体制程中的基本工艺，被广泛应用于半导体制造过程的 各个阶段。随着临界尺寸的逐渐缩小，采用湿法工艺去除所述抗蚀剂层 成为行业发展的趋势。通常，可采用槽式清洗(wet trench)或单片清 洗(single wafer clean)工艺执行所述清洗操:作。由于清洗效果优异、 清洗操作持续时间短，当前，通常采用单片清洗工艺执行所述清洗操作。业界一直致力于优化清洗效果的尝试，如2006年10月4日^^布的^^开 号为"CN 1842896A"的中国专利申请中提供的一种清洗方法，公开了利 用SPM (硫酸和双氧水的混合溶液)及SC1 (氨水和双氧水的混合溶液) 溶液顺序或同时清洗半导体基底表面的金属粒子及抗蚀剂层的方法。实践中，如图l所示，应用上述方法执行所述清洗操作的步骤包括 配制包含清洗溶液和氧化溶液的混合溶液；利用配制的所述混合溶液对 运行于清洗机台中的所述基底执行清洗操作。然而，实际生产发现，对于经历离子注入操作的抗蚀剂层，在经历离子注入操作后，应用上述方法去除所述抗蚀剂层时，清洗效果不佳；虽 然，提高温度有助于增强清洗效果；但是，将清洗温度提高至150摄氏度 时执行上述清洗操作，效果仍然不佳；此外，单纯通过增加温度而增强 清洗效果，需增加设备的能量消耗；因此，如何利用现有的能量消耗增 强清洗效果成为本领域技术人员亟待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术提供了 一种清洗方法，可增强清洗效果且不增加设备的能量 消耗；本专利技术提供了一种清洗机台，可增强清洗效果且不增加能量消耗。本专利技术提供的一种清洗方法，包括，配制包含清洗溶液和氧化溶液 的混合溶液；利用所述混合溶液对运行于清洗机台中的所述基底执行清洗操作，所述混合溶液的配置过程是利用所述清洗机台在所述基底的运 行过程中完成的，且配制所述混合溶液时放出热量。可选地，所述清洗溶液包含碌^酸或氨水；可选地，所述清洗溶液包 含碌u酸和双氧水；可选地，所述清洗溶液包含氨水和双氧水；可选地， 所述氧化溶液包含双氧水或臭氧的水溶液中的一种或其组合。一种清洗机台，包括，承载台和液体管路，流经所述液体管路的清 洗溶液和氧化溶液清洗位于所述承载台上的基底；所述液体管路包括至 少两个入口和至少一个出口 ，所述清洗溶液和氧化溶液经由不同入口进 入所述液体管路。可选地，所述清洗^L台还包括混合装置，所述出口与所述混合装置 连通；可选地，所述清洗机台还包括氧化气体发生装置和气体管路，所 述气体管路的一端与所述发生装置连通，所述气体管路的另一端与所述 液体管路或混合装置连通；可选地，生成的氧化气体经由所述气体管路 溶入所述清洗溶液及/或水溶液；可选地，所述氧化气体发生装置为臭 氧发生器。与现有技术相比，上述技术方案具有以下优点上述技术方案提供的清洗方法，通过采用现场调配的方式通入混合溶 液，以利用调配混合溶液时放出的热量，增加所述混合溶液的温度，使 在不增加能量耗用的前提下增强清洗效果成为可能；上述技术方案提供的清洗方法的可选方式，在通入混合溶液时，通过 采用臭氧的水溶液替代双氧水，由于所述臭氧可利用臭氧发生器连续地 提供，减少了易耗品双氧水的投入量，可进一步降低生产成本；上述技术方案提供的清洗机台，通过使所述清洗溶液和氧化溶液经由 不同入口进入所述液体管路，可采用现场调配的方式通入混合溶液，以 利用调配混合溶液时放出的热量，增加所述混合溶液的温度，使在不增 加能量耗用的前提下增强清洗效果成为可能；上述技术方案提供的清洗机台的可选方式，通过引入溶液混合装置， 可使现场调配的混合溶液混合均匀，可使调配后的混合溶液与调好后才 引入的混合溶液之间的区别只在于温度的变化，可使在不增加能量耗用 的前"l是下进一 步增强清洗效果成为可能；上述技术方案提供的清洗机台的可选方式，通过引入臭氧发生器，可 利用臭氧发生器连续地提供臭氧以形成氧化溶液，进而与酸性/碱性清洗 溶液形成混合溶液，可减少易耗品双氧水的投入量，进一步降低生产成 本。附图说明图1为说明现有^&术中清洗方法的示意图2为说明本专利技术实施例的清洗方法的示意图3为说明本专利技术实施例的混合溶液温度与清洗溶液占其质量比的 函数关系图4为说明本专利技术清洗机台第一实施例的结构示意图； 图5为说明本专利技术清洗机台第二实施例的结构示意图；图6为说明本专利技术清洗机台第三实施例的结构示意图。 具体实施例方式尽管下面将参照附图对本专利技术进行更详细的描述，其中表示了本发 明的优选实施例，应当理解本领域技术人员可以修改在此描述的本专利技术 而仍然实现本专利技术的有利效果。因此，下列的描述应当被理解为对于本 领域技术人员的广泛教导，而并不作为对本专利技术的限制。为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细 描述公知的功能和结构，因为它们会使本专利技术由于不必要的细节而混 乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实 现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实 施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和 耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本专利技术。根据下列 说明和权利要求书本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均 采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用以方便、明晰地辅助 说明本专利技术实施例的目的。通常，实践中，清洗基底之前，需预先配制包含清洗溶液和氧化溶 液的混合溶液；继而，利用配制的所述混合溶液对运行于清洗机台中的 所述基底执行清洗操作。但是，实际生产发现，对于经历离子注入操作的抗蚀剂层，在经历 离子注入操作后，应用上述方法去除所述抗蚀剂层时，清洗效果不佳； 虽然，提高温度有助于增强清洗效果；但是，将清洗温度提高至150摄 氏度时执行上述清洗操作，效果仍然不佳；此外，单纯通过增加温度而 增强清洗效果，需增加设备的能量消耗；因此，如何利用现有的能量消 耗增强清洗效果成为本专利技术解决的主要问题。本专利技术的专利技术人分析后认为，若以增加温度而增强清洗效果作为基本点，则解决问题的关键在于如何在不增加设备的能量消耗的前提下增 加所述混合溶液的温度。本专利技术的专利技术人经历分析与实践后认为，若通过选取清洗溶液和氧 化溶液，使其在配制所述混合溶液时放出热量，如果能利用此放出的热 量增加所述混合溶液的温度，则可使增加所述混合溶液的温度时不增加 设备的能量消耗。由此，如图2所示，本专利技术的专利技术人提供了一种清洗方法，包括，配制包含清洗溶液和氧化溶液的混合溶液；利用所述混合溶液对运行于 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种清洗方法，包括，配制包含清洗溶液和氧化溶液的混合溶液；利用所述混合溶液对运行于清洗机台中的所述基底执行清洗操作，其特征在于：所述混合溶液的配置过程是利用所述清洗机台在所述基底的运行过程中完成的，且配制所述混合溶液时放出热量。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘佑铭，何永根，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]