清洗装置及其使用方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种清洗装置及其使用方法，属于显示领域。所述清洗装置包括：喷出组件，喷出组件包括两个结构件，两个结构件之间形成有间隙，间隙的大小能够调节，清洗液能够从间隙向待清洗结构的待清洗表面喷出，且清洗液的喷出方向与待清洗表面存在倾角。本发明专利技术解决了基板清洗的效果较差的问题，提高了清洗的效果，本发明专利技术用于基板的清洗。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示领域，特别涉及一种清洗装置及其使用方法。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示屏(英文：ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay；简称：TFT-LCD)因其体积小、功耗低、无辐射等特点得到了广泛的应用。薄膜晶体管液晶显示屏包括至少一个基板，在制造薄膜晶体管液晶显示屏时，需要使用清洗装置对基板进行清洗。相关技术中，清洗装置包括多个喷嘴和加压器，喷嘴能够喷出清洗液，加压器能够向喷嘴喷出的清洗液加压。在使用清洗装置清洗基板时，首先控制该多个喷嘴朝向基板的待清洗表面喷清洗液，然后控制加压器向每个喷嘴喷出的清洗液加压，使得基板上的杂质能够在压力较大的清洗液的冲洗下，脱离基板的待清洗表面，完成对基板的清洗。由于相关技术中，加压器向多个喷嘴喷出的清洗液施加的压力不同，使得喷嘴喷出的清洗液对基板表面各个位置的清洗力度不同，因此，基板清洗的效果较差。
技术实现思路
为了解决基板清洗的效果较差的问题，本专利技术提供了一种清洗装置及其使用方法。所述技术方案如下：一方面，提供了一种清洗装置，所述清洗装置包括：喷出组件，所述喷出组件包括两个结构件，所述两个结构件之间形成有间隙，所述间隙的大小能够调节，清洗液能够从所述间隙向待清洗结构的待清洗表面喷出，且所述清洗液的喷出方向与所述待清洗表面存在倾角。可选的，所述清洗装置还包括：第一控制组件，所述第一控制组件与所述>两个结构件中的至少一个结构件连接，用于调节所述间隙的大小。可选的，所述第一控制组件用于控制所述两个结构件中的至少一个结构件移动，调节所述间隙的大小。可选的，所述第一控制组件还用于控制所述喷出组件沿预设轴线转动，改变所述清洗液的喷出方向。可选的，所述两个结构件均为块状结构，且所述两个结构件相互靠近的面为相互平行的平面，所述相互平行的平面形成间隙。可选的，所述清洗装置还包括：检测组件，所述检测组件与所述第一控制组件相连接，所述检测组件用于检测所述待清洗表面的微粒数量，在检测到的微粒数量大于预设数量阈值时，将所述检测到的微粒数量发送至所述第一控制组件；所述第一控制组件用于根据所述检测到的微粒数量，减小所述间隙，所述间隙的大小与所述检测到的微粒数量成反比。可选的，所述清洗装置还包括：两块防溅板，所述喷出组件位于所述两块防溅板之间，且所述两块防溅板分别位于在所述两个结构件所在的两侧。可选的，所述喷出组件上喷出所述清洗液的位置为出液位置，所述两个结构件中存在至少一个结构件靠近所述出液位置的一端为楔形结构，且所述楔形结构的尖端靠近所述出液位置。可选的，所述两个结构件中的至少一个结构件能够发生弹性形变。可选的，所述清洗装置还包括第二控制组件和两个平行导轨，所述待清洗结构位于所述两个平行导轨之间，所述待清洗结构能够沿所述两个平行导轨的延伸方向运动，所述喷出组件设置在所述两个平行导轨上，所述第二控制组件用于控制所述喷出组件在所述两个平行导轨上沿所述两个平行导轨的延伸方向运动，所述喷出组件的运动方向与所述待清洗结构的运动方向相反。可选的，所述检测组件为红外摄像组件或电荷耦合器件CCD摄像组件。可选的，所述清洗装置还包括：加压组件，所述加压组件用于向所述清洗液加压。另一方面，提供了一种清洗装置的使用方法，所述清洗装置包括：喷出组件，所述喷出组件包括两个结构件，所述两个结构件之间形成有间隙，所述间隙的大小能够调节，所述方法包括：控制清洗液从所述间隙向待清洗结构的待清洗表面喷出，所述清洗液的喷出方向与所述待清洗表面存在倾角。可选的，所述清洗装置还包括：第一控制组件，所述第一控制组件与所述两个结构件中的至少一个结构件连接，所述方法还包括：通过控制所述第一控制组件调节所述间隙的大小。可选的，所述通过控制所述第一控制组件调节所述间隙的大小，包括：通过控制所述第一控制组件控制所述两个结构件中的至少一个结构件移动，调节所述间隙的大小。可选的，所述方法还包括：通过控制所述第一控制组件控制所述喷出组件沿预设轴线转动，改变所述清洗液的喷出方向。可选的，所述清洗装置还包括：检测组件，所述检测组件与所述第一控制组件相连接，所述方法还包括：控制所述检测组件检测所述待清洗表面的微粒数量；控制所述检测组件在检测到的微粒数量大于预设数量阈值时，将所述检测到的微粒数量发送至所述第一控制组件；控制所述第一控制组件根据所述检测到的微粒数量，减小所述间隙，所述间隙的大小与所述检测到的微粒数量成反比。可选的，所述清洗装置还包括第二控制组件和两个平行导轨，所述待清洗结构位于所述两个平行导轨之间，所述待清洗结构能够沿所述两个平行导轨的延伸方向运动，所述喷出组件设置在所述两个平行导轨上，在所述控制清洗液从所述间隙向待清洗结构的待清洗表面喷出之后，所述方法还包括：通过控制所述第二控制组件控制所述喷出组件在所述两个平行导轨上沿所述两个平行导轨的延伸方向运动，所述喷出组件的运动方向与所述待清洗结构的运动方向相反。可选的，所述清洗装置还包括：加压组件，在所述控制清洗液从所述间隙向待清洗结构的待清洗表面喷出之前，所述方法还包括：控制所述加压组件向所述清洗液加压。本专利技术提供了一种清洗装置及其使用方法，在清洗装置中，喷出组件包括两个结构件，该两个结构件之间形成有间隙，且间隙的大小能够调节，清洗液能够从间隙向待清洗结构的待清洗表面喷出。在需要向清洗液加压时，可以将两个结构件形成的间隙调小，在需要向清洗液减压时，可以将两个结构件形成的间隙调大，且间隙中喷出的清洗液向待清洗表面各个位置的冲击力相同，因此，在控制清洗装置对待清洗表面进行清洗的过程中，喷嘴喷出的清洗液对待清洗表面各个位置的清洗力度相同，提高了清洗的效果。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术实施例提供的一种清洗装置的结构示意图；图2是本专利技术实施例提供的另一种清洗装置的结构示意图；图3是本专利技术实施例提供的又一种清洗装置的结构示意图；图4是本专利技术实施例提供的一种清洗装置的使用方法的方法流程图；图5是本专利技术实施例提供的另一种清洗装置的使用方法的方法流本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种清洗装置，其特征在于，所述清洗装置包括：喷出组件，所述喷出组件包括两个结构件，所述两个结构件之间形成有间隙，所述间隙的大小能够调节，清洗液能够从所述间隙向待清洗结构的待清洗表面喷出，且所述清洗液的喷出方向与所述待清洗表面存在倾角。

【技术特征摘要】
1.一种清洗装置，其特征在于，所述清洗装置包括：喷出组件，所述喷出
组件包括两个结构件，
所述两个结构件之间形成有间隙，所述间隙的大小能够调节，清洗液能够
从所述间隙向待清洗结构的待清洗表面喷出，且所述清洗液的喷出方向与所述
待清洗表面存在倾角。
2.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所述清洗装置还包括：
第一控制组件，所述第一控制组件与所述两个结构件中的至少一个结构件连接，
用于调节所述间隙的大小。
3.根据权利要求2所述的清洗装置，其特征在于，
所述第一控制组件用于控制所述两个结构件中的至少一个结构件移动，调
节所述间隙的大小。
4.根据权利要求2所述的清洗装置，其特征在于，所述第一控制组件还用
于控制所述喷出组件沿预设轴线转动，改变所述清洗液的喷出方向。
5.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所述两个结构件均为块
状结构，且所述两个结构件相互靠近的面为相互平行的平面，所述相互平行的
平面形成间隙。
6.根据权利要求2所述的清洗装置，其特征在于，所述清洗装置还包括：
检测组件，所述检测组件与所述第一控制组件相连接，
所述检测组件用于检测所述待清洗表面的微粒数量，在检测到的微粒数量
大于预设数量阈值时，将所述检测到的微粒数量发送至所述第一控制组件；
所述第一控制组件用于根据所述检测到的微粒数量，减小所述间隙，所述
间隙的大小与所述检测到的微粒数量成反比。
7.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所述清洗装置还包括：
两块防溅板，
所述喷出组件位于所述两块防溅板之间，且所述两块防溅板分别位于在所
述两个结构件所在的两侧。
8.根据权利要求7所述的清洗装置，其特征在于，所述喷出组件上喷出所
述清洗液的位置为出液位置，所述两个结构件中存在至少一个结构件靠近所述
出液位置的一端为楔形结构，且所述楔形结构的尖端靠近所述出液位置。
9.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所述两个结构件中的至
少一个结构件能够发生弹性形变。
10.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所述清洗装置还包括
第二控制组件和两个平行导轨，所述待清洗结构位于所述两个平行导轨之间，
所述待清洗结构能够沿所述两个平行导轨的延伸方向运动，所述喷出组件设置
在所述两个平行导轨上，
所述第二控制组件用于控制所述喷出组件在所述两个平行导轨上沿所述两
个平行导轨的延伸方向运动，所述喷出组件的运动方向与所述待清洗结构的运
动方向相反。
11.根据权利要求6所述的清洗装置，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：井杨坤，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11