晶圆测试参数的限值确定方法技术

本发明专利技术提供了一种晶圆测试参数的限值确定方法，将良率测试参数与可接受测试参数相结合，将可接受测试参数分为与良率测试参数相关和与良率测试参数不相关的类型，对于与良率测试参数相关的可接受测试参数，根据不同的可接受测试参数对良率影响程度的不同，对可接受测试参数的限值范围进行界定，提高了报警的准确性，减少了误报漏报，节省了人力和时间，节约了成本。

Method for determining limits of wafer test parameters

The invention provides a wafer test parameter determination method of limit, will yield acceptable test parameters and test parameters combination, the acceptable test parameters are divided into types with good correlation rate and yield test parameters and test parameters are not related, for testing parameters and Yield Related acceptance test according to different parameters, the acceptable test parameters have different effects on the rate of good, acceptable test parameters limit the definition range, improve alarm accuracy, reduce the false positives and false negatives, save time and manpower, cost savings.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种集成电路或半导体工艺中测试参数的限值确定方法，特别 是涉及一种晶圆可接受测试参数的限值确定方法。
技术介绍
通常晶圓在制造出来之后，在进入后续切割封装之前，需要对其进行拣 选测试，通过拣选测试将最小的单元，即晶粒分类，将有缺陷或是不具备正 常工作能力的晶粒标注上记号，并在切割晶圓时将这些晶粒过滤出来丢弃， 避免不良的晶粒进入封装及后续制程，造成成本的无端浪费。拣选测试通常包括晶圓可接受测试(WAT, wafer acceptance test)和电3各探测(CP， Circuit Probe )。WAT检测步骤在完成晶圆前期生产之后，以及在晶圆切割和封装之前， 用来保证一旦出现由于晶圆前期生产中的差错而使晶粒无法正常工作的情 况，可以通过WAT提前将其检测出来，以节省成本。由于WAT所测试的项 目中，包含了许多项破坏性测试，如果直接应用于晶粒之上，必会造成对晶 粒的破坏，从而影响出厂时的良率(yield),因此通常会在制作晶粒时，在 每个晶粒与晶粒之间的空隙，也就是切割道(scribe line)上，制作测试结构 (test key )。 WAT测试就是通过对这些测试结构的检测，从而推断其附近晶 粒中元件的工作性能是否完好。通常所说的WAT参数是指，对这些元件进行 电性能测量所得到的数据，例如连结性测试、阈值电压、漏极饱和电流等。CP是良率测试的一种方式。良率测试是根据不同的客户需求，对每个晶 粒进行某些特定的功能性测试。具体地来说，CP是对每一个晶粒进行一连串 的功能通过(pass)/失败(fail)测试，例如开/短路测试、扫描测试、系统自建功能性测试等。其中，成功通过某项功能性测试而达到客户所要求的质量 标准的晶粒就称为合格的晶粒，合格的晶粒占所有晶粒中的百分比就是良率。 对于CP测试参数，即使知道故障原因，也很难确定是由产线上的哪些或 者哪一个步骤所造成的。而晶片的生产步骤多则上百，对每一道工序或者每一个参数进行监控也是不现实的。 一般地，工程师往往通过对WAT参数的监控，来侦察前期的生产过程中是否存在足以影响产品品质的疏漏。因此，如何设定WAT参数的限值范围对于能否准确判断WAT参数至关重要。现有监 控手段中，对于WAT参数限值范围，往往只根据该WAT参数是否出现过问 题来调整，对于曾经出现过问题的WAT参数就采用较紧的范围，对于未出现 过问题的WAT参数则按照常规较宽的限值范围。这样的界定方式使限值范围 不是过于宽泛，就是过于收紧，前者容易错过发现问题的良机，后者则会产 生误报，浪费大量人力和时间。另外，由于机台设备校准或者工艺参数设置不够优化等原因，对晶圓切 割道上的元件的电性测试往往会出现不太一致的结果，也就是WAT参数会发 生一定的漂移。当这种漂移处在控制范围以内，也就是并没有造成CP良率的 下降时，可以认为这种漂移是正常的。然而现有监控手段中， 一旦WAT参数 发生漂移，就会发出警告，造成大量误报。
技术实现思路
本专利技术要解决的问题是提供一种，准确地 界定WAT参数的限值，减少误报率，提高准确率和生产效率。基于上述目的，本专利技术提供了一种晶圆参数的限值确定方法，包括在 晶圓的良率测试参数与可接受测试参数相关的情况下，根据所述可接受测试 参数和良率测试参数的测量值，确定所述良率测试参数以及所述可接受测试 参数的相关性趋势；确定将晶圓分成正向组和负向组的分界值，使与所述相 关性趋势一致的组内具有最多数量的晶圓；其中，所述分界值对应于可接受测试参数和良率测试参数；所述正向组晶圆包括具有正常可接受测试参数和不合格良率测试参数的晶圓以及具有异常可接受测试参数和合格良率测试参 数的晶圆，所述负向组晶圓包括具有异常可接受测试参数和不合格良率测试参数的晶圓以及具有正常可接受测试参数和合格良率测试参数的晶圆；将所 述确定的分界值对应的可接受测试参数的值作为所述可接受测试参数的限 值。可选的，在所述确定所述良率测试参数以及所述可接受测试参数的相关 性趋势之前，对测量值进行去噪处理。可选的，所述去噪处理采用光滑样条算法。可选的，所述确定所述良率测试参数以及所述可接受测试参数的相关性 趋势的过程中，所述可接受测试参数与所述良率测试参数对应最相关。可选的，通过下述步骤确定与每项良率测试参数对应最相关的可接受测 试参数比较所述一组可接受测试参数与同一项良率测试参数的相关系数值， 所述相关系数值最大的可接受测试参数为与所述对应良率测试参数最相关的 可接受测试参数；对每项良率测试参数进行所述比较，得到与每项良率测试 参数最相关的可接受测试参数。可选的，所述确定所述良率测试参数以及所述可接受测试参数的相关性试参数进行拟合，所拟合得到的曲线趋势为所述相关性趋势。可选的，所述相关性趋势包含正向相关、负向相关以及同时包含正向相 关和负向相关的非线性相关。可选的，在所述相关性趋势为同时包含正向相关和负向相关的非线性相 关的情况下，将晶圓分为所述良率测试参数与所述可接受测试参数分别具有 正向相关和负向相关的情况，分别计算所述两种情况下对应的可接受测试参数的限值。可选的，所述确定将晶圓分成正向组和负向组的分界值，包括将与所 述相关性趋势一致的组内的晶圓数量和与所述相关性趋势一致的组内的晶圓 数量的比值最大化，或者将与所述相关性趋势一致的组内的晶圓数量和与所 述相关性趋势一致的组内的晶圓数量的比值最小化，得到所述分界值。可选的，通过下述步骤确定所述晶圆的良率测试参数与可接受测试参数相关计算所述良率测试参数与所述可接受测试参数的相关系数值，并与第 一设定值比较，大于所述第一设定值，则对应的所述可接受测试参数与对应 的所述良率测试参数相关。可选的，所述第一设定值为0.4。可选的，在晶圓的良率测试参数与可接受测试参数不相关的情况下，根据 所述晶圓的良率测试参数和可接受测试参数的测量值，将测量值中位值与预 定间值的和值与设定幅值上限值进行比较，取较小的一方为所述可接受测试 参数的上限值；比较测量值中位值与预定间值的差值与设定幅值下限值，取 较大的一方为所述可接受测试参数的下限值；将所述限值范围作为所述可接 受测试参数的值的限值范围。可选的，所述预定间值是指四分位数间距与第二设定值的乘积。可选的，所述第二设定值可以为4或5 。可选的，所述四分位数间距是指第一四分位数与第三四分位数之间的差值。相较于现有技术，本专利技术有效地将良率测试参数和WAT参数相结合，采 用与良率测试参数的相关性对WAT参数进行过滤，区分出重点监控参数对象， 并根据不同的WAT参数对良率影响的不同对WAT参数的限值范围进行控制， 改变了现有技术比较单一的限值范围界定方式，根据WAT参数的不同情况，从良率的角度灵活地对WAT参数进行监控，避免了现有技术常有的误报和漏 报，提高了准确性，更节省了大量人力和时间，节约了成本。另外，本专利技术 在确定WAT参数限制范围之前，对所获得的WAT参数以及良率测试参数进 行优化，去除了噪音的干扰，从而使结果更加精确。附图说明图1是本专利技术晶圓测试参凄i:监控方法的实施方式流程图2是本专利技术晶圓测试参数监控方法一种具体实施方式的流程图3是本专利技术晶圓测试参数监控方法一种实施例的流程图4是本专利技术晶圓测试参数监控方法实施方式中，优化本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶圆测试参数的限值确定方法，其特征在于，包括：　在晶圆的良率测试参数与可接受测试参数相关的情况下，根据所述可接受测试参数和良率测试参数的测量值，确定所述良率测试参数以及所述可接受测试参数的相关性趋势；　确定将晶圆分成正向组和 负向组的分界值，使与所述相关性趋势一致的组内具有最多数量的晶圆；其中，所述分界值对应于可接受测试参数和良率测试参数；所述正向组晶圆包括具有正常可接受测试参数和不合格良率测试参数的晶圆以及具有异常可接受测试参数和合格良率测试参数的晶圆，所述负向组晶圆包括具有异常可接受测试参数和不合格良率测试参数的晶圆以及具有正常可接受测试参数和合格良率测试参数的晶圆；　将所述确定的分界值对应的可接受测试参数的值作为所述可接受测试参数的限值。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆测试参数的限值确定方法，其特征在于，包括在晶圆的良率测试参数与可接受测试参数相关的情况下，根据所述可接受测试参数和良率测试参数的测量值，确定所述良率测试参数以及所述可接受测试参数的相关性趋势；确定将晶圆分成正向组和负向组的分界值，使与所述相关性趋势一致的组内具有最多数量的晶圆；其中，所述分界值对应于可接受测试参数和良率测试参数；所述正向组晶圆包括具有正常可接受测试参数和不合格良率测试参数的晶圆以及具有异常可接受测试参数和合格良率测试参数的晶圆，所述负向组晶圆包括具有异常可接受测试参数和不合格良率测试参数的晶圆以及具有正常可接受测试参数和合格良率测试参数的晶圆；将所述确定的分界值对应的可接受测试参数的值作为所述可接受测试参数的限值。2. 如权利要求1所述的限值确定方法，其特征在于，在所述确定所述良率测 试参数以及所述可接受测试参数的相关性趋势之前，对测量值进行去噪处理。3. 如权利要求2所述的限值确定方法，其特征在于，所述去噪处理采用光滑 样条算法。4. 如权利要求1所述的限值确定方法，其特征在于，所述确定所述良率测试 参数以及所述可接受测试参数的相关性趋势的过程中，所述可接受测试参数 与所述良率测试参数对应最相关。5. 如权利要求4所述的卩艮值确定方法，其特征在于，通过下述步骤确定与每 项良率测试参数对应最相关的可接受测试参数比较所述一组可接受测试参 数与同一项良率测试参数的相关系数值，所述相关系数值最大的可接受测试 参数为与所述对应良率测试参数最相关的可接受测试参数；对每项良率测试 参数进行所述比较，得到与每项良率测试参数最相关的可接受测试参数。6. 如权利要求1所述的限值确定方法，其特征在于，所述确定所述良率测试参数以及所述可接受测试参数的相关性趋势，包括采用对优化的所述良率测试参数以及所述与其对应的可接受测试参数进行拟合，所拟合得到的曲线 趋势为所述相关性趋势。7. 如权利要求1所述的限值确定方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：林光启，张霞峰，黄珺，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]