薄膜晶体管液晶显示器像素结构及阵列基板制造技术

本发明专利技术提供了一种薄膜晶体管液晶显示器像素结构，包括数据线、栅极扫描线、以及像素区域，数据线与栅极扫描线交叠形成交叠区域，其特征在于，该像素结构还包括静电消除区域，该静电消除区域依次由与栅极扫描线连接的栅极扫描线金属层、用于使所述栅极扫描线金属层与数据线金属层互不连接的隔绝层、以及与数据线连接的数据线金属层构成。本发明专利技术同时提供了一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板，该像素结构和阵列基板能够保护栅极扫描线和数据线的交叠区域，降低所述交叠区域发生击穿的概率。

Thin film transistor liquid crystal display pixel structure and array substrate

The present invention provides a thin film transistor liquid crystal display pixel structure includes a data line, a grid scanning line and a pixel area, the data line and the grid scanning wire are overlapped to form an overlapped area, which is characterized in that the pixel structure includes electrostatic eliminating region, the electrostatic eliminating region followed by the gate metal layer, scanning line connected with the grid scan line for the grid scanning line and the data line metal layer metal layers are not mutually connected, the isolation layer and the data line metal layer is connected with the data line form. The invention also provides a thin film transistor array substrate for liquid crystal display device, the overlapping area of the pixel structure and the array substrate can protect the grid scanning lines and data lines, reduce the probability of breakdown of the overlapped area between the.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及薄膜晶体管(TFT)液晶显示器(LCD)阵列基板，尤其涉及 薄膜晶体管液晶显示器像素结构及阵列基板。
技术介绍
目前，世界已进入信息革命时代，显示技术及显示器件在信息技术的发展 过程中占据了十分重要的地位。而由于平板显示具有重量轻、厚度薄、体积小、 无辐射、不闪烁等优点，已成为显示技术发展的方向。在平板显示技术中，TFTLCD具有功耗低、无辐射等特点，因此，在平板 显示器巿场中占据了主导地位。图1为传统TFT LCD阵列基板像素结构示意图，如图1所示，数据线2 和栅极扫描线1存在交叠区域7。众所周知，在像素区外围的短路环(图中未 示出)，分别与图示的栅极扫描线1和数据线2相连，以防止栅极扫描线1和数 据线2中的电荷不平衡，发生击穿。但是，该短路环(图中未示出)是在TFTLCD 阵列基板的最后工艺中形成，在之前的工艺中并不能对栅极扫描线1和数据线 2起保护作用，因此，在前工艺的基板搬送、清洗等工艺环节所造成的数据线2、 以及栅极扫描线1上的静电累积，将无法得到释放平衡，在实际的生产中，常 发生栅极扫描线l和数据线2的交叠区域7发生击穿的现象，甚至在沟道部分 (图中未示出)发生击穿。一旦交叠区域7发生击穿，通常的维修方法是先用激光(Laser)断掉部分 数据线2,后通过化学气相沉积(CVD)修复桥接，以使阵列基板能够正常使 用，维修过程比较复杂。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的主要目的在于提供一种薄膜晶体管液晶显示器像素结 构及阵列基板，能够保护栅极扫描线和数据线的交叠区域，降低所述交叠区域 发生击穿的概率。为达到上述目的，本专利技术的技术方案是这样实现的本专利技术提供了一种薄膜晶体管液晶显示器像素结构，包括数据线、栅极扫 描线、以及像素区域，数据线与栅极扫描线交叠形成交叠区域，该像素结构还 包括静电消除区域，该静电消除区域依次由与栅极扫描线连接的栅极扫描线金 属层、用于使所述栅极扫描线金属层与数据线金属层互不连接的隔绝层、以及 与数据线连接的数据线金属层构成。其中，所述静电消除区域中栅极扫描线金属层与数据线金属层之间的距离， 不大于交叠区域中数据线与栅极扫描线之间的距离。所述隔绝层为位于栅极扫描线金属层与数据线金属层之间的栅极绝缘层；或者，所述隔绝层为位于所述栅极扫描线金属层之上的栅极绝缘层、以及位于 栅极绝缘层与数据线金属层之间的有源层组合成的复合层。所述静电消除区域位于数据线与栅极扫描线的交叠区域附近。像素结构中包括至少 一个所述静电消除区域。本专利技术同时提供了 一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板，包括栅极扫描线、 数据线、以及像素区域，数据线与栅极扫描线交叠形成交叠区域，该阵列基板 还包括静电消除区域，所述静电消除区域由与栅极扫描线连接的栅极扫描线金 属层、用于使所述栅极扫描线金属层与数据线金属层互不连接的隔绝层、以及 与数据线连接的数据线金属层构成。其中，每个栅极扫描线与数据线的交叠区域附近包括至少一个所述静电消 除区域。每条数据线连接至少一个所述静电消除区域、且每条栅极扫描线连接至少5一个所述静电消除区域。所述静电消除区域中栅极扫描线金属层与数据线金属层之间的距离，不大 于所述交叠区域中数据线与栅极扫描线之间的距离。本专利技术所提供的像素结构及阵列基板，在数据线和栅极扫描线交叠区域附 近，增加静电消除区域，该静电消除区域的结构与所述交叠区域的结构可以相 同，也可以不同，静电消除区域中的栅极扫描线金属层与数据线金属层互不连 接，其中，当栅极扫描线金属层与数据线金属层之间的距离与交叠区域中数据 线与栅极扫描线之间的距离相同时，在发生静电累积造成栅极扫描线和数据线 上的电荷不平衡时，通过所述静电消除区域，可以降低所述交叠区域发生击穿 的概率；或者，当栅极扫描线金属层与数据线金属层之间的距离比交叠区域中 数据线与栅极扫描线之间的距离小时，静电消除区域较所述交叠区域更容易发 生击穿，这时，在发生静电累积造成栅极扫描线和数据线上的电荷不平衡时， 首先由增加的静电消除区域发生击穿，更好的降低了所述交叠区域发生击穿的 概率。而且， 一旦所述静电消除区域发生击穿，由于静电消除区域在像素结构中并不起任何作用，只需在后续检测维修工艺中，使用Laser,断开该静电消除区 域与数据线、以及栅极扫描线的连接即可，维修简单。附图说明图1为现有技术中传统TFT LCD阵列基板像素结构示意图； 图2为本专利技术TFTLCD阵列基板像素结构示意图； 图3为A-A截面示意图； 图4为B-B截面示意图；图5为图2所示TFT LCD阵列基板像素结构的制造方法流程示意图。 附图标记1、栅极扫描线；2、数据线；3、有源层；4、静电消除区域；5、 栅极绝缘层；6、钝化层；7、交叠区域。具体实施方式本专利技术的基本思想是在数据线和栅极扫描线交叠区域附近，增加一个静 电消除区域，该静电消除区域中栅极扫描线金属层与数据线金属层通过隔绝层 互不连接。以下，通过具体实施例结合附图详细说明本专利技术TFT LCD像素结构及阵列 基板的实现。图2为本专利技术TFTLCD阵列基板像素结构示意图，如图2所示，相邻的两 条数据线2和相邻的两条栅极扫描线l相互交叠，定义出一个像素区域，每个 像素结构均包括数据线2、栅极扫描线1以及所述像素区域，具体像素区域中 包括何种结构属于公知技术，这里不再赘述。在本专利技术中，在数据线2和栅极 扫描线1的交叠区域7附近，增加另外一个静电消除区域4。静电消除区域4 的A-A截面图如图3所示，由栅极扫描线金属层(与栅极扫描线l相连)、栅 极绝缘层5、以及数据线金属层(与数据线2相连)构成。对比如图4所示的 现有技术以及本专利技术所提供的像素结构中数据线2和栅极扫描线1的交叠区域 7的B-B截面图，交叠区域7在数据线2和栅极扫描线1之间形成有有源层3 和栅极绝缘层5，而静电消除区域4在栅极扫描线金属层和数据线金属层之间， 只有栅极绝缘层5 (厚度一般为2000 ~ 8000埃)，而没有有源层3 (厚度一般为 500~5000埃)，栅极扫描线金属层和数据线金属层之间的距离更短，因此，与 数据线2和栅极扫描线1的交叠区域7相比，增加的静电消除区域4为更易发 生击穿的区域。因此，当发生静电累积，造成栅极扫描线1和数据线2电荷不 平衡时，首先是根据本专利技术方案提供的静电消除区域4发生击穿。 一旦静电消 除区域4发生击穿后，在后续检测维修工艺中，使用Laser,断开该静电消除区 域4与栅极扫描线1、以及数据线2的连接即可，维修简单。其中，图2所示的静电消除区域4的结构也可以与交叠区域7的结构相同， 即栅极扫描线金属层与数据线金属层之间包括栅极绝缘层5以及有源层3, 这时，只要保证栅极扫描线金属层与数据线金属层之间的距离不大于交叠区域7中栅极扫描线1与数据线2之间的距离，同样可以完成本专利技术的专利技术目的。 但是，当栅极扫描线金属层与数据线金属层之间的距离小于交叠区域7中栅极扫描线1与数据线2之间的距离时，本专利技术所述的静电消除区域4将较交叠区 域7更容易发生击穿，能够取得更好的专利技术效果。同样的，在现有技术中，数据线2与栅极扫描线1的交叠区域7中，栅极 扫描线1与数据线2之间也可以不包括有源层3,此时交叠区域7的结构与图3 所示的静电消除区域4的结构相同，这时，本本文档来自技高网...

【技术保护点】
薄膜晶体管液晶显示器像素结构，包括数据线、栅极扫描线、以及像素区域，数据线与栅极扫描线交叠形成交叠区域，其特征在于，该像素结构还包括静电消除区域，该静电消除区域依次由与栅极扫描线连接的栅极扫描线金属层、用于使所述栅极扫描线金属层与数据线金属层互不连接的隔绝层、以及与数据线连接的数据线金属层构成。

【技术特征摘要】
1、薄膜晶体管液晶显示器像素结构，包括数据线、栅极扫描线、以及像素区域，数据线与栅极扫描线交叠形成交叠区域，其特征在于，该像素结构还包括静电消除区域，该静电消除区域依次由与栅极扫描线连接的栅极扫描线金属层、用于使所述栅极扫描线金属层与数据线金属层互不连接的隔绝层、以及与数据线连接的数据线金属层构成。2、 根据权利要求l所述的像素结构，其特征在于，所述静电消除区域中栅极扫描线金属层与数据线金属层之间的距离，不大于交叠区域中数据线与栅极 扫描线之间的距离。3、 根据权利要求2所述的像素结构，其特征在于，所述隔绝层为位于栅 极扫描线金属层与数据线金属层之间的栅极绝缘层；或者，所述隔绝层为位于所述栅极扫描线金属层之上的栅极绝缘层、以及位于 栅极绝缘层与数据线金属层之间的有源层组合成的复合层。4、 根据权利要求1至3任一项所述的像素结构，其特征在于，所述静电消 除区域位于数据线与栅极扫描线的交叠区域附近。5、 根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭志龙，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]