液晶显示面板及其像素结构制造技术

本发明专利技术提供一种液晶显示面板及其像素结构，该像素结构包括一基板，包括多个像素区域，各所述像素区域包括一亮区与一暗区，且各所述暗区包括一第一耦合电容区与一第二耦合电容区；多个开关元件，分别设置于各所述像素区域之内；多个像素电极图案，分别设置于各所述像素区域之内，且各所述像素电极图案包括一第一像素电极设于所述亮区之内，以及一第二像素电极设于所述暗区之内，其中各所述第一像素电极与各所述开关元件的一漏极电性连接；多个第一耦合电容，分别设置于各所述第一耦合电容区之内；以及多个第二耦合电容，分别设置于各所述第二耦合电容区之内，且各所述第一耦合电容与位于同一暗区内的各所述第二耦合电容以并联方式连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术关于一种液晶显示面板及其像素结构，尤指一种具有并联耦合电容设计而可改善色偏(color washout)问题并提高开口率的液晶显示面板及其像 素结构。
技术介绍
液晶显示器由于具有外型轻薄、耗电量少以及无辐射污染等特性，所以 被广泛地应用在笔记本计算机(notebook)、个人计算机显示器与个人数字助理 (personal digital assistant, PDA)等信息产品上，并已逐渐取代传统阴极射线管 电视，成为家用电视商品的主流。相较于传统阴极射线管显示器，液晶显示器具有视角不够宽广的限制， 因此近年来液晶显示器的发展不断朝向广视角技术的方向发展，例如多区域 垂直配向技术(MVA)的成熟，已使得液晶显示器的视角大幅提升。然而，仅管 液晶显示器的视角问题已获得改善，却衍生出新的问题，亦即在大视角方向 观看液晶显视器的画面时会有颜色偏白或伽玛曲线偏移的问题， 一般称此现 象为色偏。色偏现象为目前广视角液晶显示器发展上的一大限制，因此如何 在不影响开口率的情况下改善色偏问题，为液晶显示器在发展上的重要课题。
技术实现思路
本专利技术的目的之一在于提供一种液晶显示面板及其像素结构，以解决液 晶显示器在大视角观看时的色偏问题，并增加开口率。为达上述目的，本专利技术提供一种像素结构。上述像素结构包括一基板，包括多个像素区域，各该像素区域包括一亮区与一暗区，且各该暗区包括一第一耦合电容区与一第二耦合电容区； 多个开关元件，分别设置于各该像素区域之内；多个像素电极图案，分别设置于各该像素区域之内，且各该像素电极图 案包括一第一像素电极设于该亮区之内，以及一第二像素电极设于该暗区之 内，其中各该第一像素电极与各该开关元件的一漏极电性连接；多个第一耦合电容，分别设置于各该第一耦合电容区之内；以及多个第二耦合电容，分别设置于各该第二耦合电容区之内，且各该第一 耦合电容与位于同一暗区内的各该第二耦合电容以并联方式连接。为达上述目的，本专利技术另提供一种像素结构。上述像素结构形成于一基 板的一像素区域上，该像素区域包括一亮区与一暗区，且该亮区与该暗区中 分别各包括一液晶配向区域，该像素结构包括一开关元件，设置于该像素区域之内；一第一像素电极，设置于该亮区内，且电性连接至该开关元件；一耦合电极，设置于该暗区内，电性连接至该开关元件，该耦合电极具 有一第一耦合电极部与一第二耦合电极部，且该第二耦合电极部与该暗区的 该液晶配向区域对应；一第二像素电极，设置于该暗区内，该第二像素电极跟该第一耦合电极 部与该第二耦合电极部分别耦合形成一第一耦合电容与一第二耦合电容。为达上述目的，本专利技术又提供一种液晶显示面板。上述液晶显示面板具 有多个像素区域，各该像素区域包括一亮区与一暗区，且该亮区与该暗区中 各分别包括一液晶配向区域，该液晶显示面板包括一第一基板，具有多个像素结构，分别设置于对应的该像素区域，各该 像素结构包括-一开关元件，分别设置于该像素区域之内；一第一像素电极，设置于该亮区内，且电性连接至该开关元件；一耦合电极，设置于该暗区内，电性连接至该开关元件，该耦合电极具 有一第一耦合电极部与一第二耦合电极部，且该第二耦合电极部是与该暗区 的该液晶配向区域对应；一第二像素电极，设置于该暗区内，该第二像素电极跟该第一耦合电极 部与该第二耦合电极部分别耦合形成一第一耦合电容与一第二耦合电容；一第二基板，与该第一基板对向配置，该第二基板的各该液晶配向区域 上设置有一液晶配向结构；以及一液晶层，设置于该第一基板与该第二基板之间。本专利技术液晶显示面板的像素区域包括一亮区与一暗区，其中亮区的第一 像素电极直接与漏极电性连接，而暗区的第二像素电极则利用耦合电容方式 使得第二像素电极的电压会小于第一像素电极的电压，如此一来可以有效解 决色偏的问题。另外由于第二耦合电容的位置对应位于液晶配向结构的下方， 因此不会影响开口率。附图说明图-1为本专利技术各穿透式液晶显示面板的实施例的电路示意图。图2至图4为本专利技术一较佳实施例的液晶显示面板的示意图。图5为本专利技术另一实施例液晶显示面板的像素结构的示意图。图6为本专利技术又一实施例液晶显示面板的像素结构的示意图。图7为本专利技术各半穿透半反射型液晶显示面板的实施例的电路示意图。图8为本专利技术再一实施例液晶显示面板的像素结构的示意图。附图标号10 像素区域 12 亮区14 暗区 16 液晶配向区域18 液晶配向区域 20 第一基板21 接触洞 22G 栅极22S源极22D漏极23半导体层24栅极绝缘层25、 26介电层27绝缘层28第一接触洞29垫层30第一耦合电容区31第四接触洞32第二耦合电容区33A第一耦合电极部33B第二耦合电极部34A第一像素电极34B第二像素电极35透明导电图案36第一层金属图案37反射电极38第一电容介电层40第二层金属图案42第二电容介电层44第二接触洞46第三接触洞50第二基板52黑色矩阵图案54彩色滤光层56共通电极58液晶配向结构60液晶层具体实施方式本专利技术的液晶显示面板的主要特征之一为各像素区域包括一亮区与一暗 区，其中亮区的像素电极直接与开关元件的漏极电性连接，藉此与上基板的 共通电极形成一较大电位差以驱动液晶分子，而暗区的像素电极则未与漏极 电性连接，而是利用设置两个或以上的并联耦合电容与上基板的共通电极形 成一较小电位差以驱动液晶分子。通过上述方式，像素区域可提供一亮区与 一暗区，以解决大视角观看液晶显示器时的色偏问题。参考图1。图1为本专利技术各穿透式液晶显示面板的实施例的电路示意图。如图1所示，液晶显示面板包括多条扫描线SL、多条数据线DL，以及多个 像素区域Pix，其中各像素区域Pix中包括一开关元件，例如一薄膜晶体管TFT。像素区域Pix区分为一亮区B与一暗区D，其中亮区B具有一第一像 素电极，而暗区D具有一第二像素电极，且第一像素电极与第二像素电极均 设于下基板上。薄膜晶体管TFT的漏极直接与亮区B的第一像素电极电连接， 因此在亮区B中第一像素电极与设于上基板的共通电极构成一第一液晶电容 Clcl，且亮区B中另设置有至少一储存电容Cst。另一方面在暗区D中漏极并 未直接与第二像素电极电连接，而是利用由漏极延伸出的导电图案与第二像 素电极形成一第一耦合电容Ccl与一第二耦合电容Cc2，且第一耦合电容Ccl 与第二耦合电容Cc2以并联方式连接，而并联的第一耦合电容Ccl与第二耦 合电容Cc2再共同与上基板的共通电极构成一第二液晶电容Clc2。请参考图2至图4。图2至图4为本专利技术一较佳实施例的液晶显示面板的 示意图，其中本实施例以多区域垂直配向液晶显示面板为例说明本专利技术，但 本专利技术的应用并不限于此而可为其它型式的液晶显示面板，另外图2为像素 结构的上视图，图3为图2的像素结构沿剖面线AA'的剖面示意图，图4为 图2的像素结构沿剖面线BB'的剖面示意图。如图2至图4所示，本实施例 的液晶显示面板具有多个像素区域IO(为方便说明起见，图中仅绘示出一个像 素区域)，其中各像素区域10包括一亮区12与一暗区14，且亮区12与暗区 14中各分别包括一液晶配向区域16、 18。液晶显示面板包括一第一基板20， 第一基板20具有多个像素结构，分别与像素区域10对应，且各像素结构包 括一扫本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素结构，其特征在于，所述像素结构包括：一基板，包括多个像素区域，各所述像素区域包括一亮区与一暗区，且各所述暗区包括一第一耦合电容区与一第二耦合电容区；多个开关元件，分别设置于各所述像素区域之内；多个像素电极图案 ，分别设置于各所述像素区域之内，且各所述像素电极图案包括一第一像素电极设于所述亮区之内，以及一第二像素电极设于所述暗区之内，其中各所述第一像素电极与各所述开关元件的一漏极电性连接；多个第一耦合电容，分别设置于各所述第一耦合电容区之内 ；以及多个第二耦合电容，分别设置于各所述第二耦合电容区之内，且各所述第一耦合电容与位于同一暗区内的各所述第二耦合电容以并联方式连接。

【技术特征摘要】
1.一种像素结构，其特征在于，所述像素结构包括一基板，包括多个像素区域，各所述像素区域包括一亮区与一暗区，且各所述暗区包括一第一耦合电容区与一第二耦合电容区；多个开关元件，分别设置于各所述像素区域之内；多个像素电极图案，分别设置于各所述像素区域之内，且各所述像素电极图案包括一第一像素电极设于所述亮区之内，以及一第二像素电极设于所述暗区之内，其中各所述第一像素电极与各所述开关元件的一漏极电性连接；多个第一耦合电容，分别设置于各所述第一耦合电容区之内；以及多个第二耦合电容，分别设置于各所述第二耦合电容区之内，且各所述第一耦合电容与位于同一暗区内的各所述第二耦合电容以并联方式连接。2. 如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构另包括多 个导电图案，分别与各所述开关元件的所述漏极电性连接、多个第一层金属 图案，分别设置于各所述第一耦合电容区之内，以及多个第二层金属图案， 分别设置于各所述第一耦合电容区之内与各所述第二耦合电容区之内。3，如权利要求2所述的像素结构，其特征在于，于各所述第一耦合电容 区中，各所述第二像素电极、各所述第二层金属图案与各所迷第一层金属图 案为电性相连，并构成各所述第一耦合电容的一上电极，而各所述导电图案 构成各所述第一耦合电容的一下电极。4. 如权利要求3所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构另包括多 个第」电容介电层，分别设置于各所述导电图案与各所述第一层金属图案之间。5. 如权利要求2所述的像素结构，其特征在于，于各所述第二耦合电容 区中，各所述第二像素电极构成各所述第二耦合电容的一上电极，而各所述 第二层金属图案与各所述导电图案电性相连，并构成各所述第二耦合电容的 一下电极。6. 如权利要求5所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构另包括多 个第二电容介电层，分别设置于各所述第二像素电极与各所述第二层金属图 案之间。7. 如权利要求2所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构另包括多 个透明导电图案，分别设置于各所述第二耦合电容区之内，且各所述透明导 电图案与各所述导电图案电性连接。8. 如权利要求7所述的像素结构，其特征在于，于各所述第二耦合电容 区中，各所述第二像素电极构成各所述第二耦合电容的一上电极，而各所述 第二层金属图案与各所述透明导电图案电性相连，并构成各所述第二耦合电 容的一下电极。9. 如权利要求6所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构另包括一绝缘层设置于所述这些像素电极与所述这些第二电容介电层之间。10. 如权利要求9所述的像素结构，其特征在于，所述绝缘层与各所述第 二电容介电层于各所述第一耦合电容区中分...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕英齐，程琮钦，胡至仁，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]