用于共平面开关模式液晶显示器的阵列基板及其制造方法技术

本发明专利技术涉及用于共平面开关模式液晶显示器件的阵列基板，包括：在基板上的栅线；与栅线交叉的数据线；设置在数据线之上并连接到数据线上的辅助数据线；连接到栅线和数据线上的薄膜晶体管；设置在像素区中并连接到薄膜晶体管上的多个像素电极；以及多个公共电极，包括邻近数据线的第一公共电极和第二公共电极，以及在第一公共电极和第二公共电极之间的第三公共电极，所述第三公共电极与多个像素电极交替排列。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于共平面开关(IPS)模式液晶显示(LCD)器件的阵列基板，更具体地涉及具有修复图案的用于IPS模式LCD器件的阵列基板以及该阵列基板的制造方法。
技术介绍
相关技术的液晶显示(LCD)器件利用液晶分子的光学各向异性和极化特性。由于液晶分子具有细而长的形状，液晶分子具有确定的排列方向。能够通过施加穿过液晶分子的电场来控制液晶分子的排列方向。换句话说，当电场的强度或方向改变时，液晶分子的排列也改变。由于液晶分子的光学各向异性，入射光基于液晶分子的取向而折射，所以能够通过控制光的透射率来显示图像。最近，由于被称作有源矩阵LCD(AM-LCD)器件的包括作为开关元件的薄膜晶体管(TFT)的LCD器件具有高分辨率和显示动态图像的极好特性，因此AM-LCD器件已经得到广泛应用。AM-LCD器件包括阵列基板、滤色片基板以及置于其间的液晶层。阵列基板可以包括像素电极和TFT，滤色片基板可以包括滤色片层和公共电极。通过像素电极和公共电极之间的电场来驱动AM-LCD器件。然而，由于AM-LCD器件使用垂直电场，因此AM-LCD器件具有很差的视角。IPS模式LCD器件可以用于解决上述问题。图1为根据相关技术的IPS模式LCD器件的横截面图。如图1所示，阵列基板和滤色片基板间隔开并彼此相对。阵列基板包括第一基板10、公共电极17以及像素电极30。尽管未示出，阵列基板可以包括TFT、栅线以及数据线。滤色片基板包括第二基板9、滤色片层(未示出)，等等。液晶层11置于第一基板10和第二基板9之间。由于公共电极17和像素电极30在同一水平面上形成在第一基板10上，因此在公共电极17和像素电极30之间产生水平电场“L”。图2A和2B为显示根据相关技术的IPS模式LCD器件开/关状态的横截面图。如图2A所示，当将电压施加于IPS模式LCD器件时，在公共电极17和像素电极30上方的液晶分子11a不改变。但是，由于水平电场“L”，在公共电极17和像素电极30之间的液晶分子11b水平排列。由于液晶分子按照水平电场排列，因此IPS模式LCD器件具有宽视角的特性。图2B示出了当未将电压施加于IPS模式LCD器件时的状态。因为在公共电极17和像素电极30之间未产生电场，所以液晶分子11的排列不改变。图3为示出根据相关技术的用于IPS模式LCD器件的阵列基板的平面图。如图3所示，栅线43、公共线47和数据线60形成在第一基板40上。公共线47平行于栅线43并与栅线43间隔开。数据线60与栅线43交叉以限定像素区P。TFT Tr包括栅极45、半导体层(未示出)、源极53和漏极55并且形成在栅线43和数据线60的交叉点上。栅极45连接到栅线43。栅极45可以为一部分栅线43。源极53连接到数据线60上并与漏极55间隔开。此外，多个像素电极70a和70b以及多个公共电极49a和49b形成在像素区p中。多个像素电极70a和70b以及多个公共电极49a和49b彼此平行并交替排列。多个像素电极70a和70b通过漏接触孔67连接到漏极55上。多个公共电极49a和49b连接到公共线47上。多个公共电极49a和49b可以从公共线47延伸出。如上所述，由于公共电极和像素电极之间的水平电场，图3的IPS模式LCD器件具有宽视角。然而，这存在一些问题。具体地说，当在制造过程中例如数据线的电线断开时，很难修复断开的数据线，于是产品率降低。而且，尽管在图3中未示出，但是由于栅绝缘层和钝化层置于公共电极和像素电极之间，因此在公共电极和像素电极之间的电场未完全水平，从而将液晶分子驱动成难以预料的排列。此外，因为由栅绝缘层和钝化层而引起的公共电极和像素电极之间大量电场减少，所以耗电量增加。
技术实现思路
因此，本专利技术致力于提供一种用于IPS模式LCD器件的阵列基板及其制造方法，其能够基本上克服因相关技术的局限和缺点而带来的一个或多个问题。本专利技术的附加优点和特征将在后面的说明书中得以阐明，部分从说明书中会显而易见地得到，或者可通过本专利技术的实践得知。本专利技术的目的和其他优点可通过书面说明书及其权利要求以及附图中具体指出的结构来实现和得到。为了实现这些和其它优点，按照本专利技术的目的，在此作为具体和广义的描述，一种用于共平面开关模式液晶显示器件的阵列基板包括在基板上的栅线；与栅线交叉的数据线；设置在数据线之上并连接到数据线上的辅助数据线；连接到栅线和数据线上的薄膜晶体管；设置在像素区中并连接到薄膜晶体管上的多个像素电极；以及多个公共电极，包括邻近数据线的第一公共电极和第二公共电极，以及在第一公共电极和第二公共电极之间的第三公共电极，所述第三公共电极与多个像素电极交替排列。根据本专利技术的另一方面，一种制造用于共平面开关模式液晶显示器件的阵列基板的方法，包括在基板上形成栅线、栅极、公共线、第一公共电极和第二公共电极，栅极连接到栅线上，第一公共电极和第二公共电极连接到公共线上；在栅线、栅极、公共线、第一公共电极和第二公共电极上形成栅绝缘层；形成在栅绝缘层上的半导体层、在半导体层上并彼此间隔开的源极和漏极、和连接到源极上并与栅线交叉的数据线；在源极、漏极和数据线上形成钝化层，钝化层具有暴露数据线的数据接触孔、暴露漏极的漏接触孔、和暴露第一公共电极和第二公共电极的公共接触孔；以及在钝化层上形成多个像素电极、第三公共电极和辅助数据线，多个像素电极和第三公共电极设置在第一公共电极和第二公共电极之间并彼此交替排列，多个像素电极通过漏接触孔连接到漏极上，第三公共电极通过公共接触孔连接到第一公共电极和第二公共电极上，辅助数据线通过数据接触孔连接到数据线上。根据本专利技术的再一方面，一种制造用于共平面开关模式液晶显示器件的阵列基板的方法，包括在基板上形成栅线、连接到栅线上的栅极以及公共线；在栅线、栅极和公共线上形成栅绝缘层；形成在栅绝缘层上的半导体层、在半导体层上并彼此间隔开的源极和漏极、和连接到源极上并与栅线交叉的数据线；在源极、漏极和数据线上形成钝化层，钝化层具有暴露数据线的数据接触孔、暴露漏极的漏接触孔、和暴露公共线的公共接触孔；以及在钝化层上形成多个像素电极、第一公共电极、第二公共电极、第三公共电极以及辅助数据线，多个像素电极和第三公共电极设置在第一公共电极和第二公共电极之间并彼此交替排列，多个像素电极通过漏接触孔连接到漏极上，第一公共电极和第二公共电极通过公共接触孔连接到公共线上，第三公共电极连接到第一公共电极和第二公共电极上，辅助数据线通过数据接触孔连接到数据线上。应该理解，上面的概括性描述和下面的详细描述都是示意性和解释性的，意欲对本专利技术的权利要求提供进一步的解释。附图说明本申请所包括的附图用于提供对本专利技术的进一步理解，并且包括在该申请中而作为本申请的一部分，示出了本专利技术的实施方式并且连同说明书一起用于解释本专利技术的原理。图1为根据相关技术的IPS模式LCD器件的横截面图。图2A和2B为示出根据相关技术的IPS模式LCD器件的开/关状态的横截面图。图3为示出根据相关技术的用于IPS模式LCD器件的阵列基板的平面图。图4为示出根据本专利技术第一个实施方式的用于IPS模式LCD器件的阵列基板的平面图。图5为沿图4的线V-V提取的横截面图。图6为沿图4的线VI-VI提取的横截面图。图7为示出根本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于共平面开关模式液晶显示器件的阵列基板，包括：在基板上的栅线；与栅线交叉的数据线；设置在数据线之上并连接到数据线上的辅助数据线；连接到栅线和数据线上的薄膜晶体管；设置在像素区中并连接到薄膜晶体管上的多个像素电极；以及多个公共电极，包括邻近数据线的第一公共电极和第二公共电极，以及在第一公共电极和第二公共电极之间的第三公共电极，所述第三公共电极与多个像素电极交替排列。

【技术特征摘要】
KR 2006-6-21 10-2006-00557811.一种用于共平面开关模式液晶显示器件的阵列基板，包括在基板上的栅线；与栅线交叉的数据线；设置在数据线之上并连接到数据线上的辅助数据线；连接到栅线和数据线上的薄膜晶体管；设置在像素区中并连接到薄膜晶体管上的多个像素电极；以及多个公共电极，包括邻近数据线的第一公共电极和第二公共电极，以及在第一公共电极和第二公共电极之间的第三公共电极，所述第三公共电极与多个像素电极交替排列。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，第一公共电极和第二公共电极形成在与数据线和辅助数据线不同的层中。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一公共电极和第二公共电极是由与栅线相同的材料形成，并与栅线形成在同一层中。4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第三公共电极、多个像素电极和辅助数据线是由相同的材料形成，并形成在同一层中。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第三公共电极包括氧化铟锡和氧化铟锌中的一种。6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，多个公共电极、多个像素电极以及辅助数据线是由相同的材料形成，并形成在同一层中。7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，多个公共电极包括氧化铟锡和氧化铟锌中的一种。8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述辅助数据线具有等于或小于数据线的宽度。9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，多个像素电极和多个公共电极基本平行于数据线。10.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，多个像素电极和多个公共电极具有至少一个弯曲部分。11.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，进一步包括具有至少两个数据接触孔并置于数据线和辅助数据线之间的钝化层，其中，两个数据接触孔对应于数据线的两端，辅助数据线通过两个数据接触孔连接到数据线上。12.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，进一步包括基本平行于栅线的公共线，其中，多个公共电极连接到公共线上。13.根据权利要求12所述的阵列基板，其特征在于，进一步包括具有暴露第一公共电极和第二公共电极的公共接触孔的钝化层，其中，第一和第二公共电极从公共线延伸出，在钝化层上的第三公共电极通过公共...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐范植，金志源，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]