一种高纯氮化硅的回收方法技术

本发明专利技术涉及光伏或半导体领域中的一种氮化硅的回收方法，特别是一种高纯氮化硅的回收方法，回收得到的高纯氮化硅可以再次应用于多晶硅生产用坩埚涂层的制备或其他领域；采用废弃的石英坩埚表面的氮化硅涂层作为氮化硅原料，氮化硅原料含有二氧化硅、硅、金属等杂质，其特征在于：将氮化硅原料经过化学溶液处理后得到高纯氮化硅；氮化硅原料的纯度以重量计含有氮化硅５０％－９９．９８％，二氧化硅、硅、金属等杂质０．０２％－５０％；不仅实现了高纯氮化硅的回收，还解决了固体废弃物的污染问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光伏或半导体领域中的一种氮化硅的回收方法，特别是，回收得到的高纯氮化硅可以再次应用于多晶硅生产用坩埚涂层的制备或其 他领域。
技术介绍
在多晶硅的生产铸造过程中，由于制备工艺的需要，需要在石英坩埚表面涂覆高 纯氮化硅涂层。现有技术中，多晶硅完成铸锭后，多晶硅锭会与表面涂覆有高纯氮化硅涂层 的石英坩埚脱离，一般被称为脱模。多晶硅锭脱模后，表面涂覆有高纯氮化硅涂层的石英坩 埚被当作废弃物处理。由于石英坩埚涂层用的高纯氮化硅价格昂贵，来源有限，而且多晶硅 生产的需求量较大，因此，表面涂覆有高纯氮化硅涂层的石英坩埚被当作废弃物处理不仅 造成资源浪费，同时还造成了固体废弃物的污染。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供，不仅实现了高纯氮 化硅的回收，还解决了固体废弃物的污染问题。 本专利技术的技术方案为 —种高纯氮化硅的回收方法，采用废弃的石英坩埚表面的氮化硅涂层作为氮化硅 原料，氮化硅原料含有二氧化硅、硅、金属等杂质，其中将氮化硅原料经过化学溶液处理后 得到高纯氮化硅；氮化硅原料的纯度以重量计含有氮化硅50% -99. 98%，二氧化硅、硅、金 属等杂质0. 02%本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高纯氮化硅的回收方法，采用废弃的石英坩埚表面的氮化硅涂层作为氮化硅原料，氮化硅原料含有二氧化硅、硅、金属等杂质，其特征在于：将氮化硅原料经过化学溶液处理后得到高纯氮化硅；氮化硅原料的纯度以重量计含有氮化硅５０％－９９．９８％，二氧化硅、硅、金属等杂质０．０２％－５０％。

【技术特征摘要】
一种高纯氮化硅的回收方法，采用废弃的石英坩埚表面的氮化硅涂层作为氮化硅原料，氮化硅原料含有二氧化硅、硅、金属等杂质，其特征在于将氮化硅原料经过化学溶液处理后得到高纯氮化硅；氮化硅原料的纯度以重量计含有氮化硅50％-99.98％，二氧化硅、硅、金属等杂质0.02％-50％。2. 如权利要求1所述的一种高纯氮化硅的回收方法，采用废弃的石英坩埚表面的氮化硅涂层作为氮化硅原料，氮化硅原料含有二氧化硅、硅、金属等杂质，其特征在于其操作步骤为将氮化硅涂层从废弃的石英坩埚上分离得到氮化硅原料；将氮化硅原料经过化学溶液处理后；用纯水将氮化硅冲洗至pH = 6-7 ;干燥后得到高纯氮化硅。3. 如权利要求1或2所述的一种高纯氮化硅的回收方法，其特征在于化学溶液可以采用PH等于或大于8的碱性水溶液来去除氮化硅原料中的二氧化硅、硅杂质。4. 如权利要求1或2所述的一种高纯氮化硅的回收方法，其特征在于化学溶液可以采用氢氟酸溶液来去除氮化硅原料中的二氧化硅杂质。5. 如权利要求1或2所述的一种高纯氮化硅的回收方法，其特征在于化学溶液可以采用氢氟酸或氢氟酸与硝酸的混合酸溶液来去除氮化硅原料中的硅杂质。6. 如...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡动力，吕东，何亮，
申请(专利权)人：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司，
类型：发明
国别省市：36[中国|江西]