制备氮化硅的方法技术

一种制备氮化硅的方法，包括下列步骤，通入保护气体并检测晶圆表面的氧气浓度；若所检测的氧气浓度小于或等于安全浓度，则对晶圆加热；在对晶圆加热之后，在晶圆表面生长氮化硅，其中所述安全浓度为警戒浓度与未能检测到的氧气浓度的预估值的差。所述制备氮化硅的方法中设定的安全浓度由于预留了对于未能检测到的氧气浓度的余量，因而保证了晶圆表面的氧气浓度不会超标，避免了由于氧气浓度超标而影响氮化硅生长工艺的质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及制备氮化硅的方法。
技术介绍
随着技术的进步，当今世界已经有了各种各样的电子器件产品。这些产品所需要的条件越来越严格，既要提高样式和性能，也要重视长期的可靠性。而应用于电子器件产品的各种半导体器件，有可能就会因为暴露于大气中，而容易损坏。而一旦这些半导体器件损坏，就会影响电子器件的可靠性。因此对于上述的半导体器件，通常都有相应的保护措施。有的是在半导体器件暴露的大气中填充惰性气体或为其提供干燥剂，还有的则是在半导体器件上覆盖保护层。作为保护层的材料通常有氮化硅、氧化硅、氧氮化硅。这些材料制作的保护层具有对特定气体的阻挡特性，从而有效地充当半导体器件的保护层。例如，氮化硅具有对湿气或氧气的阻挡特性，但是阻挡的程度会根据保护层的形成条件而有所不同。通常来说，氮化硅越致密，其阻挡特性越好。在半导体器件上形成氮化硅的方法有多种，其中较常见的一种就是化学气相沉积法。化学气相沉积是通过将反应气体输送至氮化硅工艺设备的高温炉内，并且使反应气体与置于炉内的半导体器件发生化学反应，以在晶圆表面沉积氮化硅薄膜。而在沉积氮化硅时通入的气体通常有二氯硅烷、氨气等。在例如申请号为2004100本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备氮化硅的方法，其特征在于，包括：提供晶圆；通入保护气体并检测晶圆表面的氧气浓度；若所检测的氧气浓度小于或等于安全浓度，则对晶圆加热；在对晶圆加热之后，在晶圆表面生长氮化硅，其中所述安全浓度为警戒浓度与未能检测到的氧气浓度的预估值的差。

【技术特征摘要】
1.一种制备氮化硅的方法，其特征在于，包括：提供晶圆；通入保护气体并检测晶圆表面的氧气浓度；若所检测的氧气浓度小于或等于安全浓度，则对晶圆加热；在对晶圆加热之后，在晶圆表面生长氮化硅，其中所述安全浓度为警戒浓度与未能检测到的氧气浓度的预估值的差。2.如权利要求1所述的制备氮化硅的方法，其特征在于，所述未能检测到的氧气浓度的预估值通过下列步骤获得，将试片代替所述晶圆，并对试片进行如下操作：通入保护气体并检测试片表面氧气浓度；对试片加热；在试片加热后再次检测氧气浓度；计算前后两次所检测的氧气浓度之差，并将所述氧气浓度差作为对未能检测到的氧气浓度的预估值。3.如权利要求2所述的制备氮化硅的方法，其特征在于，所述对试片加热在反...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗栋，关英来，王杨，秦国强，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]