本发明专利技术公开一种晶体硅太阳能电池减反射膜及其镀膜方法，是由醋酸锌、乙二醇甲醚和单乙醇混合成的溶胶，溶胶中醋酸锌浓度0.3~0.5mol/L，单乙醇胺和醋酸锌物质的量之比1:1。所述镀膜方法通过以下步骤操作：(a)将硅片预处理；(b)以浸渍-提拉或者旋转涂膜或者喷涂方法将所述的溶胶涂覆在预处理过的硅片表面，在70～90℃烘干固化，随后在500～550℃温度下热处理30～60min即可。通过本发明专利技术的镀膜方法所镀的减反射膜折射率与氮化硅的折射率接近，透过率高，电阻率较低，具有更高的载流子迁移率和寿命，更有利于光生载流子的传输，制备时所需设备简单，成本低廉，具有较好的工业化应用前景。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶体硅太阳能电池
，具体是。
技术介绍
低成本、高效率是晶体硅太阳能电池的发展方向。由于晶体硅片表面的太阳光的反射率较高，不能充分吸收太阳光，造成能源浪费。为了增加晶体硅太阳能电池片的光吸收，人们在硅片经过表面织构处理和扩散制结后，普遍采用在织构面上制作减反射膜的方法，进一步降低硅片表面的光的反射率，从而提高电池片的输出功率，提升光电转换效率。 目前，晶体硅太阳能电池减反射膜的主流材料仍然是氮化硅，而氮化硅薄膜的沉积，需要采用设备结构复杂、生产成本高昂的等离子增强化学气相沉积技术。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种具有高的透过率、电阻率较低并且对晶体硅镀膜时方法简单的晶体硅太阳能电池氧化锌减反射膜。本专利技术的另一目的是提供一种晶体硅太阳能电池减反射膜的镀膜方法。本专利技术的晶体硅太阳能电池减反射膜是由醋酸锌、乙二醇甲醚和单乙醇在20 50°C混合成的溶胶涂覆在硅片表面制成的，溶胶中醋酸锌浓度为0. 3^0. 5mol/L，单乙醇胺和醋酸锌的物质的量之比为1:1一种晶体硅太阳能电池减反射膜的镀膜方法，通过以下步骤操作 (a)、将硅片进行预处理；(b)、以浸渍-提拉或者旋转涂膜或者喷涂方法将权利要求1所述的溶胶涂覆在步骤(a)预处理过的硅片表面，在70 90°C烘干固化，随后在500 550°C温度下热处理 30 60min即可。进一步地，所述硅片为经过表面织构、pn结扩散、刻边、去磷硅玻璃和表面钝化的单晶或多晶硅片。进一步地，所述的硅片进行预处理是指硅片先在洲质量分数的盐酸溶液中浸泡广aiiin，然后经去离子水清洗。进一步地，制成的减反射膜的厚度为60 100纳米。本专利技术的有益效果如下将醋酸锌、乙二醇甲醚和单乙醇混合成溶胶，而后对预处理后的晶体硅太阳能电池进行镀膜后，通过烘干和热处理，在晶体硅太阳能电池上生成氧化硅减反射膜。氧化锌的折射率与氮化硅的折射率非常接近，而且氧化锌薄膜在对提高晶体硅电池功率有益的可见光波段具有高的透过率。另外，由于氧化锌是一种宽禁带η型半导体材料，与氮化硅相比，电阻率较低，具有更高的载流子迁移率和寿命，更有利于光生载流子的传输。采用溶胶凝胶法制备氧化锌减反射膜，所需设备简单，成本低廉，具有较好的工业化应用前景。具体实施例方式实施例1将硅片进行表面织构、pn结扩散、刻边、去磷硅玻璃和表面钝化后，再在洲质量分数的盐酸溶液中浸泡lmin，然后经去离子水清洗；将醋酸锌、乙二醇甲醚和单乙醇胺在20°C混合成均勻的溶胶，溶胶中醋酸锌和单乙醇胺的浓度为0. 3mol/L，通过计算可以得出需要加入的乙二醇甲醚的量；以浸渍-提拉的方法将上述溶胶涂覆在上述硅片表面，在90°C烘干固化，随后经过550°C热处理30min制成氧化锌薄膜，厚度在60 100纳米范围。 实施例2将硅片进行表面织构、Pn结扩散、刻边及去磷硅玻璃和表面钝化，再在洲质量分数的盐酸溶液中浸泡2min，然后经去离子水清洗；将醋酸锌、乙二醇甲醚和单乙醇胺在50°C混合成均勻的溶胶，溶胶中醋酸锌和单乙醇胺的浓度均为0. 5mol/L，通过计算可以得出需要加入的乙二醇甲醚的量；以旋转涂膜的方法将上述溶胶涂覆在上述硅片表面，在70°C烘干固化，随后经过500°C热处理60min制成氧化锌薄膜，厚度在60 100纳米范围内。实施例3将硅片进行表面织构、Pn结扩散、刻边及去磷硅玻璃和表面钝化，再在洲质量分数的盐酸溶液中浸泡1. 5min，然后经去离子水清洗；将醋酸锌、乙二醇甲醚和单乙醇胺在40°C 混合成均勻的溶胶，溶胶中醋酸锌和单乙醇胺的浓度均为0. 4mol/L，通过计算可以得出需要加入的乙二醇甲醚的量；以喷涂方法将上述溶胶涂覆在上述硅片表面，在80°C烘干固化，随后经过525°C热处理45min制成氧化锌薄膜，厚度在60 100纳米范围内。权利要求1.一种晶体硅太阳能电池减反射膜，其特征在于是由醋酸锌、乙二醇甲醚和单乙醇在20 50°C混合成的溶胶涂覆在硅片表面制成的，溶胶中醋酸锌浓度为0. 3^0. 5mol/L，单乙醇胺和醋酸锌的物质的量之比为1:1。2.一种晶体硅太阳能电池减反射膜的镀膜方法，其特征在于，通过以下步骤操作(a)将硅片进行预处理；(b)以浸渍-提拉或者旋转涂膜或者喷涂方法将权利要求1所述的溶胶涂覆在步骤(a)预处理过的硅片表面，在70 90°C烘干固化，随后在500 550°C温度下热处理 30 60min即可。3.如权利要求2所述的晶体硅太阳能电池氧化锌减反射膜的镀膜方法，其特征在于 所述硅片为经过表面织构、pn结扩散、刻边、去磷硅玻璃和表面钝化的单晶或多晶硅片。4.如权利要求2所述的晶体硅太阳能电池减反射膜的镀膜方法，其特征在于所述的硅片进行预处理是指硅片先在洲质量分数的盐酸溶液中浸泡广2min，然后经去离子水清洗。5.如权利要求2所述的晶体硅太阳能电池减反射膜的镀膜方法，其特征在于制成的减反射膜的厚度为60 100纳米。全文摘要本专利技术公开，是由醋酸锌、乙二醇甲醚和单乙醇混合成的溶胶，溶胶中醋酸锌浓度0.3~0.5mol/L，单乙醇胺和醋酸锌物质的量之比1:1。所述镀膜方法通过以下步骤操作(a)将硅片预处理；(b)以浸渍-提拉或者旋转涂膜或者喷涂方法将所述的溶胶涂覆在预处理过的硅片表面，在70～90℃烘干固化，随后在500～550℃温度下热处理30～60min即可。通过本专利技术的镀膜方法所镀的减反射膜折射率与氮化硅的折射率接近，透过率高，电阻率较低，具有更高的载流子迁移率和寿命，更有利于光生载流子的传输，制备时所需设备简单，成本低廉，具有较好的工业化应用前景。文档编号C23C20/08GK102212807SQ20111008623公开日2011年10月12日 申请日期2011年4月7日 优先权日2011年4月7日专利技术者余可, 李潘剑, 王立建 申请人:无锡市佳诚太阳能科技有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种晶体硅太阳能电池减反射膜，其特征在于：是由醋酸锌、乙二醇甲醚和单乙醇在２０～５０℃混合成的溶胶涂覆在硅片表面制成的，溶胶中醋酸锌浓度为０．３～０．５ｍｏｌ／Ｌ，单乙醇胺和醋酸锌的物质的量之比为１：１。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：余可，王立建，李潘剑，
申请(专利权)人：无锡市佳诚太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：32
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