【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及介电薄膜
,特别涉及一种渗流型复合陶瓷薄膜(Ba,Sr) TiO3-Agx(BST-Ag)的制备方法。
技术介绍
自上世纪90年代以来,随着移动电子产品如手机、个人电脑等的发展,电子器件 向小型化、高性能化、节电化的方向不断发展,其中电容作为电子芯片、大规模集成电路 的组成元件,也在小型化、集成化等方面被提出更高的要求,因而用来制造电容的介电材 料需要有更高的介电常数。钛酸钡(BTO)是一种具有钙钛矿结构的铁电材料,因其具有良好的介电性能而 得到了广泛研究。钛酸钡的居里温度为120°C,室温下钛酸钡处于四方铁电相。而钛酸锶 (STO)是另一种具有钙钛矿结构的铁电材料,室温下为立方相(Te =_1681,1^居里温度), 并且结晶温度较低,相对介电性能较差。由于Ba2+、Sr2+的半径相差不大(分别为0. 135nm、 0. 113nm),钛酸锶与钛酸钡可以生成连续固溶体(Bai_xSrx)TiO3(BST),其中χ代表其中锶的 摩尔分数(Sr/Ti摩尔比),通过改变BST中Ba/Sr比(即改变χ的值),可以调节固溶体的居 里温度,当χ在0. ...
【技术保护点】
一种纳米Ag颗粒-(Ba↓[0.65],Sr↓[0.35])TiO↓[3]渗流型复合陶瓷薄膜,其特征是:该陶瓷薄膜以多晶钙钛矿相陶瓷为基质并在该基质中分散有纳米银颗粒,所述多晶钙钛矿相陶瓷为(Ba↓[0.65],Sr↓[0.35])TiO↓[3],所述纳米银与(Ba↓[0.65],Sr↓[0.35])TiO↓[3]的摩尔比为0.2~0.6:1。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:杜丕一,宿彦博,马宁,韩高荣,翁文剑,赵高凌,沈鸽,宋晨路,程逵,徐刚,张溪文,
申请(专利权)人:浙江大学,
类型:发明
国别省市:86
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