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一种制备氮化硅的方法，包括下列步骤，通入保护气体并检测晶圆表面的氧气浓度；若所检测的氧气浓度小于或等于安全浓度，则对晶圆加热；在对晶圆加热之后，在晶圆表面生长氮化硅，其中所述安全浓度为警戒浓度与未能检测到的氧气浓度的预估值的差。所述制备氮化...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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