Ｚ方向叠层封装方法技术

本发明专利技术提供了一种叠合式正向键合法。其除了提供比传统的正向键合低的弧高和较少的颈部损坏之外，与反向球焊相比，降低了敏感芯片上的键合区损伤，还提高了产量。其特征在于：器件最大的弧高，不应高于保持环形层之间的最佳缝隙的芯片的厚度；在进行芯片与芯片间的连接时使用Ｂｕｍｐ球模式，即先在第二焊点打一个金球，然后再以正常键合的模式把金线从第一焊点连接到第二焊点；每一个金球的位置精度３ｕｍ。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及芯片叠层
，具体为z方向叠层封装方法。(二)
技术介绍
通常的三维封装就是把两个或多个芯片在单个封装中进行叠层。叠层式芯 片封装技术最初的形式为两个、三个和四个引线键合的叠层，而用于低容积生 产的五个、六个及更多个叠层的引线键合叠层也正在研发之中。叠层式芯片典 型状况下的构型，为棱锥体或具有悬臂式设计的同样尺寸的叠层。叠层式芯片 封装技术正在驱动很多领域封装技术的发展，包括超低弧度金线键合技术、圆片减薄技术、薄基板以及低粘度模塑技术。叠层封装在Wire Bond最关键的技 术是Z方向的立体键合技术，包括超低弧度金线键合技术和芯片与芯片之间的 金线键合技术， 一、超低弧度金线键合技术高度限制及叠层技术构形增加的复 杂性对在叠层芯片应用中的金线键合技术提出了特殊的挑战。低弧度金线键合 技术的要求，已推动了反向键合技术使用的不断增长。标准的正向键合工艺过 程，见图3,首先把劈刀置于芯片上，以芯片键合区为第一焊点，引脚为第二焊 点的顺序键合，8为焊点、9为金线、IO为键合区、11、 12分别为芯片，而反 方向键合工艺则先把劈刀置于芯片键合区上，先打一个金球之后，再以引本文档来自技高网...

【技术保护点】
Ｚ方向叠层封装方法，其特征在于：器件最大的弧高，不应高于保持环形层之间的最佳缝隙的芯片的厚度；在进行芯片与芯片间的连接时使用Ｂｕｍｐ球模式，即先在第二焊点打一个金球，然后再以正常键合的模式把金线从第一焊点连接到第二焊点。

【技术特征摘要】
1、Z方向叠层封装方法，其特征在于器件最大的弧高，不应高于保持环形层之间的最佳缝隙的芯片的厚度；在进行芯片与芯片间的连接时使用Bump球模式，即先在第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：郁琦，
申请(专利权)人：无锡华润安盛科技有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]