设计为用于气相沉积系统中的阱技术方案

本发明专利技术提供了气相沉积系统和与该系统相关的方法。所述系统可设计成包括如下特征：能够促进高质量的沉积；简化制造、改进和使用；以及减少所述系统的占地面积，以及其它优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术大体涉及气相沉积系统和方法，更具体地，涉及原子层沉积系 统和方法。
技术介绍
原子层沉积(ALD)是一种允许薄膜以原子层逐层生长的技术。该 技术可通过人1203从水和三甲基铝(TMA)前体的沉积来说明，但不限 于此。可在文献中发现许多其它生产绝缘体、金属和半导体的材料的配 方。图l概略示出了 A1203从水和(TMA)的生长。 一般的步稞包括 (a)将通过空气幾基化的基板插入真空腔，(b， c) TMA前体以脉冲 方式送入并且TMA将与在表面上的OH起反应。TMA不会与自身和 形成的单层起反应，由此具有钝化作用。(d)未反应的TMA分子通过 排空和/或利用氮气或氩气等惰性气体清除而去除。(e， f)水以脉冲方 式注入反应器。这将去除CH3基团，形成AL-O-AL桥并且以AL-OH 钝化所述表面。CH4 (曱烷)形成为气体的副产品。(g)未起反应的 H20和CH4通过排空和/或利用氮气清除而去除，(a-g)称为一个循环 并且每个循环产生大约1.1埃的A1203。从而，100个循环产生110埃的 A1203。ALD系统的设计遵循不同的途径，其中一些基于用于其它沉积技术 (例如本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种设计为用于气相沉积系统中的阱，以捕获气态物质，其中所述阱的多数表面区域基本上平行于通过该阱的气态物质流。

【技术特征摘要】
US 2004-6-28 60/583,854;US 2005-2-14 60/652,5411.一种设计为用于气相沉积系统中的阱，以捕获气态物质，其中所述阱的多数表面区域基本上平行于通过该阱的气态物质流。2. 如权利要求l所述的阱，其中所述阱包括波状表面。3. 如权利要求2所述的阱，其中所述阱是巻绕组件，包括与波状 薄片部分装配在一起的平薄片部分。4. 如权利要求l所述的阱，其中所述阱设计成使得沿着所述阱的 长度的前体沉积距离可以由用户通过眼睛确定，并且所述沉积距离与前 ...

【专利技术属性】
技术研发人员：道韦J蒙斯马，吉尔S贝克，
申请(专利权)人：剑桥纳米科技公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]