System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 传感器、传感器制造工艺及电子设备制造技术_技高网

传感器、传感器制造工艺及电子设备制造技术

技术编号:41286542 阅读:3 留言:0更新日期:2024-05-11 09:35
本发明专利技术公开了一种传感器、传感器制造工艺及电子设备。该传感器包括第一导电层和第二导电层,第二导电层位于所述第一导电层的厚度方向的一侧,所述第二导电层与所述第一导电层之间具有空腔;其中,所述第一导电层或所述第二导电层适用于电连接于电阻测量装置,所述第一导电层背离所述第二导电层的一侧适用于与气流接触,所述第一导电层能够在气流的带动下与所述第二导电层接触,本申请的传感器的结构简单,生产制造成本低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及传感器,更具体地,涉及一种传感器、传感器制造工艺及电子设备


技术介绍

1、相关技术中,气流检测一般采用电容式传感器,而电容式传感器的制造成本通常较高。对于应用在污染较大的环境中,例如电子烟等,使用寿命较短,从而会进一步增加其对应的电子设备的生产成本。

2、因此,需要提供一种新的技术方案,以解决上述技术问题。


技术实现思路

1、本专利技术的一个目的是提供一种传感器的新技术方案。

2、根据本专利技术的第一方面,提供了一种传感器。该传感器包括:

3、第一导电层;

4、第二导电层,位于所述第一导电层的厚度方向的一侧,所述第二导电层与所述第一导电层之间具有空腔;

5、其中,所述第一导电层或所述第二导电层适用于电连接于电阻测量装置,所述第一导电层背离所述第二导电层的一侧适用于与气流接触,所述第一导电层能够在所述气流的作用下与所述第二导电层接触。

6、可选地,所述第二导电层朝向所述第一导电层的一侧设置有凸起,所述凸起适用于与所述第一导电层接触。

7、可选地,所述第二导电层间隔设置有多个所述凸起,至少部分所述凸起能够与所述第一导电层接触。

8、可选地,所述第二导电层设有多个第一通孔,所述第一通孔与所述空腔连通。

9、可选地,所述第一导电层和所述第二导电层之间具有第一绝缘层。

10、可选地,所述传感器还包括防护壳,所述防护壳罩设于所述第一导电层和所述第二导电层的外侧

11、可选地,所述第二导电层设有第一通孔,所述防护壳设有第二通孔,所述第二通孔通过所述第一通孔连通于所述空腔。

12、可选地,第二导电层设置有金属垫,所属金属垫适用于与所述电阻测量装置电连接。

13、可选地,所述传感器还包括衬底,所述第一导电层背离所述第二导电层的一侧设置于所述衬底,所述衬底设有避让孔,所述避让孔适用于避让所述气流。

14、可选地,所述第一导电层与所述衬底之间设置有第二绝缘层。

15、可选地,所述第一导电层为导体材料或半导体材料,和/或,所述第二导电层为导体材料或半导体材料。

16、根据本申请的第二方面,提供了一种传感器制造工艺。该制造工艺适用于制造上述实施例的传感器,传感器制造工艺包括:

17、通过第一导电材料沉积以形成第一导电层;

18、通过第二导电材料沉积以形成第二导电层。

19、可选地,通过第一导电材料沉积以形成第一导电层后,在所述第一导电层的一侧沉积绝缘材料以形成第一绝缘层,将所述第二导电材料沉积于所述第一绝缘层背离所述第一导电层的一侧。

20、可选地,通过刻蚀所述第二导电层以形成第一通孔;通过刻蚀所述第一绝缘层,以在所述第一导电层和所述第二导电层之间形成空腔。

21、可选地,在所述第一绝缘层背离所述第一导电层的一侧刻蚀形成凹槽,再将所述第二导电材料沉积于所述第一绝缘层,通过所述凹槽,以使所述第二导电层形成朝向所述第一导电层的凸起。

22、可选地,所述第一导电材料沉积于衬底的一侧,以形成第一导电层,所述衬底通过刻蚀以形成避让孔。

23、根据本申请的第三方面,提供了一种电子设备。该电子设备包括上述实施例的传感器。

24、本申请的一个技术效果在于,传感器包括第一导电层和第二导电层,第二导电层位于第一导电层的厚度方向的一侧,第二导电层与第一导电层之间具有空腔,第一导电层或第二导电层适用于电连接于电阻测量装置,第一导电层背离第二导电层的一侧适用于与气流接触,气流能够推动第一导电层与第二导电层接触。本申请的传感器的结构简单,生产制造成本低。

25、通过以下参照附图对本专利技术的示例性实施例的详细描述,本专利技术的其它特征及其优点将会变得清楚。

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【技术保护点】

1.一种传感器,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的传感器,其特征在于,所述第二导电层朝向所述第一导电层的一侧设置有凸起,所述凸起适用于与所述第一导电层接触。

3.根据权利要求2所述的传感器,其特征在于,所述第二导电层间隔设置有多个所述凸起,至少部分所述凸起能够与所述第一导电层接触。

4.根据权利要求1所述的传感器,其特征在于,所述第二导电层设有多个第一通孔,所述第一通孔与所述空腔连通。

5.根据权利要求1所述的传感器,其特征在于,所述第一导电层和所述第二导电层之间具有第一绝缘层。

6.根据权利要求1所述的传感器,其特征在于,所述传感器还包括防护壳,所述防护壳罩设于所述第一导电层和所述第二导电层的外侧。

7.根据权利要求6所述的传感器,其特征在于,所述第二导电层设有第一通孔,所述防护壳设有第二通孔,所述第二通孔通过所述第一通孔连通于所述空腔。

8.根据权利要求1所述的传感器,其特征在于,第二导电层设置有金属垫,所属金属垫适用于与所述电阻测量装置电连接。

9.根据权利要求1所述的传感器,其特征在于,所述传感器还包括衬底,所述第一导电层背离所述第二导电层的一侧设置于所述衬底,所述衬底设有避让孔,所述避让孔适用于避让所述气流。

10.根据权利要求9所述的传感器,其特征在于,所述第一导电层与所述衬底之间设置有第二绝缘层。

11.根据权利要求1所述的传感器,其特征在于,所述第一导电层为导体材料或半导体材料,和/或,所述第二导电层为导体材料或半导体材料。

12.一种传感器制造工艺,其特征在于,适用于制造如权利要求1至11任一项所述的传感器,所述制造工艺包括:

13.根据权利要求12所述的传感器制造工艺,其特征在于,通过第一导电材料沉积以形成第一导电层后,在所述第一导电层的一侧沉积绝缘材料以形成第一绝缘层,将所述第二导电材料沉积于所述第一绝缘层背离所述第一导电层的一侧。

14.根据权利要求13所述的传感器制造工艺,其特征在于,通过刻蚀所述第二导电层以形成第一通孔;通过刻蚀所述第一绝缘层,以在所述第一导电层和所述第二导电层之间形成空腔。

15.根据权利要求13所述的传感器制造工艺,其特征在于,在所述第一绝缘层背离所述第一导电层的一侧刻蚀形成凹槽,再将所述第二导电材料沉积于所述第一绝缘层,通过所述凹槽,以使所述第二导电层形成朝向所述第一导电层的凸起。

16.根据权利要求12所述的传感器制造工艺,其特征在于,所述第一导电材料沉积于衬底的一侧,以形成第一导电层,所述衬底通过刻蚀以形成避让孔。

17.一种电子设备,其特征在于,包括如权利要求1至11任一项所述传感器。

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【技术特征摘要】

1.一种传感器,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的传感器,其特征在于,所述第二导电层朝向所述第一导电层的一侧设置有凸起,所述凸起适用于与所述第一导电层接触。

3.根据权利要求2所述的传感器,其特征在于,所述第二导电层间隔设置有多个所述凸起,至少部分所述凸起能够与所述第一导电层接触。

4.根据权利要求1所述的传感器,其特征在于,所述第二导电层设有多个第一通孔,所述第一通孔与所述空腔连通。

5.根据权利要求1所述的传感器,其特征在于,所述第一导电层和所述第二导电层之间具有第一绝缘层。

6.根据权利要求1所述的传感器,其特征在于,所述传感器还包括防护壳,所述防护壳罩设于所述第一导电层和所述第二导电层的外侧。

7.根据权利要求6所述的传感器,其特征在于,所述第二导电层设有第一通孔,所述防护壳设有第二通孔,所述第二通孔通过所述第一通孔连通于所述空腔。

8.根据权利要求1所述的传感器,其特征在于,第二导电层设置有金属垫,所属金属垫适用于与所述电阻测量装置电连接。

9.根据权利要求1所述的传感器,其特征在于,所述传感器还包括衬底,所述第一导电层背离所述第二导电层的一侧设置于所述衬底,所述衬底设有避让孔,所述避让孔适用于避让所述气流。

10.根据权利要求9所述的传感器,其...

【专利技术属性】
技术研发人员:邱冠勋王喆
申请(专利权)人:歌尔微电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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