【技术实现步骤摘要】
本申请属于磁感应，具体地，本申请涉及一种磁传感器和磁感应装置。
技术介绍
1、mr传感器是利用磁阻效应(mr效应)的磁传感器元件，已应用在越来越多的领域。
2、mr传感器利用mr磁阻传感芯片完成平面方向的外部磁场信号感知，mr磁阻传感芯片产生的电压或电流信号经过asic芯片处理后，以完成磁场信号的测量。
3、但当外部磁场信号较弱时，透过mr磁阻传感芯片的磁场信号密度较小，降低了mr传感器的检测灵敏度，影响了mr传感器的信号质量。
技术实现思路
1、本申请的一个目的是提供一种磁传感器和磁感应装置的新技术方案。
2、根据本申请的第一方面，提供了一种磁传感器，包括：
3、基板；
4、asic芯片，所述asic芯片设置于所述基板上；
5、mr感应芯片，所述mr感应芯片位于所述基板上并与所述asic芯片电连接；
6、聚磁件，所述聚磁件位于所述基板上并与所述mr感应芯片等高设置，所述聚磁件能够将磁场聚集后传输至所述mr感应芯片。
7、可选地，所述mr感应芯片具有磁感应方向；
8、在所述磁感应方向上，所述聚磁件设置于所述mr感应芯片的侧面。
9、可选地，包括两个所述聚磁件；
10、在所述磁感应方向上，两个所述聚磁件对称设置在所述mr感应芯片的两侧。
11、可选地，所述聚磁件具有聚磁端和输磁端，所述聚磁端的面积大于所述输磁端的面积；
12、所述
13、可选地，在垂直于所述基板的方向上，所述聚磁端的投影尺寸大于所述输磁端的投影尺寸。
14、可选地，所述聚磁件在所述基板上的投影呈t字形、梯形或者三角形。
15、可选地，所述mr感应芯片上具有感应区域；
16、在平行于所述基板并且垂直于磁感应方向的方向上观察，所述聚磁端的尺寸大于所述输磁端的尺寸，所述输磁端与所述感应区域相对。
17、可选地，所述聚磁件的材料为软磁材料，所述软磁材料包括硅铁、纯铁和波莫合金中的一种或者多种组合。
18、可选地，所述mr感应芯片设置于所述asic芯片远离所述基板的一侧。
19、根据本申请的第二方面，提供了一种磁感应装置，包括第一方面所述的磁传感器。
20、本申请的一个技术效果在于：
21、本申请实施例提供了一种磁传感器，该磁传感器包括基板；asic芯片，所述asic芯片设置于所述基板上；mr感应芯片，所述mr感应芯片位于所述基板上并与所述asic芯片电连接；聚磁件，所述聚磁件位于所述基板上并与所述mr感应芯片等高设置，所述聚磁件能够将磁场聚集后传输至所述mr感应芯片，使得聚磁件能够将mr感应芯片所在平面的周围磁场能量聚集到该平面内，提高了磁传感器的检测灵敏度，保证了磁传感器的信号质量。
22、通过以下参照附图对本申请的示例性实施例的详细描述，本申请的其它特征及其优点将会变得清楚。
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1.一种磁传感器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，所述MR感应芯片(3)具有磁感应方向；
3.根据权利要求2所述的磁传感器，其特征在于，包括两个所述聚磁件(4)；
4.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，所述聚磁件(4)具有聚磁端(41)和输磁端(42)，所述聚磁端(41)的面积大于所述输磁端(42)的面积；
5.根据权利要求4所述的磁传感器，其特征在于，在垂直于所述基板(1)的方向上，所述聚磁端(41)的投影尺寸大于所述输磁端(42)的投影尺寸。
6.根据权利要求5所述的磁传感器，其特征在于，所述聚磁件(4)在所述基板(1)上的投影呈T字形、梯形或者三角形。
7.根据权利要求4所述的磁传感器，其特征在于，所述MR感应芯片(3)上具有感应区域；
8.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，所述聚磁件(4)的材料为软磁材料，所述软磁材料包括硅铁、纯铁和波莫合金中的一种或者多种组合。
9.根据权利要求1-8任一项所述的磁传感器，其特征在于，所述MR
10.一种磁感应装置，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的磁传感器。
...【技术特征摘要】
1.一种磁传感器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，所述mr感应芯片(3)具有磁感应方向；
3.根据权利要求2所述的磁传感器，其特征在于，包括两个所述聚磁件(4)；
4.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，所述聚磁件(4)具有聚磁端(41)和输磁端(42)，所述聚磁端(41)的面积大于所述输磁端(42)的面积；
5.根据权利要求4所述的磁传感器，其特征在于，在垂直于所述基板(1)的方向上，所述聚磁端(41)的投影尺寸大于所述输磁端(42)的投影尺寸。
6.根据权利要求5所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：端木鲁玉，孙昱祖，刘家利，李振雨，
申请(专利权)人：歌尔微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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