MEMS芯片、麦克风和MEMS芯片的制备方法技术

本申请提供了一种MEMS芯片、麦克风和MEMS芯片的制备方法，其中，MEMS芯片包括：振膜，振膜具有中心部和边缘部，边缘部与中心部连接；支撑层，支撑层设于振膜的至少一侧并与边缘部连接，支撑层朝向中心部的一端的端面为第一倾斜面；其中，在支撑层朝向振膜的方向上，第一倾斜面朝向中心部倾斜。本申请MEMS芯片，在振膜的至少一侧设置支撑层，利用支撑层端部的第一倾斜面在支撑层朝向振膜的方向上朝向中心部倾斜，可以在MEMS芯片受到机械冲击时，使得振膜与支撑层连接处的应力可以沿第一倾斜面被分散，从而降低振膜根部的内应力集中，降低振膜破碎的风险，提升MEMS芯片抗机械冲击的能力，提高MEMS芯片的工作寿命。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及声电转换设备，更具体地，涉及一种mems芯片、麦克风和mems芯片的制备方法。

技术介绍

1、相关技术中，mems芯片是应用于麦克风的芯片，为了提升振膜的机械灵敏度，通常会将振膜厚度减薄或者振膜残余应力降低，但是这种振膜在受到高气压冲击或者跌落冲击时，振膜会面临着巨大的外界负载，此时振膜的根部为应力集中区域，断裂常发生在根部，导致容易损坏振膜，进而影响mems芯片的可靠性，降低麦克风芯片的寿命。

技术实现思路

1、本申请的第一个目的是提供一种mems芯片的新技术方案，至少能够解决现有技术中的振膜根部容易断裂的问题。

2、本申请的第二个目的是提供一种麦克风，包括上述mems芯片。

3、本申请的第三个目的是提供一种mems芯片的制备方法，用于制备上述mems芯片。

4、本申请的第四个目的是提供又一种mems芯片的制备方法，用于制备上述mems芯片。

5、根据本申请的第一方面，提供了一种mems芯片，包括：振膜，所述振膜具有中心部和边缘部，所述边缘部与所述中本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种MEMS芯片，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的MEMS芯片，其特征在于，还包括：

3.根据权利要求2所述的MEMS芯片，其特征在于，所述斜梁的材料包括多晶硅和氮化硅中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的MEMS芯片，其特征在于，所述第一倾斜面与所述支撑层朝向所述振膜的一侧面之间的夹角为a，4°≤a≤45°。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的MEMS芯片，其特征在于，所述支撑层为牺牲层或绝缘层。

6.根据权利要求1-4中任一项所述的MEMS芯片，其特征在于，所述振膜的两侧分别设有所述支撑层。

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【技术特征摘要】

1.一种mems芯片，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的mems芯片，其特征在于，还包括：

3.根据权利要求2所述的mems芯片，其特征在于，所述斜梁的材料包括多晶硅和氮化硅中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的mems芯片，其特征在于，所述第一倾斜面与所述支撑层朝向所述振膜的一侧面之间的夹角为a，4°≤a≤45°。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的mems芯片，其特征在于，所述支撑层为牺牲层或绝缘层。

6.根据权利要求1-4中任一项所述的mems芯片，其特征在于，所述振膜的两侧分别设有所述支撑层。

7.根据权利要求1-4中任一项所述的mems芯片，其特征在于，所述振膜的一侧设有牺牲层，所述振膜的另一侧设有绝缘层，所述牺牲层和所述绝缘层中的至少一者形成为所述支撑层，所述mems芯片还包括：

8.根据权利要求1-4中任一项所述的mems芯片，其特征在于，所述振膜的一侧设有牺牲层，所述牺牲层形成为所述支撑层，所述mems芯片还包括：

9.根据权利要求1-4中任一项所述的mems芯片，其特征在于，所述振膜的两侧分别设有牺牲层，两层所述牺牲层中的至少一者形成为所述支撑层，所述mems芯片还包括：

10.根据权利要求1-4中任一项所述的mems...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔广超，
申请(专利权)人：歌尔微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：

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