【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于新材料催化，涉及一种功能性菌株，具体为一种负载银离子的多孔硅胶促进的cephalosporolide d合成方法。
技术介绍
1、cephalosporolide d是从头孢蚜虫发酵菌中提取的活性组分，具有明显的抗革兰氏阳性球菌、真菌活性。1985年被分离得到并确证结构以来，由于其具有中环内酯的特殊结构，引起了许多合成工作者的兴趣。
2、中等大小的环状化合物(8-12元)的分子内关环，由于分子间反应的竞争与重叠构象的张力因素，一直以来是合成学上具有挑战的课题。cephalosporolide d具有八元内酯的特殊结构，其关环策略具有较大的难度。完成该策略，已有报道主要基于以下两种策略：
3、第一：3，7二羟基辛酸为原料，用keck大环内酯化法或yamaguchi大环内酯化法进行关环。由于3-羟基会干扰反应，需在底物构建中预先设置保护基保护3-羟基，关环后再脱保护。该策略主要缺点是底物构建中要分别设置两个羟基，一个保护，一个不被保护，底物合成的路线冗长。
4、第二：以ω-烯基链状酯为原料，采用grubbs烯烃复分解反应关环策略。该策略由于羟基也会对grubbs催化剂有影响，因此也需要使用保护基团。尽管加氢与去保护步骤可以合并，但是ω-烯基链状酯的构建仍然相当繁琐，路线较长。
5、现有技术中合成cephalosporolide d的合成路线均较长，无法经济高效的合成cephalosporolide d；因此，急需一种简易构建中环内酯cephalosporolide d的合
技术实现思路
1、有鉴于此，为了解决上述技术问题，本专利技术的目的在于提供了一种负载银离子的多孔硅胶促进的cephalosporolide d合成方法，属于新材料催化
，该方法在温和的反应条件下，将硝酸银负载于多孔硅胶，负载银离子的多孔硅胶实现了头孢蚜虫发酵菌活性组分cephalosporolide d的简易合成；具体为：采用简便易得的3-羟基-7-溴辛酸作为底物，利用多孔硅胶负载的银盐活化碳溴键，并利用硅胶的多孔空穴抑制分子间酯化反应，实现八元环的关环反应，该方法无需对羟基进行保护与去保护工序；更加方便、绿色、高效地合成头孢蚜虫发酵液活性组分cephalosporolide d，本专利技术提供的合成方法简单高效，收率高，选择性好，反应底物简便易得、稳定切耐储藏，符合绿色、节能和可持续发展要求，具备极好的推广应用前景。
2、为达到上述目的，采用的技术方案如下：
3、一种负载银离子的多孔硅胶促进的cephalosporolide d合成方法，包括以下步骤：
4、步骤s1：负载银离子的多孔硅胶制备
5、将硝酸银溶解于溶剂中，加入硅胶与碳酸铵，搅拌均匀后加热蒸去溶剂，残留固体进行灼烧，得到白色粉末，密封备用，即为负载银离子的多孔硅胶；
6、步骤s2：cephalosporolide d合成
7、将3-羟基-7-溴辛酸，溶剂dmso，缚酸剂碳酸氢钾，搅拌后加入步骤s1中得到的负载银离子的硅胶作为促进剂，反应结束后冷却，冷却后的反应液加入稀释剂稀释，过滤分离固体，有机层洗涤后干燥，除去溶剂dmso，提纯纯化后即得到所述cephalosporolide d。
8、进一步的，所述步骤s1中硝酸银、硅胶和碳酸铵的质量比为1.7-1.9:15-18:0.96-1.1；所述硝酸银与溶剂的质量比为1.7-1.9：79.18-90；所述硅胶目数为400目。
9、进一步的，所述步骤s1中的溶剂为甲醇。
10、进一步的，所述步骤s1中搅拌30-40分钟后加热蒸去溶剂，残留固体于马弗炉中200-220℃下灼烧5-6小时，得到白色粉末。
11、进一步的，银盐以银离子计，所述步骤s1中负载银离子的多孔硅胶中银离子与硅胶的质量配比为1-1.1:13-16。
12、进一步的，所述步骤s2中的反应温度为80-90℃；反应时间为24-30h；反应结束后冷却至室温；所述稀释剂为乙酸乙酯。
13、进一步的，所述步骤s2中溶剂dmso的加入量为：溶剂dmso加入后使反应物3-羟基-7-溴辛酸的摩尔浓度在0.05mo1/l-0.1mo1/l之间。
14、进一步的，促进剂摩尔量以银离子计，所述步骤s2中促进剂负载银离子的多孔硅胶与3-羟基-7-溴辛酸的摩尔比为1.5-1.8:1。
15、进一步的，所述步骤s2中缚酸剂碳酸氢钾与3-羟基-7-溴辛酸的摩尔比为1.5-1.8:1。
16、进一步的，所述步骤s2中有机层用饱和氯化钠水溶液洗涤三次后用无水硫酸钠干燥，除去溶剂dmso，提纯纯化方式为硅胶柱层析。
17、有益效果：
18、本专利技术的有益效果体现在：
19、1、本专利技术以负载银离子的多孔硅胶作为促进剂，利用银离子对卤素的特殊活化作用，采用简便易得的3-羟基-7-溴辛酸作为底物；其优势在于，一方面银离子活化溴原子，使得羧基能够顺利地进攻溴原子形成闭环，另一方面，同时利用硅胶的空穴效应抑制底物的分子间反应，在多孔硅胶的“空穴”中，仅能容纳极少量底物，阻止中环内酯关环时最大的竞争反应分子间酯化；顺利实现八元关环反应，高收率合成得到cephalosporolide d；此外，由于银盐对于羟基不存在活化作用，因此该羟基无需上保护、去保护工序，极大地简化了底物构建过程。
20、2、本专利技术提供的合成方法简单高效，其反应体系简单，收率高，选择性好；本专利技术所使用的底物简便易得，采用乙酰乙酸叔丁酯与1,3-二溴丁烷为原料，三步即可得到高收率得到底物3-羟基-7-溴辛酸；本专利技术选取的底物稳定、耐储藏，适合大量合成与备料，成本也相当低廉，容易放大制备；本专利技术所使用的银离子负载的多孔硅胶采用商业可得的硝酸银与硅胶简单处理即可制备，反应结束后简单煅烧、酸溶即可回收银盐，符合绿色、节能和可持续发展要求。
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1.一种负载银离子的多孔硅胶促进的cephalosporolide D合成方法，其特征在于，所述合成方法包括以下步骤：
2.如权利要求1中所述的一种负载银离子的多孔硅胶促进的cephalosporolide D合成方法，其特征在于，所述步骤S1中硝酸银、硅胶和碳酸铵的质量比为1.7-1.9:15-18:0.96-1.1；所述硝酸银与溶剂的质量比为1.7-1.9：79.18-90；所述硅胶目数为400目。
3.如权利要求1中所述的一种负载银离子的多孔硅胶促进的cephalosporolide D合成方法，其特征在于，所述步骤S1中的溶剂为甲醇。
4.如权利要求1中所述的一种负载银离子的多孔硅胶促进的cephalosporolide D合成方法，其特征在于，所述步骤S1中搅拌30-40分钟后加热蒸去溶剂，残留固体于马弗炉中200-220oC下灼烧5-6小时，得到白色粉末。
5.如权利要求1中所述的一种负载银离子的多孔硅胶促进的cephalosporolide D合成方法，其特征在于，银盐以银离子计，所述步骤S1中负载银离子的多孔硅胶中银
6.如权利要求1中所述的一种负载银离子的多孔硅胶促进的cephalosporolide D合成方法，其特征在于，所述步骤S2中的反应温度为80-90oC；反应时间为24-30h；反应结束后冷却至室温；所述稀释剂为乙酸乙酯。
7.如权利要求1中所述的一种负载银离子的多孔硅胶促进的cephalosporolide D合成方法，其特征在于，所述步骤S2中溶剂DMSO的加入量为：溶剂DMSO加入后使反应物3-羟基-7-溴辛酸的摩尔浓度在0.05mo1/L-0.1mo1/L之间。
8.如权利要求1中所述的一种负载银离子的多孔硅胶促进的cephalosporolide D合成方法，其特征在于，促进剂摩尔量以银离子计，所述步骤S2中促进剂负载银离子的多孔硅胶与3-羟基-7-溴辛酸的摩尔比为1.5-1.8:1。
9.如权利要求1中所述的一种负载银离子的多孔硅胶促进的cephalosporolide D合成方法，其特征在于，所述步骤S2中缚酸剂碳酸氢钾与3-羟基-7-溴辛酸的摩尔比为1.5-1.8:1。
10.如权利要求1中所述的一种负载银离子的多孔硅胶促进的cephalosporolide D合成方法，其特征在于，所述步骤S2中有机层用饱和氯化钠水溶液洗涤三次后用无水硫酸钠干燥，除去溶剂DMSO，提纯纯化方式为硅胶柱层析。
...【技术特征摘要】
1.一种负载银离子的多孔硅胶促进的cephalosporolide d合成方法，其特征在于，所述合成方法包括以下步骤：
2.如权利要求1中所述的一种负载银离子的多孔硅胶促进的cephalosporolide d合成方法，其特征在于，所述步骤s1中硝酸银、硅胶和碳酸铵的质量比为1.7-1.9:15-18:0.96-1.1；所述硝酸银与溶剂的质量比为1.7-1.9：79.18-90；所述硅胶目数为400目。
3.如权利要求1中所述的一种负载银离子的多孔硅胶促进的cephalosporolide d合成方法，其特征在于，所述步骤s1中的溶剂为甲醇。
4.如权利要求1中所述的一种负载银离子的多孔硅胶促进的cephalosporolide d合成方法，其特征在于，所述步骤s1中搅拌30-40分钟后加热蒸去溶剂，残留固体于马弗炉中200-220oc下灼烧5-6小时，得到白色粉末。
5.如权利要求1中所述的一种负载银离子的多孔硅胶促进的cephalosporolide d合成方法，其特征在于，银盐以银离子计，所述步骤s1中负载银离子的多孔硅胶中银离子与硅胶的质量配比为1-1.1:13-16。
6.如权利要求1中所述的一种负载银离子的多孔硅胶促进的cep...
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