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一种优化底部界面区域性质提升倒置钙钛矿太阳能电池性能的方法技术

技术编号:41436625 阅读:31 留言:0更新日期:2024-05-28 20:31
本发明专利技术公开了一种优化底部界面区域性质提升倒置钙钛矿太阳能电池性能的方法,具体实施过程为:将2‑巯基苯并噻唑的乙醇溶液加入MeO‑4PACz的乙醇溶液中搅拌均匀,并沉积到预处理后的透明导电基片上,获得2‑巯基苯并噻唑掺杂的HTL薄膜,继续沉积配制的钙钛矿前驱体溶液,获得钙钛矿薄膜,继续分别依次沉积电子传输层以及空穴阻挡层和顶电极,获得基于2‑巯基苯并噻唑掺杂HTL的钙钛矿太阳能电池。本发明专利技术掺杂后的HTL薄膜导电性提高,能级结构得到调整优化,表面浸润性的增强,改善HTL和钙钛矿层的界面接触,并且2‑巯基苯并噻唑可以进入到上层钙钛矿的底部区域,钝化钙钛矿底表面缺陷,使得沉积在其表面上的钙钛矿薄膜底部结晶质量提升,形成良好界面耦合。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于钙钛矿太阳能电池,具体涉及一种优化底部界面区域性质提升倒置钙钛矿太阳能电池性能的方法


技术介绍

1、对太阳能的高效利用一直是研究者们关注的重点。当前,作为新一代薄膜太阳能电池的代表,钙钛矿太阳能电池以其高效的光电转化效率及低廉的成本迅速引起了广泛的关注。目前,单结钙钛矿太阳能电池(pscs)的光电转化效率(pce)已达到26%,然而,该数值距离其理论预测值仍存在较大的提升空间。

2、钙钛矿薄膜界面处存在的缺陷被认为是限制器件性能提升的主要因素。目前,在倒置结构pscs中,针对钙钛矿薄膜上表面存在的缺陷的调控已被广泛报道。然而,由于钙钛矿薄膜底部形貌存在难以观测及调控的问题,这使得关于钙钛矿底部性质调控的报道较少;另外,空穴传输层(htl)是影响器件空穴抽取、传输和抑制载流子复合的重要因素,因此对htl和钙钛矿底部界面区域的系统优化是提升pscs性能的关键。目前,固有钝化能力的自组装小分子(例如:meo-4pacz)被认为是制备高性能pscs的优选空穴传输层材料。然而,该类材料往往具有不够理想的表面浸润性,这使得沉积在其表面的钙钛本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种优化底部界面区域性质提升倒置钙钛矿太阳能电池性能的方法,其特征在于,包括如下步骤:

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤1)中的透明导电基片为Glass/ITO或FTO、塑料柔性基底/ITO或FTO,按顺序使用蒸馏水、丙酮、异丙醇溶剂超声清洗透明导电基片。

3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤2)中的2-巯基苯并噻唑的乙醇溶液的浓度为10.0 mg/ml。

4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,步骤2)中的MeO-4PACz的乙醇溶液的浓度为0.8-2.5 mg/ml。

5.如权利要求4所述的方法,其特征在于,步骤...

【技术特征摘要】

1.一种优化底部界面区域性质提升倒置钙钛矿太阳能电池性能的方法,其特征在于,包括如下步骤:

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤1)中的透明导电基片为glass/ito或fto、塑料柔性基底/ito或fto,按顺序使用蒸馏水、丙酮、异丙醇溶剂超声清洗透明导电基片。

3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤2)中的2-巯基苯并噻唑的乙醇溶液的浓度为10.0 mg/ml。

4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,步骤2)中的meo-4pacz的乙醇溶液的浓度为0.8-2.5 mg/ml。

5.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员:宋嘉兴王宇李在房
申请(专利权)人:嘉兴学院
类型:发明
国别省市:

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