【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及p型ZnO晶体薄膜的生长方法，尤其是退火生长Na-N共掺p 型ZnO晶体薄膜的方法。
技术介绍
ZnO是一种直接带隙宽禁带半导体，室温下禁带宽度为3.37eV，激子束缚 能为60meV，使得ZnO在紫外探测器、LDs、 LEDs等光电器件上的应用前景 十分光明。制备可控的型和p型ZnO晶体薄膜是实现ZnO基光电器件应用 的关键。目前，人们对于《型ZnO晶体薄膜的研究已经比较充分，通过掺杂 Al、 Ga、 In等施主元素，已经能够获得具有优异性能的型ZnO晶体薄膜。 然而，ZnO的型掺杂却遇到诸多困难，这主要是由于受主掺杂元素在ZnO中 的固溶度很低，受主能级一般很深，而且ZnO本身存在着诸多本征施主缺陷(如 间隙锌Zrii和空位氧Vo)，对受主会产生高度的自补偿效应。如何实现具有优 异性能的;7型ZnO薄膜的实时掺杂已成为目前制约ZnO基光电器件发展的一 个瓶颈。目前国际上所报道p-ZnO的掺杂元素主要集中在单受主掺杂，例如Li、 N、 P、 As、 Sb等，或者将III-V族元素进行施主-受主掺杂，例如Al-N、 Ga-N、 In-N、 Li-...
【技术保护点】
退火生长Ｎａ－Ｎ共掺ｐ型ＺｎＯ晶体薄膜的方法，其特征是：将衬底清洗后放入射频反应磁控溅射装置的反应室中，反应室真空度抽到至少２．５×１０↑［－３］Ｐａ，以Ｎａ↓［２］Ｏ－ＺｎＯ陶瓷靶为靶材，靶材中钠的摩尔含量为０．５％，以纯Ｎ↓［２］Ｏ和纯Ａｒ为溅射气氛，将两种气体分别由质量流量计控制输入真空反应室，Ｎ↓［２］Ｏ和Ａｒ的分压比为６０∶４０～８０∶２０，衬底温度为４５０～５５０℃，溅射功率为３００Ｗ，在１Ｐａ～５Ｐａ压强下生长，生长结束后，将薄膜在Ｎ↓［２］Ｏ气氛下退火，其中退火压强为１０Ｐａ，退火时间为２０～６０ｍｉｎ，退火温度为４００～５００℃。
【技术特征摘要】
1.退火生长Na-N共掺p型ZnO晶体薄膜的方法，其特征是将衬底清洗后放入射频反应磁控溅射装置的反应室中，反应室真空度抽到至少2.5×10-3Pa，以Na2O-ZnO陶瓷靶为靶材，靶材中钠的摩尔含量为0.5％，以纯N2O和纯Ar为溅射气氛，将两种气体分别由质量流量计控制输入真空反应室，N2O和Ar的分压比为60∶4...
【专利技术属性】
技术研发人员：叶志镇，林兰，龚丽，吕建国，赵炳辉，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：86[中国|杭州]
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