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本发明公开的退火生长Ｎａ－Ｎ共掺ｐ型ＺｎＯ薄膜的方法，先以Ｎａ２Ｏ－ＺｎＯ陶瓷靶为靶材，靶材中钠的摩尔含量为０．５％，以纯Ｎ２Ｏ和纯Ａｒ为溅射气氛，采用射频反应磁控溅射法，在１Ｐａ～５Ｐａ压强下生长，生长结束后，将薄膜在Ｎ２Ｏ气氛下退火。本...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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