【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造，特别是涉及一种半导体结构及其制备方法。
技术介绍
1、动态随机存取存储器(dynamic random access memory，简称dram)是计算机中常用的半导体存储器件，由许多重复的存储单元组成。每个存储单元通常包括电容器和晶体管，晶体管的栅极与字线相连、漏极与位线相连、源极与电容器相连，字线上的电压信号能够控制晶体管的打开或关闭，进而通过位线读取存储在电容器中的数据信息，或者通过位线将数据信息写入到电容器中进行存储。
2、动态随机存取存储器的电容通过其下电极来与电容连接垫(landing pad)电连接并与晶体管的漏极形成存取通路。随着存储器件集成度的不断微缩，电容尺寸不断缩小，相应的电容连接垫尺寸也在缩小。但是，电容连接垫在制备过程中，干法刻蚀和酸洗时电容连接垫材料的副产物残留在相邻电容连接垫之间，使相邻电容连接垫相互影响，造成短路。后续在此之上形成的电容也会相互干扰，从而造成存储器件生产良率降低，影响存储器件的使用可靠性及电学性能。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对现有技术中的不足之处，提供一种半导体结构及其制备方法。
2、一方面，本申请根据一些实施例，提供一种半导体结构，包括：
3、基底；所述基底上形成有多个间隔排布的电容接触结构；
4、隔离结构；所述隔离结构位于所述基底上，且位于相邻所述电容接触结构之间；所述隔离结构的顶面不高于所述电容接触结构的顶面；
5、隔离凹槽；所述隔离凹槽
6、在一些实施例中，多个所述电容接触结构呈多行多列的阵列分布，位于同一列的多个所述电容接触结构沿第一方向间隔排布，位于同一行的多个所述电容接触结构沿第二方向间隔排布，所述第二方向与所述第一方向相交；
7、所述隔离凹槽包括多个间隔排布的第一隔离凹槽，所述第一隔离凹槽沿所述第一方向延伸，且位于相邻两列所述电容接触结构之间。
8、在一些实施例中，所述隔离凹槽包括多个间隔排布的第二隔离凹槽，所述第二隔离凹槽沿所述第二方向延伸，且位于相邻两行所述电容接触结构之间，并贯通多个所述第一隔离凹槽。
9、在一些实施例中，所述半导体结构还包括多个电容结构，所述电容结构位于所述基底上，且与所述电容接触结构一一对应接触。
10、在一些实施例中，所述半导体结构还包括支撑结构，所述支撑结构包括由下至上依次间隔叠置的第一支撑层、第二支撑层及第三支撑层；所述支撑结构内设有多个贯穿所述第一支撑层、所述第二支撑层及所述第三支撑层的电容孔，所述电容孔与所述电容接触结构一一对应设置，且所述电容孔暴露出所述电容接触结构；
11、所述隔离凹槽还沿厚度方向贯穿所述第一支撑层；
12、所述电容结构包括：
13、下电极；所述下电极位于所述电容孔的侧壁及底部，与所述第一支撑层、所述第二支撑层及所述第三支撑层均相连接，并与所述电容接触结构相接触；
14、电容介质层；所述电容介质层位于所述下电极的表面及所述隔离凹槽内；
15、上电极；所述上电极位于所述电容介质层的表面。
16、在一些实施例中，所述上电极之间还具有间隙；所述电容结构还包括：
17、填充导电层；所述填充导电层填充于所述间隙内。
18、另一方面，本申请还根据一些实施例，提供一种半导体结构的制备方法，包括：
19、提供基底；
20、于所述基底内形成多个间隔排布的电容接触结构；所述电容接触结构包括凸出于所述基底的上表面；
21、形成隔离结构填充相邻所述电容接触结构之间的间隙，所述隔离结构的顶面不高于所述电容接触结构的顶面；
22、形成隔离凹槽；所述隔离凹槽由所述隔离结构的顶面延伸至所述隔离结构内，且与所述电容接触结构具有间距。
23、在一些实施例中，多个所述电容接触结构呈多行多列分布，位于同一列的多个所述电容接触结构沿第一方向间隔排布，位于同一行的多个所述电容接触结构沿第二方向间隔排布，所述第二方向与所述第一方向相交；
24、所述形成隔离凹槽，包括：
25、于所述电容接触结构及所述隔离结构上形成第一图形化掩膜层；所述第一图形化掩膜层包括多个平行间隔排布的第一掩膜图形，所述第一掩膜图形沿第一方向延伸，且相邻所述第一掩膜图形之间的间隙于所述基底上表面的正投影位于相邻两列所述电容接触结构之间；
26、基于所述第一图形化掩膜层刻蚀所述隔离结构，以形成多个间隔排布的第一隔离凹槽；所述第一隔离凹槽沿所述第一方向延伸，且位于相邻两列所述电容接触结构之间。
27、在一些实施例中，所述于所述基底上形成第一图形化掩膜层，包括：
28、于所述电容接触结构及所述隔离结构上形成第一掩膜层；
29、于所述第一掩膜层的上表面形成多个平行间隔排布且沿所述第一方向延伸的第一子掩膜图形；
30、于所述第一子掩膜图形的侧壁形成第一牺牲图形，去除所述第一子掩膜图形，以保留多个平行间隔排布且沿所述第一方向延伸的所述第一牺牲图形；
31、形成第一填充掩膜层；所述第一填充掩膜层填充满相邻所述第一牺牲图形之间的间隙，且所述第一填充掩膜层的上表面不高于所述第一牺牲图形的上表面；
32、去除所述第一牺牲图形，以在相邻所述第一填充掩膜层之间形成第一初始沟槽；
33、沿所述第一初始沟槽刻蚀所述第一掩膜层，以得到所述第一图形化掩膜层。
34、在一些实施例中，所述于所述第一子掩膜图形的侧壁形成第一牺牲图形，包括：
35、于相邻所述第一子掩膜图形之间暴露的所述第一掩膜层的上表面、所述第一子掩膜图形的侧壁及所述第一子掩膜图形的顶部形成第一牺牲材料层；
36、去除位于相邻所述第一子掩膜图形之间暴露的所述第一掩膜层的上表面及位于所述第一子掩膜图形的顶部的所述第一牺牲材料层，保留于所述第一子掩膜图形的侧壁的所述第一牺牲材料层即为所述第一牺牲图形。
37、在一些实施例中，所述形成第一填充掩膜层，包括：
38、于所述第一掩膜层上形成第一填充材料层；所述第一填充材料层填充满相邻所述第一牺牲图形之间的间隙，并覆盖所述第一牺牲图形；
39、回刻所述第一填充材料层，以去除所述第一牺牲图形顶部的所述第一填充材料层，并保留位于相邻所述第一牺牲图形之间的所述第一填充材料层即为所述第一填充掩膜层。
40、在一些实施例中，所述形成隔离凹槽，还包括：
41、于所述电容接触结构及所述隔离结构上形成第二图形化掩膜层；所述第二图形化掩膜层包括多个平行间隔排布的第二掩膜图形，所述第二掩膜图形沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向相交，相邻所述第二掩膜图形之间的间隙于所述基底上表面的正投影位于相邻两行所述电容接触结构之本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，多个所述电容接触结构呈多行多列的阵列分布，位于同一列的多个所述电容接触结构沿第一方向间隔排布，位于同一行的多个所述电容接触结构沿第二方向间隔排布，所述第二方向与所述第一方向相交；
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离凹槽包括多个间隔排布的第二隔离凹槽，所述第二隔离凹槽沿所述第二方向延伸，且位于相邻两行所述电容接触结构之间，并贯通多个所述第一隔离凹槽。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体结构，其特征在于，还包括多个电容结构，所述电容结构位于所述基底上，且与所述电容接触结构一一对应接触。
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，还包括支撑结构，所述支撑结构包括由下至上依次间隔叠置的第一支撑层、第二支撑层及第三支撑层；所述支撑结构内设有多个贯穿所述第一支撑层、所述第二支撑层及所述第三支撑层的电容孔，所述电容孔与所述电容接触结构一一对应设置，且所述电容孔暴露出所述电容接触结构；
6.根据权利要求5所述的半导
7.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
8.根据权利要求7所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，多个所述电容接触结构呈多行多列分布，位于同一列的多个所述电容接触结构沿第一方向间隔排布，位于同一行的多个所述电容接触结构沿第二方向间隔排布，所述第二方向与所述第一方向相交；
9.根据权利要求8所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述于所述基底上形成第一图形化掩膜层，包括：
10.根据权利要求9所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述于所述第一子掩膜图形的侧壁形成第一牺牲图形，包括：
11.根据权利要求9所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述形成第一填充掩膜层，包括：
12.根据权利要求8所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述形成隔离凹槽，还包括：
13.根据权利要求12所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述形成隔离凹槽，在所述电容接触结构及所述隔离结构上形成所述第一图形化掩膜层及所述第二图形化掩膜层之前，还包括：形成图形转移材料层；
14.根据权利要求7至13中任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述形成隔离凹槽之后，还包括：
15.根据权利要求14所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，于所述基底上形成多个电容结构包括：
16.根据权利要求15所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述上电极之间具有间隙；所述形成上电极之后，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，多个所述电容接触结构呈多行多列的阵列分布，位于同一列的多个所述电容接触结构沿第一方向间隔排布，位于同一行的多个所述电容接触结构沿第二方向间隔排布，所述第二方向与所述第一方向相交；
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离凹槽包括多个间隔排布的第二隔离凹槽，所述第二隔离凹槽沿所述第二方向延伸，且位于相邻两行所述电容接触结构之间，并贯通多个所述第一隔离凹槽。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体结构，其特征在于，还包括多个电容结构，所述电容结构位于所述基底上，且与所述电容接触结构一一对应接触。
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，还包括支撑结构，所述支撑结构包括由下至上依次间隔叠置的第一支撑层、第二支撑层及第三支撑层；所述支撑结构内设有多个贯穿所述第一支撑层、所述第二支撑层及所述第三支撑层的电容孔，所述电容孔与所述电容接触结构一一对应设置，且所述电容孔暴露出所述电容接触结构；
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述上电极之间还具有间隙；所述电容结构还包括：
7.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
8.根据权利要求7所述的半导体结构的制备方法，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：周刘涛，潘烁，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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