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本申请涉及一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括：基底；基底上形成有多个间隔排布的电容接触结构；隔离结构；隔离结构位于基底上，且位于相邻电容接触结构之间；隔离结构的顶面不高于电容接触结构的顶面；隔离凹槽；隔离凹槽由隔离结构顶面延伸至隔...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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