【技术实现步骤摘要】
本公开属于半导体领域，具体涉及一种半导体结构的制造方法、半导体结构和半导体器件。
技术介绍
1、为提高半导体结构的集成度，可以在同一封装结构内放置一个以上的芯片。hbm(high bandwidth memory，高带宽内存)是一款新型的内存。以hbm为代表的芯片堆叠技术，将原本一维的存储器布局扩展到三维，即将很多个芯片堆叠在一起并进行封装，从而大幅度提高了芯片的密度，并实现了大容量和高带宽。
2、然而，hbm的性能有待提升。
技术实现思路
1、本公开实施例提供一种半导体结构、半导体结构的制造方法和半导体器件，至少有利于提高半导体结构的性能。
2、根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种半导体结构的制造方法，其中，半导体结构的制造方法包括：提供多个芯片，所述芯片包括在第一方向排列的元件区和划片道区；所述多个芯片中的至少一者具有供电布线层，所述供电布线层从所述元件区延伸至所述划片道区；将多个所述芯片堆叠设置，以形成芯片模块；所述芯片的堆叠方向为第二方向，所述第二方向与所述第一方向垂直；多个所述芯片的所述元件区相重叠，多个所述芯片的所述划片道区相重叠；形成所述芯片模块后，对多个所述划片道区远离所述元件区的侧面进行平坦化处理，以至少去除部分所述划片道区，并露出所述供电布线层；在所述平坦化处理的侧面形成焊盘，所述焊盘与所述供电布线层相连。
3、根据本公开一些实施例，本公开实施例另一方面还提供一种半导体结构，芯片模块，包括多个堆叠设置的芯片，所述芯
4、根据本公开一些实施例，本公开实施例另一方面还提供一种半导体器件，基板；芯片模块，设置在所述基板上，包括多个堆叠设置的芯片，所述芯片上包括沿第一方向排列的元件区，所述芯片的堆叠方向为第二方向，所述第二方向垂直于所述第一方向；其中，至少一所述芯片上还具有供电布线层，所述供电布线层沿着所述元件区向所述芯片的边缘延伸；
5、其中，所述芯片的侧面上还设置有焊盘，所述焊盘连接所述供电布线层。
6、本公开实施例提供的技术方案至少具有以下优点：对划片道区进行平坦化处理，从而提高芯片模块侧面的平整程度，避免影响在芯片模块的侧面形成焊盘。此外，供电布线层延伸至划片道区使得平坦化处理更易露出供电布线层，并避免过度的平坦化处理对元件区造成损伤。
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1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在所述第一方向上，所述划片道区的宽度与位于所述划片道区的所述供电布线层的长度之比为10:3～2:1。
5.根据权利要求4所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述划片道区的所述供电布线层在所述第一方向上的长度为30um～50um；
6.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述平坦化处理包括背面研磨工艺和/或化学机械研磨工艺。
7.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在所述平坦化处理后，在形成所述焊盘前，还包括：
8.根据权利要求7所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在形成所述掩膜层，还包括：
9.根据权利要求7所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在所述第二方向上，所述第二开口的宽度大于所述供电布线层的宽度。
<...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在所述第一方向上，所述划片道区的宽度与位于所述划片道区的所述供电布线层的长度之比为10:3～2:1。
5.根据权利要求4所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述划片道区的所述供电布线层在所述第一方向上的长度为30um～50um；
6.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述平坦化处理包括背面研磨工艺和/或化学机械研磨工艺。
7.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在所述平坦化处理后，在形成所述焊盘前，还包括：
8.根据权利要求7所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在形成所述掩膜层，还包括：
9.根据权利要求7所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在所述第二方向上，所述第二开口的宽度大于所述供电布线层的宽度。
10.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，多个所述芯片具有所述供电布线层；
11.根据权利要求10所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，
12.根据权利要求11所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述焊盘包括多个第一焊盘和多个第二焊盘，所述第一焊盘和所述第二...
【专利技术属性】
技术研发人员：庄凌艺，吕开敏，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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