【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，具体而言，涉及一种半导体结构及其形成方法、存储器。
技术介绍
1、动态随机存储器(dynamic random access memory，dram)因具有体积小、集成化程度高及传输速度快等优点，被广泛应用于手机、平板电脑等移动设备中。字线结构作为dram的核心部件，对器件的电性能有着至关重要的作用。
2、在dram中通常需要通过字线接触插塞将字线结构电学引出，在此过程中，字线接触插塞需要贯穿字线结构表面的第二导电层才能与字线结构连接，然而，在蚀刻第二导电层的过程中易对衬底造成损伤，产品良率较低。
3、需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开提供一种半导体结构及其形成方法、存储器，可降低工艺难度，提高产品良率。
2、根据本公开的一个方面，提供一种半导体结构，包括：
3、衬底，包括阵列区和外围区；
4、字线结构，包括位于所述衬底内部的第一导电层，所述第一导电层沿第一方向贯穿所述阵列区并延伸至所述外围区；在垂直于所述衬底的方向上，所述第一导电层位于所述外围区表面的高度高于所述第一导电层位于所述阵列区表面的高度。
5、在本公开的一种示例性实施例中，所述半导体结构还包括：
6、字线接触插塞，位于所述外围区，且所述字线接触插塞的底面与所述第一导电层连接。
<...【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述字线结构还包括：
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第二导电层靠近所述外围区的一端与所述字线接触插塞之间具有第一距离，所述第一距离小于所述第一导电层在所述第一方向上位于所述外围区的长度。
5.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一导电层位于所述外围区的表面与所述第二导电层的表面齐平。
6.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一导电层的材料为金属材料，所述第二导电层的材料为半导体材料。
7.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
8.根据权利要求3-7任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述字线结构还包括栅间介质层，所述栅间介质层至少随形包覆于所述第一导电层和所述第二导电层的侧壁表面。
9.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
10.
11.根据权利要求10所述的形成方法，其特征在于，所述形成方法还包括：
12.根据权利要求11所述的形成方法，其特征在于，所述第二导电层靠近所述外围区的一端与所述字线接触插塞之间具有第一距离，所述第一距离小于所述第一导电层在所述第一方向上位于所述外围区的长度。
13.根据权利要求11所述的形成方法，其特征在于，所述第一导电层位于所述外围区的表面与所述第二导电层的表面齐平。
14.根据权利要求11所述的形成方法，其特征在于，所述第一导电层的材料为金属材料，所述第二导电层的材料为半导体材料。
15.根据权利要求11所述的形成方法，其特征在于，所述形成方法还包括：
16.根据权利要求11-15任一项所述的形成方法，其特征在于，所述字线结构还包括栅间介质层，所述栅间介质层至少随形包覆于所述第一导电层和所述第二导电层的侧壁表面。
17.根据权利要求16所述的形成方法，其特征在于，在所述衬底内形成多个字线结构，包括：
18.根据权利要求17所述的形成方法，其特征在于，在具有所述栅间介质层的所述字线沟槽内形成所述第一导电层，包括：
19.根据权利要求17所述的形成方法，其特征在于，在所述第一导电层的表面形成所述第二导电层，包括：
20.一种存储器，包括权利要求1-8任一项所述的半导体结构。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述字线结构还包括：
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第二导电层靠近所述外围区的一端与所述字线接触插塞之间具有第一距离，所述第一距离小于所述第一导电层在所述第一方向上位于所述外围区的长度。
5.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一导电层位于所述外围区的表面与所述第二导电层的表面齐平。
6.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一导电层的材料为金属材料，所述第二导电层的材料为半导体材料。
7.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
8.根据权利要求3-7任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述字线结构还包括栅间介质层，所述栅间介质层至少随形包覆于所述第一导电层和所述第二导电层的侧壁表面。
9.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的形成方法，其特征在于，所述形成方法还包括：
11.根据权利要求10所述的形成方法，其特征在于，所述形成方法还包...
【专利技术属性】
技术研发人员：李冉，臧标，林志成，段蕾蕾，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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