【技术实现步骤摘要】
本公开的实施方式的方面涉及显示设备及制造显示设备的方法。
技术介绍
1、最近，用于显示设备的使用情况已经多样化。此外，随着显示设备的厚度和重量已经减小，显示设备的应用范围已经增大。
2、通常，显示设备包括接收电信号并且响应于所述电信号而发射光以显示图像的多个像素。有机发光二极管显示设备的像素包括作为显示元件的有机发光二极管。有机发光二极管包括像素电极、发射层和相对电极。
3、这样的显示设备可以包括密封显示元件以防止来自外部的氧气和/或湿气渗透到显示元件中的封装层。
技术实现思路
1、在根据现有技术的显示设备及制造显示设备的方法中，用于确保封装层的接合区域的无效空间(dead space)增大了显示设备的在其显示区域外部的非显示区域。
2、本公开的实施方式包括其中通过减小无效空间面积(例如，通过减小无效空间的面积)来扩展(或增加)显示区域的显示设备，并且还提供了制造显示设备的方法。然而，本文中描述的实施方式是示例，并且不限制本公开的范围。
3、本公开的附加的方面和特征部分地将在随后的描述中阐述，并且部分地将从描述中显而易见，或者可以通过对描述的实施方式的实践来获知。
4、根据本公开的实施方式，显示设备具有显示区域和在显示区域的外围周围延伸的外围区域并且包括：衬底；像素电极，在显示区域中设置在衬底上；像素限定层，在像素电极上，并且具有暴露像素电极的中央部分的第一子开口；堤层，在像素限定层上，并且具有暴露像素电极的中央部分的第二
5、像素限定层可以包括无机绝缘材料，并且堤层可以包括金属材料。
6、显示设备还可以包括在外围区域中并且配置成接收公共电压的公共电压线，并且像素限定层和堤层可以延伸到外围区域以覆盖公共电压线。像素限定层可以具有暴露公共电压线的上表面的部分的开口，并且堤层可以通过像素限定层中的开口与公共电压线直接接触。
7、显示设备还可以包括覆盖第一导电层的低反射层，并且低反射层可以包括金属氧化物。
8、第一导电层可以具有底切结构。
9、发射层可以通过顶端断开连接，并且相对电极可以通过顶端断开连接。
10、显示设备还可以包括在相对电极上的无机封装层，并且无机封装层可以与顶端的下表面直接接触。
11、显示设备还可以包括：遮光层，在无机封装层上，并且具有与像素电极对应的过滤器开口；以及滤色器，在遮光层上，并且与像素电极重叠。
12、显示设备还可以包括在无机封装层上的有机平坦化层，并且有机平坦化层的折射率可以大于无机封装层的折射率。
13、有机平坦化层的折射率可以为约1.6或更大。
14、发射层中的开口可以具有在第二子开口的外围的至少一部分周围延伸的环形状。
15、显示设备还可以包括在像素电极和像素限定层之间的第一残留牺牲层，并且第一残留牺牲层可以与像素电极的边缘重叠。
16、显示设备还可以包括在堤层和第一导电层之间的第二残留牺牲层，并且第二残留牺牲层可以在顶端之下。
17、根据本公开的另一实施方式，提供了制造显示设备的方法。所述方法包括：在衬底上形成像素电极和与像素电极对应的第一牺牲层；形成像素限定层和堤层以覆盖第一牺牲层；在堤层上形成在像素电极的外围周围延伸的第二牺牲层；形成第一导电层以覆盖堤层和第二牺牲层；形成第一开口和第一导电层的顶端，第一开口通过穿过像素限定层、堤层和第一导电层而暴露像素电极的中央部分，顶端超出像素电极向外突出；形成具有暴露第一导电层的上表面的部分的开口的发射层；以及在发射层上形成相对电极层。
18、发射层可以形成在衬底的前表面上。
19、发射层中的开口可以通过激光打孔工艺形成。
20、发射层中的开口可以具有在第一开口的外围的至少一部分周围延伸的环形状。
21、第一导电层可以具有底切结构，并且发射层可以通过顶端断开连接。
22、相对电极层可以通过发射层中的开口与第一导电层直接接触。
23、所述方法还可以包括在相对电极层上形成无机封装层。
24、无机封装层可以形成为与顶端的下表面直接接触。
25、所述方法还可以包括：在无机封装层上形成具有与像素电极对应的过滤器开口的遮光层；以及在遮光层上形成与像素电极重叠的滤色器。
26、所述方法还可以包括在无机封装层上形成有机平坦化层，并且有机平坦化层的折射率可以大于无机封装层的折射率。
27、形成第一导电层还可以包括在第一导电层上形成低反射层。
28、除了以上描述的方面和特征之外，本公开的其它方面和特征将从以下的详细描述、所附的附图和权利要求书变得显而易见。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.显示设备，具有显示区域和在所述显示区域的外围周围延伸的外围区域并且包括：
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述像素限定层包括无机绝缘材料，以及
3.根据权利要求1所述的显示设备，还包括在所述外围区域中并且配置成接收公共电压的公共电压线，
4.根据权利要求1所述的显示设备，还包括覆盖所述第一导电层的低反射层，
5.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一导电层具有底切结构。
6.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述发射层通过所述顶端断开连接，并且所述相对电极通过所述顶端断开连接。
7.根据权利要求1所述的显示设备，还包括在所述相对电极上的无机封装层，
8.根据权利要求7所述的显示设备，还包括：
9.根据权利要求7所述的显示设备，还包括在所述无机封装层上的有机平坦化层，
10.根据权利要求9所述的显示设备，其中，所述有机平坦化层的所述折射率为1.6或更大。
11.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述发射层中的所述开口具有在所述第二子开口的外围
12.根据权利要求1所述的显示设备，还包括在所述像素电极和所述像素限定层之间的第一残留牺牲层，所述第一残留牺牲层与所述像素电极的边缘重叠。
13.根据权利要求1所述的显示设备，还包括在所述堤层和所述第一导电层之间的第二残留牺牲层，所述第二残留牺牲层在所述顶端之下。
14.制造显示设备的方法，所述方法包括：
15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述发射层形成在所述衬底的前表面上。
16.根据权利要求14所述的方法，其中，所述发射层中的所述开口通过激光打孔工艺形成。
17.根据权利要求14所述的方法，其中，所述发射层中的所述开口具有在所述第一开口的外围的至少一部分周围延伸的环形状。
18.根据权利要求14所述的方法，其中，所述第一导电层具有底切结构，以及
19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述相对电极层通过所述发射层中的所述开口与所述第一导电层直接接触。
20.根据权利要求14所述的方法，还包括在所述相对电极层上形成无机封装层。
21.根据权利要求20所述的方法，其中，所述无机封装层形成为与所述顶端的下表面直接接触。
22.根据权利要求20所述的方法，还包括：
23.根据权利要求20所述的方法，还包括在所述无机封装层上形成有机平坦化层，
24.根据权利要求14所述的方法，其中，形成所述第一导电层还包括在所述第一导电层上形成低反射层。
...【技术特征摘要】
1.显示设备，具有显示区域和在所述显示区域的外围周围延伸的外围区域并且包括：
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述像素限定层包括无机绝缘材料，以及
3.根据权利要求1所述的显示设备，还包括在所述外围区域中并且配置成接收公共电压的公共电压线，
4.根据权利要求1所述的显示设备，还包括覆盖所述第一导电层的低反射层，
5.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一导电层具有底切结构。
6.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述发射层通过所述顶端断开连接，并且所述相对电极通过所述顶端断开连接。
7.根据权利要求1所述的显示设备，还包括在所述相对电极上的无机封装层，
8.根据权利要求7所述的显示设备，还包括：
9.根据权利要求7所述的显示设备，还包括在所述无机封装层上的有机平坦化层，
10.根据权利要求9所述的显示设备，其中，所述有机平坦化层的所述折射率为1.6或更大。
11.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述发射层中的所述开口具有在所述第二子开口的外围的至少一部分周围延伸的环形状。
12.根据权利要求1所述的显示设备，还包括在所述像素电极和所述像素限定层之间的第一残留牺牲层，所述第一残留牺牲层与所述像素电极的边缘...
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