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本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构的制造方法、半导体结构和半导体器件，半导体结构的制造方法包括：提供多个芯片，芯片包括在第一方向排列的元件区和划片道区；多个芯片中的至少一者具有供电布线层，供电布线层从元件区延伸至划片道区；将多个...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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