【技术实现步骤摘要】
本公开涉及但不限于半导体，尤其涉及一种光刻胶的去除方法、半导体器件的形成方法及系统。
技术介绍
1、刻蚀是半导体制造工艺中的一种相当重要的步骤，它是与光刻相联系的图形化处理的一种主要工艺。光刻刻蚀是指先通过光刻将光刻胶进行曝光处理，然后通过其它方式去除光刻胶。然而，由于在刻蚀的过程中，会产生大量的副产物，这些副产物可能会导致光刻胶表面性质发生变化(例如，硬化、碳化等)，那么使用现有的光刻胶去除工艺很难将光刻胶全部清除，容易造成光刻胶残留，从而影响半导体器件的性能和稳定性。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开提供一种光刻胶的去除方法、半导体器件的形成方法及系统。
2、本公开实施例提供一种光刻胶的去除方法，所述方法包括：
3、获取经刻蚀处理后的半导体基底，所述半导体基底上形成有待去除的光刻胶层，所述光刻胶层的表层中包含在所述刻蚀处理过程中产生的副产物；
4、对所述半导体基底进行灰化处理，以去除所述光刻胶层的表层，其中，在所述灰化处理过程中，所述半导体基底的位置是动态调整的；
5、对灰化处理后的所述半导体基底进行清洗处理，以暴露所述光刻胶层的残留物；
6、对清洗处理后的所述半导体基底再次进行所述灰化处理，以去除所述残留物；
7、对再次灰化处理后的所述半导体基底进行所述清洗处理。
8、本公开实施例提供一种半导体器件的形成方法，所述方法包括：
9、提供半导体基底，所述半导体基底包括阵列区、以及环绕
10、在所述周边区上形成图形化的光刻胶层；
11、以所述图形化的光刻胶层为掩膜刻蚀所述阵列区，得到刻蚀处理后的半导体基底；
12、在所述刻蚀处理完成后，采用上述的光刻胶的去除方法来去除所述光刻胶层。
13、本公开实施例提供一种半导体器件的形成系统，所述系统包括：
14、光刻机台，用于对半导体基底进行光刻处理，在所述半导体基底的周边区上形成图形化的光刻胶层，所述半导体基底包括阵列区、以及环绕所述阵列区的所述周边区；
15、刻蚀机台，用于以所述图形化的光刻胶层为掩膜刻蚀所述阵列区，得到刻蚀处理后的半导体基底；
16、处理机台，用于在所述刻蚀处理完成后，采用上述的光刻胶的去除方法来去除所述光刻胶层。
17、在本公开实施例中，通过获取经刻蚀处理后的半导体基底，所述半导体基底上形成有待去除的光刻胶层，所述光刻胶层的表层中包含在所述刻蚀处理过程中产生的副产物；对所述半导体基底进行灰化处理，以去除所述光刻胶层的表层，其中，在所述灰化处理过程中，所述半导体基底的位置是动态调整的；对灰化处理后的所述半导体基底进行清洗处理，以暴露所述光刻胶层的残留物；对清洗处理后的所述半导体基底再次进行所述灰化处理，以去除所述残留物；对再次灰化处理后的所述半导体基底进行所述清洗处理。这样，一方面，在灰化处理的过程中，通过动态调整半导体基底的位置，可以加快光刻胶层的灰化过程，从而可以提高灰化处理的效率，进而可以达到缩短工艺时间、降低工艺成本的目的；另一方面，通过对刻蚀后的半导体基底分别进行两次的灰化处理和清洗处理，可以有效的去除半导体基底上的光刻胶层，从而可以降低因光刻胶残留导致半导体器件性能差的可能性，进而可以进一步提高半导体器件的稳定性。
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1.一种光刻胶的去除方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述半导体基底进行灰化处理，以去除所述光刻胶层的表层，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述灰化处理包括灰化阶段；
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述利用所述喷射组件喷射的反应气体对所述光刻胶层的表层进行去除处理，包括：
5.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述灰化处理还包括在所述灰化阶段之前的加热阶段；
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述控制所述加热组件对所述半导体基底进行加热，包括：
7.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述灰化处理还包括在所述灰化阶段之前的控压阶段和预流阶段，所述处理机台还包括用于控制所述反应腔内的压力的控压组件；
8.根据权利要求2至4中任一项所述的方法，其特征在于，所述反应气体包括目标气体与辅助气体的混合气体，所述目标气体包括氮气和/或氢气。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述辅助气体包括
10.根据权利要求2至4中任一项所述的方法，其特征在于，所述喷射组件还用于往所述反应腔内喷射清洗剂；
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述清洗剂为以下至少之一：氢氟酸溶液，硫酸溶液，含氨气或盐酸、双氧水、以及水的混合溶液。
12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述喷射组件喷射所述清洗剂的方式包括：以第一预设时长喷射至少两次、或以第二预设时长喷射一次，其中，所述第一预设时长不大于所述第二预设时长。
13.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，所述获取经刻蚀处理后的半导体基底，包括：
14.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，所述方法包括：
15.一种半导体器件的形成系统，其特征在于，所述系统包括：
...【技术特征摘要】
1.一种光刻胶的去除方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述半导体基底进行灰化处理，以去除所述光刻胶层的表层，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述灰化处理包括灰化阶段；
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述利用所述喷射组件喷射的反应气体对所述光刻胶层的表层进行去除处理，包括：
5.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述灰化处理还包括在所述灰化阶段之前的加热阶段；
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述控制所述加热组件对所述半导体基底进行加热，包括：
7.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述灰化处理还包括在所述灰化阶段之前的控压阶段和预流阶段，所述处理机台还包括用于控制所述反应腔内的压力的控压组件；
8.根据权利要求2至4中任一项所述的方法，其特征在于，所述反应气体包括目标气...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨怀伟，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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