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本公开实施例提供一种光刻胶的去除方法、半导体器件的形成方法及系统。其中，所述光刻胶的去除方法包括：获取经刻蚀处理后的半导体基底，所述半导体基底上形成有待去除的光刻胶层，所述光刻胶层的表层中包含在所述刻蚀处理过程中产生的副产物；对所述半导体基...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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