本公开是关于一种样品制备方法、样品制备系统及TEM样品，涉及半导体样品制备技术领域。该方法包括：在晶圆的电容阵列上开设一深孔；通过所述深孔在所述电容阵列的电容器之间灌入粘接剂，同时使所述粘接剂附着在所述电容阵列的表面；待所述粘接剂固化后，在固化后的所述粘接剂上形成保护层；切除所述电容阵列在所述保护层之外的区域，得到初始样品；切割所述初始样品，得到目标样品。本公开可以降低样品制备过程中所产生的窗帘效应。
3、根据本公开的第一方面，提供一种样品制备方法，包括：在晶圆的电容阵列上开设一深孔；通过所述深孔在所述电容阵列的电容器之间灌入粘接剂，同时使所述粘接剂附着在所述电容阵列的表面；待所述粘接剂固化后，在固化后的所述粘接剂上形成保护层；切除所述电容阵列在所述保护层之外的区域，得到初始样品；切割所述初始样品，得到目标样品。
>5、在本公开的一种示例性实施方式中，所述深孔的长度方向平行于所述电容阵列的位线bl方向。6、在本公开的一种示例性实施方式中，在所述通过所述深孔在所述电容阵列的电容器之间灌入粘接剂的过程中，所述方法还包括：将所述电容阵列倾斜预设角度，控制所述粘接剂沿所述电容阵列的字线wl方向流入所述电容器之间。
7、在本公开的一种示例性实施方式中，所述预设角度为20°-40°。
8、在本公开的一种示例性实施方式中，所述切割所述初始样品，得到目标样品，包括：倾斜所述初始样品，使所述初始样品的表面与水平面成预设夹角；沿竖直方向切割所述初始样品，得到所述目标样品。
9、在本公开的一种示例性实施方式中，所述倾斜所述初始样品，包括：将所述初始样品的一端固定在样品载台上；抬高所述初始样品的另一端至预设高度后固定所述另一端，以使所述初始样品的表面与水平面成预设夹角。
10、在本公开的一种示例性实施方式中，所述预设夹角为10°。
11、在本公开的一种示例性实施方式中，所述保护层所在区域的所述粘接剂的厚度为100nm-200nm之间的任一值。
12、在本公开的一种示例性实施方式中，还包括：在使所述粘接剂附着在所述电容阵列的表面之后，在所述粘接剂上形成导电层；在所述导电层的部分区域上形成所述保护层。
13、在本公开的一种示例性实施方式中，所述导电层的材料为铂金或钨。
14、在本公开的一种示例性实施方式中，所述保护层的材料为铂金。
15、在本公开的一种示例性实施方式中，所述保护层的厚度为100-200nm之间的任一值。
16、在本公开的一种示例性实施方式中，所述深孔的深度大于或等于所述电容器的延伸方向长度。
17、在本公开的一种示例性实施方式中，所述深孔的长度为40μm、宽度为4μm、深度为4μm。
18、根据本公开的第二方面，提供一种样品制备系统，包括：开孔模块，用于在晶圆的电容阵列上开设一深孔；灌胶模块，用于通过所述深孔在所述电容阵列的电容器之间灌入粘接剂，同时使所述粘接剂附着在所述电容阵列的表面；保护层形成模块，用于待所述粘接剂固化后，在固化后的所述粘接剂上形成保护层；初始样品获取模块，用于切除所述电容阵列在所述保护层之外的区域，得到初始样品；目标样品获取模块，用于切割所述初始样品，得到目标样品。
19、在本公开的一种示例性实施方式中，所述目标样品获取模块包括：样品载台；其中，所述样品载台用于承载所述初始样品，所述样品载台可倾斜设置在载台支架上。
20、在本公开的一种示例性实施方式中，所述样品载台包括：底座和用于固定所述初始样品的支撑架；其中，所述底座的顶面连接所述支撑架，所述底座的底面为弧形，并与所述载台支架相适配，以使所述样品载台可相对于所述载台支架转动。
21、在本公开的一种示例性实施方式中，所述底座上设置有卡件，所述载台支架上设置有至少一个用于卡设所述卡件的卡槽。
22、根据本公开的第三方面，提供一种tem样品，所述tem样品采用上述的方法制备而成。
23、本公开提供的技术方案可以包括以下有益效果：
24、本公开示例性实施方式中，一方面，通过在晶圆的电容阵列上开设一深孔，并且通过该深孔，可以在电容阵列的电容器之间灌入粘接剂，所灌入的粘接剂可以填入电容器之间的空洞区域，待灌入的粘接剂固化后，可以固定各个电容器之间的相对位置，从而增加每个电容器的强度，进而增加整个电容阵列的强度，使得在使用聚焦离子束切割初始样品的时候，电容器及其旁边区域的质量差异变小，从而可以减小切割过程中的切割速率差异，也就可以明显减小拉痕，进而可以提高目标样品的均匀性，达到减小窗帘效应的效果；另一方面，在通过深孔向电容阵列的电容器之间灌入粘接剂的同时，可以使粘接剂附着在电容阵列的表面，待粘接剂固化后，可以在固化后的粘接剂上形成保护层，该保护层可以保护下方的待切割区域，免得在使用聚焦离子束切割时，待切割区域的顶部被离子轰击打伤，达到保护目标样品的目的。
25、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种样品制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述深孔的深度方向平行于所述电容器的延伸方向。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述深孔的长度方向平行于所述电容阵列的位线BL方向。
4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在所述通过所述深孔在所述电容阵列的电容器之间灌入粘接剂的过程中，所述方法还包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述预设角度为20°-40°。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述切割所述初始样品，得到目标样品，包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述倾斜所述初始样品，包括：
8.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述预设夹角为10°。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述保护层所在区域的所述粘接剂的厚度为100nm-200nm之间的任一值。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述导电层的材料为铂金或钨。
12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述保护层的材料为铂金。
13.根据权利要求1或12所述的方法，其特征在于，所述保护层的厚度为100-200nm之间的任一值。
14.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述深孔的深度大于或等于所述电容器的延伸方向长度。
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述深孔的长度为40μm、宽度为4μm、深度为4μm。
16.一种样品制备系统，其特征在于，包括：
17.根据权利要求16所述的系统，其特征在于，所述目标样品获取模块包括：样品载台；其中，
18.根据权利要求17所述的系统，其特征在于，所述样品载台包括：底座和用于固定所述初始样品的支撑架；其中，
19.根据权利要求18所述的系统，其特征在于，所述底座上设置有卡件，所述载台支架上设置有至少一个用于卡设所述卡件的卡槽。
20.一种TEM样品，其特征在于，所述TEM样品采用权利要求1-15中任一项所述的方法制备而成。
...
【技术特征摘要】
1.一种样品制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述深孔的深度方向平行于所述电容器的延伸方向。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述深孔的长度方向平行于所述电容阵列的位线bl方向。
4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在所述通过所述深孔在所述电容阵列的电容器之间灌入粘接剂的过程中，所述方法还包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述预设角度为20°-40°。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述切割所述初始样品，得到目标样品，包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述倾斜所述初始样品，包括：
8.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述预设夹角为10°。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述保护层所在区域的所述粘接剂的厚度为100nm-200nm之间的任一值。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
11.根据权利要求10所述的方法...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘传涛，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。