使用次粘着基板制造发光二极管的方法技术

一种使用次粘着基板制造发光二极管的方法，包括：芯片粘着步骤，将多个发光二极管芯片分别粘着于次粘着基板；萤光体涂布步骤，将混合萤光物质的硅涂布于芯片粘着步骤完成的次粘着基板与发光二极管芯片；基板切断步骤，将萤光体涂布步骤完成的次粘着基板以各发光二极管芯片为单位切断；以及封装步骤，将基板切断步骤完成的次粘着基板粘着于载具并与载具电性连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，更具体而言，涉及一种 ，其将发光二极管芯片(LEDchiP)粘着于次粘着基 板(submoimt substrate)上的状态下，在执行萤光体涂布步骤之后，进行封装而制造发光二极管。
技术介绍
现有的发光二极管元件的制造方法为如下。首先，以蓝宝石等的材料制造发光二 极管芯片1。接着，如图1所示，将各发光二极管芯片1粘着(attaching)于载具2内部。接 着，将发光二极管芯片1与载具2以导线4电性连接。再来，将混合萤光物质的硅3涂布于发 光二极管芯片1的周围。此涂布的萤光物质用于调节发光二极管芯片1所产生的光的光学 特性。一般来说，以 1931 年国际照明协会(International Commission on Illumination ； CIE)的表色系上的值来表示发光二极管元件的光学特性。在制造发光二极管芯片的制程中，透过半导体层厚度的调节或萤光物质涂布量的 调节等方法，可制造出具有所需表色系光学特性的发光二极管元件。但是，如图1所示的现有的发光二极管制造方法，在将发光二极管芯片1安装于载 具2内部之后，将混合萤光物质的硅3分别分送于载具2，造成制程繁琐且难以提高生产力。 并且，难以将正确量的硅涂布于各发光二极管元件。此外，如图1所示的现有的发光二极管制造方法，在载具2内位于发光二极管芯片 1周围的硅3的厚度不一致，即不同的位置分别有不同的厚度，这使发光二极管元件的光学 特性不佳。换句话说，离发光二极管元件近距离的位置会产生整体上无色差而具有均一表 色系值的光。但是，若在离发光二极管元件远距离的地点进行测定表色系的话，表色系值将 随着照射区域的不同而改变，因而产生分色现象。另外，如图2与图3所示，发光二极管芯片可依发光方向区分为如图2所示的往 厚度方向发光的发光二极管芯片5 ；以及如图3所示的往宽度方向发光的发光二极管芯片 6。尤其，若对如图3所示的发光二极管芯片6以如图1所示的方法涂布萤光物质的 话，将产生更大的分色现象。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种透过改善将混合萤光物 质的硅涂布于发光二极管芯片的制程，可提高发光二极管元件的生产力的制造方法；以及 一种透过将混合萤光物质的硅均勻地涂布于发光二极管芯片的表面，从而不管发光二极管 芯片所产生的光照射到的任何位置，皆可具有均一的表色系值，而不会产生分色现象的发 光二极管元件的制造方法。解决上述问题的方式为实现上述目的，本专利技术所提供的，包括 芯片粘着步骤，将多个发光二极管芯片分别粘着于多个次粘着基板；萤光体涂布步骤，将混 合萤光物质的硅涂布于芯片粘着步骤完成的次粘着基板与发光二极管芯片；基板切断步 骤，将萤光体涂布步骤完成的次粘着基板以各发光二极管芯片为单位切断；以及封装步骤， 将基板切断步骤完成的次粘着基板粘着于载具并与载具电性连接。专利技术的效果 依据本专利技术，透过改善将混合萤光物质的硅涂布于发光二极管芯片的制程，可提 高发光二极管制造方法的生产力。并且，依据本专利技术，透过将涂布于发光二极管芯片的硅的厚度均勻化，可改善发光 二极管元件的光学特性。附图说明图1是以一种现有发光二极管制造方法所制作的发光二极管元件的剖面图。图2与图3是说明发光二极管芯片的发光方向的剖面图。图4是本专利技术实施例的一种的步骤图。图5是以图4所示的所制作发光二极管元 件的次粘着基板的俯视图。图6是图5所示的次粘着基板的局部剖面图。图7是图5所示的次粘着基板的硅涂布制程的俯视图。图8是图7所示的次粘着基板的局部剖面图。图9是以图4所示的所制作的发光二极管 元件的剖面图。主要元件符号说明SlOO 芯片粘着步骤S200 萤光体涂布步骤S300 测试步骤S400 硅补充步骤S500 基板切断步骤S600 封装步骤S700 包装步骤1、5、6、10 发光二极管芯片20:次粘着基板3、30 硅31 -M32:被坝包围的部分2、40 载具4、41 导线具体实施例方式以下，参照附图详细说明本专利技术的较佳实施例。图4是本专利技术实施例的的步骤图；图5至 图9是以图4所示的制作发光二极管元件的制程的 示意图。为了实施本专利技术的使用次粘着基板20制造发光二极管的方法，首先准备发光二 极管芯片10。发光二极管芯片10是在蓝宝石基板上形成电极而成的一般的发光二极管芯 片，并以各 发光二极管芯片10为单位切断(dicing)的型态。接着，如图5与图6所示，执行芯片粘着步骤S100，即将各发光二极管芯片10粘着 于次粘着基板20。次粘着基板20以硅材料基板所制成。为了使发光二极管芯片以倒装芯片 (flip chip)的方式粘着于次粘着基板，可将倒装芯片电极(即凸块)形成于次粘着基板。并 且，为了使发光二极管芯片与次粘着基板以导线接合，可将电极垫形成于次粘着基板。或者， 不形成电极于次粘着基板20，仅使发光二极管芯片10粘着(die attaching)亦可。接着，如图7与图8所示，执行萤光体涂布步骤S200，即将混合萤光物质的硅30涂 布于次粘着基板20与发光二极管芯片10上。在萤光体涂布步骤S200中，可将硅30以喷 涂(spray)的方式进行涂布，亦可使用一般树脂分送装置的方式进行涂布。如上述的硅30 涂布制程，可如同图7与图8所示的方式进行。首先，将高粘性的硅30涂布于晶片(wafer) 的周边部分而形成坝(dam) 31，接着，将粘性较低的硅30涂布于被坝31包围的部分32，以 执行萤光体涂布步骤S200。如此一来，可容易区分在次粘着基板20上需涂布硅30的部分 以及不涂布硅30的其他部分，并且很快的时间之内可执行萤光体涂布步骤S200。并且，将 液态的硅30以多数个液滴(droplet)状态涂布之后，让液滴往周边流动，在次粘着基板20 与发光二极管芯片10的表面可形成均勻的(uniform)硅30膜。并且，如上述的方法将硅 30涂布于次粘着基板20与发光二极管芯片10的表面，可使涂布于发光二极管芯片10上面 的硅30的厚度均勻化，且可使涂布于发光二极管芯片10侧面的硅30的厚度均勻化。如此 一来，藉由发光二极管芯片10表面的硅30的厚度均勻化，不管任何发光地点均可稳定地维 持发光二极管芯片10所产生的光的光学特性(即表色系上的值)。从而，可容易将发光二 极管芯片10的发光特性维持一定的水准。并且，由于不管发光二极管芯片10的任何位置， 所涂布的硅30的厚度(涂布的萤光物质的量)皆为均一，所以离发光二极管芯片10远距 离的位置也不会产生分色现象。接着，执行测试步骤S300，即测试各发光二极管芯片10的光学特性。在测试步骤 S300中，在发光二极管芯片10安装于次粘着基板20的状态下，使用探针(probe)等装置将 电压施加于各发光二极管芯片10，以测试发光二极管芯片10所产生的光的光学特性。在上 述使用探针来测试发光二极管芯片10的光学特性的时候，可先将部分涂布于电极上面的 硅30剥去之后，执行测试步骤S300。在测试项目中，发光二极管芯片10所产生的光的表色系上的值为主要项目。发光 二极管芯片10所产生的光的表色系值被发光二极管芯片10半导体层的层的厚度、混合萤 光物质的硅30的厚度等因素所影响。依照执行如上述测试步骤S300的结果，若发光二本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种使用次粘着基板制造发光二极管的方法，包括：芯片粘着步骤，将多个发光二极管芯片分别粘着于多个次粘着基板；萤光体涂布步骤，将混合萤光物质的硅涂布于所述芯片粘着步骤完成的次粘着基板与发光二极管芯片；基板切断步骤，将所述萤光体涂布步骤完成的次粘着基板以各发光二极管芯片为单位切断；以及封装步骤，将所述基板切断步骤完成的次粘着基板粘着于载具并与载具电性连接。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：洪承珉，
申请(专利权)人：普罗科技有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]